-
公开(公告)号：CN1988385B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200610169054.6
申请日：2006-12-20
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
CPC classification number: H03K17/08122 , H03K17/18
Abstract: 一种导通故障检测设备，其检测电源电路的FET T1的导通故障，该电源电路包括设置在电池E与负载RL之间、并且对该负载RL进行驱动和停止控制的FET T1。该导通故障检测设备包括：驱动电路1，其将用于切换半导体元件的导通和截止的驱动信号提供到FET T1的栅极；栅极电阻器Rg，其设置在驱动电路1与FET T1的栅极之间；以及导通故障检测电路11，其用于检测栅极电阻器Rg的压降是否超过预定值，并且在栅极电阻器Rg的压降超过预定值时，确定在FET T1上发生导通故障。
-
公开(公告)号：CN1719730B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510081898.0
申请日：2005-07-06
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H03K17/0814 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/693
Abstract: 一种控制装置，包括：多个负载电路；电源配线，其将负载电路连接到共用的DC电源；和反电动势检测单元，其检测在电源配线上生成的反电动势。每个负载电路包括：负载；半导体开关，其被配置用于接通/断开负载，用于保护相应的负载电路；和电流检测单元，其检测流过相应的负载电路的负载电流的异常增加。当电流检测单元检测到负载电流的迅速增加，并且反电动势检测单元检测到出现超过预定阈值的反电动势时，对应于该负载电路的半导体开关被断开。
-
-
公开(公告)号：CN1320741C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410076891.5
申请日：2004-09-08
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
CPC classification number: H02H11/002 , H02H7/0851
Abstract: 一种电动窗驱动设备，包括马达，其通过供应电源的供应电压来驱动窗；控制电路，其包括FET和继电器，并且在流向所述马达的马达电流增大时利用提供于所述马达和地线之间的所述FET控制所述马达电流以便限制并停止所述马达电流，之后利用所述继电器反转马达的转动；分流电阻，其将马达电流作为电压值进行检测，并且被提供于马达与地线之间；以及二极管，其被提供于电源的正侧与控制电路之间，用于保护控制电路，其中，所述二极管被放置以使得所述马达电流不流过所述二极管。
-
公开(公告)号：CN1937343A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139849.2
申请日：2006-09-21
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H02H3/08
CPC classification number: H03K17/18 , H03K17/0822 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明公开了一种用于检测负载电路中的过电流的过电流检测装置，配置该过电流检测装置，以利用设置在电池VB与负载1之间的半导体开关来驱动和关闭负载。通过将在半导体开关的两端产生的电压(V1－V2)与因为用于连接该半导体开关(FET1)和负载1的铜箔布线图形3的电感Lp而在电流发生变化时产生的电压(V3－V2)相加获得和电压(V1－V3)。设置了比较器CMP1，用于将和电压与事先设置的过电流确定电压(V1－V4)进行比较。在比较器CMP1检测到该和电压超过该过电流确定电压时，确定产生了过电流。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1719730A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510081898.0
申请日：2005-07-06
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H03K17/0814 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/693
Abstract: 一种控制装置，包括：多个负载电路；电源配线，其将负载电路连接到共用的DC电源；和反电动势检测单元，其检测在电源配线上生成的反电动势。每个负载电路包括：负载；半导体开关，其被配置用于接通/断开负载，用于保护相应的负载电路；和电流检测单元，其检测流过相应的负载电路的负载电流的异常增加。当电流检测单元检测到负载电流的迅速增加，并且反电动势检测单元检测到出现超过预定阈值的反电动势时，对应于该负载电路的半导体开关被断开。
-
公开(公告)号：CN101911474B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980102483.3
申请日：2009-01-16
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H02P29/00
CPC classification number: H02P7/29 , H02P29/0241 , H02P29/027 , Y10S388/903
Abstract: 本发明提供一种供电装置，即使当电机负载处于锁定状态时也能够减少热生成量，并且能够使FET和布线尺寸减小。通过将各种判定电压与MOSFET(T1)的漏极和源极之间的电压Vds比较，来判定在电机M1中是否流动锁定电流。如果检测到锁定电流流动，将MOSFET(T1)接通达能够引起锁定转矩的通电时间tb。之后，断开MOSFET(T1)，直到重试周期ta已经过去为止。重复执行这种操作。当电机电流ID变得小于锁定电流的时候，将MOSFET(T1)返回到正常工作。因此，能够防止锁定电流的持续流动。
-
公开(公告)号：CN101652927B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200880011593.4
申请日：2008-04-10
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H03K17/08 , G05F1/10 , H03K17/687
CPC classification number: G05F1/573 , H02H7/228 , H03K17/0822 , H03K17/145 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种通过简单的构造就能够安全地保护负载电路免遭过电流的过电流保护装置。假设当半导体开关导通时的温度增加量是ΔTch，半导体开关的导通电阻值是Ron，而半导体开关的热阻值是Rth_f；当电流流经连接布线(WL)时该连接布线的温度增加量是ΔTw，连接布线的每单位长度的电阻值是Rw，而连接布线的每单位长度的热阻值是Rth_w；基于关于温度增加量ΔTw的表达式ΔTw/ΔTch＝Rth_w/Rth_f*Rw/Ron得到ΔTch，该温度增加量ΔTw不超过连接布线(WL)的容许温度的上限与工作外围温度的上限之间的差。基于关于ΔTch的表达式ΔTch＝Rth_f*Vds2/Ron得到电压Vds，并且将该得到的电压Vds设为确定电压。
-
公开(公告)号：CN102265501A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152850.0
申请日：2009-12-24
Applicant: 矢崎总业株式会社
IPC: H02P7/29
Abstract: 提供一种能够减少由于续流二极管的正向电压引起的能量损失的供电装置。在用于使设置在直流电源(VB)与电机(M1)之间的电子开关(T1)经受PWM控制从而驱动电机(M1)的负载电路中，MOSFET(T2)与电机(M1)并联设置。MOSFET(T2)所包括的寄生二极管(Dp)设置成其正向与负载电流(ID)的流动方向相反。在电子开关(T1)处于断开状态的一部分时段内，MOSFET(T2)接通，从而使流经电机(M1)的回流流经MOSFET(T2)。从而，与使用续流二极管的情况相比，能够显著减少能量损失。
-
公开(公告)号：CN1937343B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610139849.2
申请日：2006-09-21
Applicant: 矢崎总业株式会社
Inventor： 大岛俊藏
IPC: H02H3/08
CPC classification number: H03K17/18 , H03K17/0822 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明公开了一种用于检测负载电路中的过电流的过电流检测装置，配置该过电流检测装置，以利用设置在电池VB与负载1之间的半导体开关来驱动和关闭负载。通过将在半导体开关的两端产生的电压(V1-V2)与因为用于连接该半导体开关(FET1)和负载1的铜箔布线图形3的电感Lp而在电流发生变化时产生的电压(V3-V2)相加获得和电压(V1-V3)。设置了比较器CMP1，用于将和电压与事先设置的过电流确定电压(V1-V4)进行比较。在比较器CMP1检测到该和电压超过该过电流确定电压时，确定产生了过电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.032 seconds)
