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公开(公告)号：CN116036338A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211682882.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司 , 圆融光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种空气杀菌装置，涉及空气杀菌技术领域，包括外壳，还包括用于辐射紫外线的紫外光源组件和通过反射面形状、距离及紫外光源辐射角度设置从而将紫外线的能量进行倍增并束缚在组件内部的紫外线束缚倍增组件；所述外壳用于固定所述紫外光源组件和紫外线束缚倍增组件，所述外壳上设置有用于空气流通的进气口和出气口。本发明提供的空气杀菌装置，结构简单，杀菌效率高，将紫外线限制在反射面之间，无紫外泄露，不会对设备备件及材料造成损害或对人体造成紫外线伤害，可广泛用于空调、空气净化器、车载空调以及居家、工厂、学校、商超等进风或空气循环系统。
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公开(公告)号：CN112413430B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202011293015.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及灯具技术领域，且公开了一种分体式铝合金散热灯，包括LED灯本体，LED灯本体的外壁固定套接有连接筒，连接筒的外壁活动套接有导热套，连接筒的内壁活动连接有内环，内环的上表面固定连接有限位盖，限位盖的下表面与导热套的上表面固定连接，内环的内壁固定连接有两个对称分布的限位机构，连接筒的内壁开设有与限位机构连接端相配合的插孔，限位盖的上表面开设有两个与限位机构顶端相配合的矩形移动孔。本发明使LED灯具带有主动散热功能，提高了LED灯具的散热效果，提高了LED灯的使用可靠性和工作寿命，以及通过分体式结构能够有效提高LED灯具外壳拆装的便捷性，同时提高了LED灯具维护的便捷性和效率。
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公开(公告)号：CN114195220A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111637821.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司
IPC: C02F1/32
Abstract: 本发明公开了一种过流式杀菌消毒装置，包括外壳，所述外壳上下两端贯穿螺纹安装有快插接口，且快插接口的端部固定有弹性卡扣，并且弹性卡扣与快插接口内部之间设置有第一密封圈，而且弹性卡扣与快插接口之间安装有环形垫；还包括：电路板，所述电路板呈环形位置分布嵌入式安装在外壳内壁上，且电路板上固定有紫外线灯珠，所述外壳内固定有透明内筒，且透明内筒上下两端的外侧与外壳的内壁之间安装有双密封圈；反射单元，所述反射单元设置于透明内筒的内壁上，所述上顶面的左右两侧分别设置有左斜面和右斜面。该过流式杀菌消毒装置，可以对流体进行螺旋导流，实现流体的小阻碍长流通，同时对流体进行分散和全角度杀菌。
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公开(公告)号：CN113421953A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110707101.2
申请日：2021-06-24
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种深紫外发光二极管及其制作方法，涉及LED技术领域。其中，深紫外发光二极管包括：层叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层、第二电流扩展层、键合金属层以及衬底，与有源层同层设置在第一半导体层上的第一电流扩展层，形成在第一电流扩展层上的第一绝缘保护层，贯穿第一半导体层并与第一电流扩展层电连接的第一电极，与第二电流扩展层电连接的第二电极。深紫外发光二极管的制作方法则包括：依次层积第一半导体层、有源层和第二半导体层；在未被有源层覆盖的第一半导体层上层积第一电流扩展层；在第二半导体层上层积第二电流扩展层；对第一电流扩展层或第二电流扩展层进行高温退火。如此，可避免高温退火影响金属键合效果。
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公开(公告)号：CN108693456B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201810320694.5
申请日：2018-04-09
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆芯片测试方法。包括如下步骤：对第一晶圆芯片进行全比例测试，得到第一测试数据；其中，第一晶圆芯片位于未经减薄和切割的晶圆上，晶圆能切割成多个第一晶圆芯片；对第二晶圆芯片进行全比例测试，得到第二测试数据；其中，第二晶圆芯片为对第一晶圆芯片减薄和切割后所得到的；对相对应的第一晶圆芯片的第一测试数据和第二晶圆芯片的第二测试数据进行合档处理，得到第三测试数据。本发明提供的晶圆芯片测试方法，第三测试数据中的电学数据源自第二测试数据中第二电学数据，可以真实表征晶圆切割后的良率状况；第三测试数据中的光学数据源自第一测试数据中的第一光学数据，解决了晶圆芯片无法侦测芯片真实光学参数的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111690907A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910197927.1
