公开(公告)号：CN103311121B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210434810.9

申请日：2012-11-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤井秀纪

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及纵型沟槽IGBT及其制造方法，提高纵型沟槽IGBT的RBSOA耐受性。在n－型Si基板1）上形成p型体层（3）。形成贯通p型体层（3）的沟槽，在沟槽内隔着栅极绝缘膜（5）形成沟槽栅极（4）。在p型体层（3）上形成包含n型杂质的多晶硅膜（16）。使n型杂质从多晶硅膜（16）向p型体层3）扩散，在p型体层（3）上形成n型发射极层（6）。在n－型Si基板（1）的下表面形成p型集电极层13）。

公开(公告)号：CN101640222B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200910137163.3

申请日：2009-05-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤井秀纪

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611

Abstract: PIN二极管具备n-漂移层(6)、p阳极层(8)、n缓冲层(12)、n+层(16)、表面电极(14)和背面电极(18)。n+层(16)的杂质浓度具有台阶形分布，从第二主表面到规定深度大致一定。n缓冲层(12)的杂质浓度从n+层(16)到n-漂移层(6)缓慢地减少。n-漂移层(6)的杂质浓度反映半导体衬底的杂质浓度，相对于深度方向大致一定。p阳极层(8)的杂质浓度从第一主表面到n-漂移层(6)比较急剧地减小。从而，获得按照所适用的产品得到高精度的所希望的特性的半导体装置。