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公开(公告)号：CN117956305A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311396911.6
申请日：2023-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
IPC: H04N25/533 , H04N25/51 , H04N23/67
Abstract: 一种图像传感器包括：第一像素组；第二像素组，排列在与第一像素组相同的列或相同的行中的至少一个中；第一模数转换器和第二模数转换器，分别与第一像素组和第二像素组相对应，并且被配置为处理从第一像素组和第二像素组输出的像素信号；以及开关电路，被配置为选择性地将从第一像素组输出的第一像素信号和从第二像素组输出的第二像素信号传输到第一模数转换器或第二模数转换器。在第一模数转换器连接到第一像素组以处理第一像素信号的同时，第二模数转换器连接到第二像素组以处理第二像素信号。因此，可以更有效地获得AF信息。
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公开(公告)号：CN117915214A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311074212.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/77 , H01L27/146 , H04N25/771
Abstract: 示例实施例提供一种图像传感器，该图像传感器包括：像素阵列，其包括第一浮置扩散部和第二浮置扩散部，第一浮置扩散部和第二浮置扩散部被配置为存储由在第一方向上彼此相邻并由一个微透镜覆盖的第一相位检测像素和第二相位检测像素产生的电荷，并且该像素阵列被配置为输出基于由第一相位检测像素产生以累积在第一浮置扩散部和第二浮置扩散部中的电荷的第一信号；以及行驱动器，其被配置为在像素阵列输出第一信号之后，将升压控制信号施加到第二浮置扩散部，以将存储在第二浮置扩散部中的电荷转移至第一浮置扩散部。
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公开(公告)号：CN117459843A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310919527.3
申请日：2023-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
IPC: H04N25/706 , H04N25/59
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括布置在第一行中并配置为响应于第一曝光而产生第一电荷的多个第一像素、以及布置在不同于第一行的第二行中并配置为响应于第二曝光而产生第二电荷的多个第二像素。所述多个第一像素中的至少一个像素包括：光电二极管；第一浮置扩散区；第一转移晶体管，当在水平方向上观察时，第一转移晶体管的栅电极与第一浮置扩散区部分重叠；与第一浮置扩散区间隔开的第二浮置扩散区，第二浮置扩散区的一端连接到驱动晶体管的栅极；以及第二转移晶体管，将第一浮置扩散区电连接到第二浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN117412195A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310848090.9
申请日：2023-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
IPC: H04N25/77 , H04N25/766 , H04N25/76
Abstract: 一种图像传感器，包括：像素阵列，包括自动聚焦(AF)像素和AF邻近像素，AF邻近像素与AF像素邻近并且被配置为与AF像素共享浮动扩散区；以及行驱动器，被配置为控制像素阵列，其中，包括在AF像素中的光电二极管的第一端连接到第一传输晶体管，并且包括在AF像素中的光电二极管的第二端通过第一信号线连接到地，以及其中，包括在AF邻近像素中的光电二极管的第一端连接到第二传输晶体管，并且包括在AF邻近像素中的光电二极管的第二端通过第二信号线连接到行驱动器。
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公开(公告)号：CN116564982A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310093888.7
申请日：2023-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 公开了图像传感器及其驱动方法。所述图像传感器包括：光电二极管，基于入射光产生电荷；第一浮置扩散区，存储由光电二极管产生的电荷；第一升压电容器，与第一浮置扩散区连接；第二浮置扩散区，设置为与第一浮置扩散区间隔开，并且包括与驱动晶体管的栅极连接的第一端；传输晶体管，响应于传输信号将光电二极管与第一浮置扩散区电连接；以及浮置扩散区晶体管，响应于浮置控制信号将第一浮置扩散区与第二浮置扩散区电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116170705A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211484436.3
申请日：2022-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/673 , H04N25/77
Abstract: 提供了一种图像传感器及由其执行的方法。所述图像传感器包括像素，所述像素包括第一浮置扩散部和第二浮置扩散部，所述像素基于所述第一浮置扩散部的电荷量生成第一像素信号，并且基于所述第一浮置扩散部的所述电荷量和所述第二浮置扩散部的电荷量生成第二像素信号；列线，所述列线连接到所述像素并且传输所述第一像素信号或所述第二像素信号；以及读出电路，所述读出电路连接到所述列线并且基于多个比较结果生成图像信号，所述多个比较结果包括通过将所述第一像素信号与第一参考信号比较获得的第一比较结果、通过将所述第二像素信号与第一参考信号比较获得的第二比较结果、以及通过将所述第二像素信号与第二参考信号比较获得的第三比较结果。
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公开(公告)号：CN110035241B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201811451035.1
申请日：2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种图像传感器。一种图像传感器包括：光电转换单元，被配置为接收光以产生电荷并将所述电荷提供给第一节点；转移晶体管，被配置为响应于第一信号而将第一节点的电压电平提供给浮置扩散节点；升压器，被配置为响应于第二信号而增大浮置扩散节点的电压电平；源极跟随器晶体管，被配置为将浮置扩散节点的电压电平提供给第二节点；选择晶体管，被配置为响应于第三信号而将第二节点的电压电平提供给像素输出端。在选择晶体管被导通之后，升压器被启用，并且在转移晶体管被导通之前，升压器被禁用。
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公开(公告)号：CN115440755A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210608318.2
申请日：2022-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：布置在基板中的光电二极管；有源柱，连接到光电二极管并在垂直于基板的底表面的垂直方向上延伸；在垂直方向上堆叠的至少两个晶体管，其中有源柱的部分是所述至少两个晶体管的沟道区；浮置扩散(FD)区，设置在作为所述至少两个晶体管之一的转移晶体管下方，其中FD区被配置为通过转移晶体管和有源柱的所述部分从光电二极管接收电荷；以及设置在基板的顶表面上的透光层。
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公开(公告)号：CN115225836A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210282446.2
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：具有多个像素的像素阵列；行驱动器，向像素阵列提供升压信号；以及读出电路，被配置为读出从由行驱动器选择的行线的像素输出的像素信号。多个像素中的每一个包括：第一光电二极管；传输晶体管，连接到第一光电二极管；第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点，所述第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点和第三浮动扩散节点连接到传输晶体管以累积由第一光电二极管产生的电荷；LCG电容器，连接到第三浮动扩散节点以累积由第一光电二极管产生的电荷；MCG晶体管，连接在第一浮动扩散节点与第二浮动扩散节点之间；以及LCG晶体管，连接到第三浮动扩散节点。
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公开(公告)号：CN115117103A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210285566.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括包含彼此相反的第一表面和第二表面的半导体基板。半导体图案设置在半导体基板的第一表面上，并且其在垂直于第一表面的第一方向上延伸。掩埋传输栅电极设置在从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板的内部的传输栅极沟槽中。第一栅电极至少部分地围绕半导体图案的侧壁并具有环形的水平截面。滤色器设置在半导体基板的第二表面上。
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