带缓冲层的Tesla变压器磁芯及变压器和该磁芯制备方法

    公开(公告)号:CN107025985B

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201710178744.6

    申请日:2017-03-23

    Abstract: 本发明属于脉冲功率技术领域,公开了一种带有缓冲层的Tesla变压器磁芯及具有该磁芯的变压器及磁芯制备方法,包括外磁芯、与外磁芯同轴嵌套的内磁芯,还包括缓冲磁芯层,缓冲磁芯层为薄壁磁芯,其外壁紧贴外磁芯内表面,缓冲磁芯层中间段的外壁周向设有凹槽,凹槽用于放置变压器的初级线圈,凹槽的轴向长度大于变压器初级线圈的宽度,凹槽的深度大于变压器初级线圈的厚度。该带有缓冲层的Tesla变压器磁芯,在变压器内部解决了初级放电缓冲问题,且对初级并联放电回路各支路的放电缓冲效果完全一致,从而能够提高初级放电脉冲晶闸管工作可靠性,同时能防止变压器内部高电场耦合进初级回路。

    一种晶闸管瞬态导通压降测量电路

    公开(公告)号:CN106896258A

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201710203704.2

    申请日:2017-03-30

    CPC classification number: G01R19/10 G01R31/26

    Abstract: 本发明公开了一种晶闸管瞬态导通压降测量电路。该测量电路中,被测晶闸管S1和辅助晶闸管S2串联后接入主电路两端,作为主电路的放电控制开关;电容器C1和电阻器R1并联后与电感器L1串联,电感器L1另一端接正并二极管D1负极,正并二极管D1正极接被测晶闸管S1阳极,电容器C1和电阻器R1并联电路的另一端接被测晶闸管S1阴极;反并二极管D2正极接被测晶闸管S1阴极,反并二极管D2负极接被测晶闸管S1正极;示波器测量被测晶闸管S1两端电压。该测量电路能单独精确测量得到被测晶闸管瞬态导通压降,并能适应较宽的晶闸管工作电压范围。

    一种用于高压气液腔体的高低温密封结构

    公开(公告)号:CN102734463A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210218674.X

    申请日:2012-06-29

    Abstract: 本发明提出了一种用于高压气液腔体的高低温密封结构,属于机械密封技术领域。该结构中的气液腔体隔板2将金属外筒体1内腔分割为一个高压气体腔和一个低压液体腔;气液腔体隔板2靠近高压气体腔的端部有一环形凹槽;内安装有气体腔O型硅矽橡胶密封圈3;气液腔体隔板2靠近低压液体腔的端部有一环形凹槽,内安装有液体腔O型丁氰橡胶密封圈4。本发明提出的密封结构,已经在气液筒体装置中得到了实例应用,也可推广应用至同类密封需求的结构中。具有简单、可靠、操作性强的特点,并得到-40℃~+50℃温度范围内的多次循环高低温考核验证,同时也解决了高压气腔高低温密封的技术难题。

    重复频率快脉冲硬X射线发生器

    公开(公告)号:CN101042976A

    公开(公告)日:2007-09-26

    申请号:CN200710017567.X

    申请日:2007-03-27

    Abstract: 一种重复频率快脉冲硬X射线发生器,本发明的二极管是由固定支撑筒和滑动支撑筒部分套接构成,其间用波纹管密封连接,并在套接部位轴向设有槽轨,外部再套有旋转外筒,能带动滑动支撑筒沿槽轨运动;在腔内轴线上设有阴极连杆,其前端为阴极靶;在二极管腔内固定设有锥形密封圈将腔体分为前真空室和后油腔;在二极管前外端固定装有阳极组件。本发明将二极管设计成活动的结构,解决了电源的稳定性、二极管真空密封、动定支撑的同轴度、在线灵活调节等技术难题;在不破坏真空前提下,实现了灵活调整纵横比,建立了电流测量探头;具有结构灵活、可重复频率或单次运行,以及脉冲宽度、强度、能谱连续可调的优点,弥补了现有技术不足,为新型快响应探测器的研制应用、建立快脉冲硬X射线计量标准、二极管物理机制研究和脉冲射线动态成像技术提供了理想的辐射场。

    一种晶闸管瞬态导通压降测量电路

    公开(公告)号:CN206906466U

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201720325287.4

    申请日:2017-03-30

    Abstract: 本实用新型公开了一种晶闸管瞬态导通压降测量电路。该测量电路中,被测晶闸管S1和辅助晶闸管S2串联后接入主电路两端,作为主电路的放电控制开关;电容器C1和电阻器R1并联后与电感器L1串联,电感器L1另一端接正并二极管D1负极,正并二极管D1正极接被测晶闸管S1阳极,电容器C1和电阻器R1并联电路的另一端接被测晶闸管S1阴极;反并二极管D2正极接被测晶闸管S1阴极,反并二极管D2负极接被测晶闸管S1正极;示波器测量被测晶闸管S1两端电压。该测量电路能单独精确测量得到被测晶闸管瞬态导通压降,并能适应较宽的晶闸管工作电压范围。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置

    公开(公告)号:CN205304753U

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201520953601.4

    申请日:2015-11-25

    Abstract: 本实用新型涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置,脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线,多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关,各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通;工作时,半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通,每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量,本实用新型基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。

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