等离子体工序监控装置及包括其的等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN110504150B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN201910387865.0

    申请日:2019-05-10

    Inventor: 尹日求

    Abstract: 本发明的等离子体工序监控装置包括选择区域透光部及监控部。选择区域透光部以与形成于腔室的视口相向的方式配置,设置有用于选择性地阻隔通过视口发射的等离子光的多个选择性遮光部。监控部通过接收透过多个选择性遮光部中的至少一个的等离子光,来获取等离子光的信息,通过等离子光的信息,来监控形成于腔室内的等离子体的均匀度。等离子体处理装置包括腔室、视口、选择区域透光部以及监控部。腔室用于执行利用等离子体的工序。视口设置于腔室。选择区域透光部以与视口相向的方式配置,设置有用于选择性地阻隔通过视口发射的等离子光的多个选择性遮光部。监控部获取等离子光的信息,监控形成于腔室内的等离子体的均匀度。

    半导体存储器装置
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106469567B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201610576170.3

    申请日:2016-07-20

    Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:存储器单元;感测电路,通过第一位线以及与第一位线不同的第二位线连接到存储器单元,感测电路被构造为感测存储在存储器单元中的数据;以及位线电压控制电路,通过第一位线和第二位线连接到存储器单元,位线电压控制电路被构造为将第一位线预充电到小于电源电压的第一电压并且将第二位线预充电到小于电源电压且与第一电压不同的第二电压。

    制造图案化的柔性电极的方法
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113130133A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110050665.3

    申请日:2021-01-14

    Abstract: 本发明涉及一种制造图案化的柔性电极的方法,更详细地,本发明的制造方法包括:纳米线形成步骤,在从收卷状态解开的第一薄片上涂布含有金属纳米线的第一分散液,以形成纳米线网格;纤维形成步骤,将含有金属纳米颗粒的第二分散液进行静电纺丝到所述纳米线网格上,以形成纳米线网格中混入金属纳米颗粒聚集而成的金属性纤维(fiber)的纤维‑纳米线网格;以及烧结步骤,对所述纤维‑纳米线网格进行光子烧结,以形成导电性网格,并且进行图案化步骤,其中,在所述烧结步骤前对纤维‑纳米线网格进行图案化,或者在所述烧结步骤后对导电性网格进行图案化。

    分布式存储系统的存储节点及其操作方法

    公开(公告)号:CN112711377A

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN202010881403.7

    申请日:2020-08-27

    Inventor: 高晟准 郑溟隨

    Abstract: 本申请提供一种分布式存储系统的存储节点及其操作方法。一种存储器控制器可以包括:数据控制器,被配置成接收来自主机的写入请求和与该写入请求相对应的写入数据,并且被配置成基于写入请求中包括的块组类型信息,确定待存储写入数据的存储块的物理地址;存储器控制组件,被配置成将用于指示存储块存储写入数据的编码命令、物理地址和写入数据提供到存储器装置,其中块组类型信息是关于写入数据指示数据块组的类型还是编码块组的类型的信息,数据块组和编码块组是由主机对原始数据执行擦除编码操作生成的。

    控制器及其操作方法
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112486850A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202010956014.6

    申请日:2020-09-11

    Abstract: 本公开涉及一种控制非易失性存储器设备的控制器,该控制器可以包括:第一存储器,被配置为临时存储用户数据;第二存储器,包括多个存储器区域,该多个存储器区域包括用于存储元数据的至少一个元区域以及至少一个备用区域;以及处理器,被配置为控制第一存储器和第二存储器,并且使用至少一个备用区域作为间隔来对至少一个元区域执行第一起始间隔损耗均衡。

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