申请日：2019-03-15
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化铝膜及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：1)向反应室通入三甲基铝、氨气以及含有X元素的化合物，在衬底层上生成第一(AlXn)N缓冲层；2)对第一(AlXn)N缓冲层进行退火处理，得到(AlXn)N晶核；3)向反应室通入三甲基铝、氨气以及含有X元素的化合物，Q个(AlXn)N晶核形成第二(AlXn)N缓冲层且生成(AlXm)N层；第二(AlXn)N缓冲层和(AlXm)N层的集合为氮化铝膜；X元素选自镓、铟、铊、硅、锗、锡、铅中的一种或多种。该制备方法能够减少氮化铝膜的表面裂纹，从而获得低位错密度，高晶格质量且无裂纹的氮化铝膜材料。
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公开(公告)号：CN111029444A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911310748.0
申请日：2019-12-18
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED外延结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在量子垒层GaN表面依次生长InxGa1-xN第一量子阱层InxGa1-xN、第二量子阱层InyGa1-yN以及第三量子阱层InzGa1-zN，得到量子阱结构；其中，所述第一量子阱层InxGa1-xN、第三量子阱层InzGa1-zN中的In含量低于所述第二量子阱层InyGa1-yN中的In含量，0＜x、y、z＜1。该制备方法通过对量子阱发光层的生长进行控制，能够有效降低由于InN与GaN晶格适配过大产生的压电场效应而对LED出光效率产生的消极影响。
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公开(公告)号：CN110931615A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911316119.9
申请日：2019-12-19
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种深紫外LED外延结构及其制备方法，该深紫外LED外延结构包括衬底层以及功能层；所述功能层设置在所述衬底层的上表面，所述衬底层的下表面为朝向远离所述功能层的方向凸出的弧形面。该外延结构有助于提高深紫外光出光几率，从而改善深紫外LED的发光效率，延长深紫外LED的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110759420A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911072976.9
申请日：2019-11-05
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司
IPC: C02F1/32
Abstract: 本发明提供一种流动水杀菌装置，包括：金属外壳、发光杀菌模组和隔水管体；所述金属外壳上开有进水口和出水口，所述隔水管体内嵌于所述金属外壳内部，且所述隔水管体连通于所述进水口和出水口，所述发光杀菌模组位于所述隔水管体和所述金属外壳之间，且所述发光杀菌模组安装于所述金属外壳的内壁上。本发明提供一种流动水杀菌装置，发光杀菌模组的温度快速降低，利于延长发光杀菌模组的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108389951A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810153617.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 马鞍山杰生半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种深紫外LED封装结构及其制作方法，封装结构包括：深紫外LED芯片和具有开口向上的下凹空腔的支架，空腔的内底壁上包括附着第一金属层的第一涂覆区和第二金属层的第二涂覆区，第一涂覆区和第二涂覆区间隔设置且电学相异，深紫外LED芯片跨设在第一金属层和第二金属层之间；减反层，减反层附着在深紫外LED芯片表面；透光绝缘层，透光绝缘层附着于第一金属层和第二金属层的外表面中未与深紫外LED芯片接触的区域；透光盖板，透光盖板覆盖在支架的开口处。该深紫外LED封装结构可改善高温下金属材料因裸露而造成氧化、腐蚀现象的发生，并且改善了LED芯片发光面因材料界面折射率差异大而导致的全反射现象。
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