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公开(公告)号：CN113871465A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110994689.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种金刚石场效应晶体管及制备方法，属于金刚石场效应晶体管器件技术领域，金刚石场效应晶体管包括金刚石衬底、氢终端、欧姆接触金属层、介质层、h‑BN介质层和栅金属层，晶体管制备方法包括在金刚石衬底上形成氢终端‑在氢终端金刚石上形成欧姆接触金属层‑在欧姆接触金属层上和氢终端上形成介质层‑在介质层上形成刻蚀槽‑在介质层上和刻蚀槽内形成h‑BN介质层‑在h‑BN介质层与刻蚀槽对应的区域设置有栅金属槽‑在栅金属槽内和与栅金属槽相邻的h‑BN介质层上形成栅金属层。本发明提供的金刚石场效应晶体管及制备方法，具有降低金刚石场效应晶体管的界面态密度，提升器件的直流和射频性能的技术效果。
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公开(公告)号：CN111547711B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010343552.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在碳化硅基底上进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源，在1500‑1700℃和910‑990mbar下生长10‑45min，得碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，其中，相邻两层石墨烯之间形成了30°的扭曲夹角。本发明提供的在SiC衬底上生长石墨烯材料的方法，有助于制备表面均匀平坦、晶体质量高、电学特性优良的碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，且具有无需衬底转移、易与Si基半导体工艺相结合的优点。
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公开(公告)号：CN112309846A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011032709.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体晶体管技术领域，具体公开一种二维材料场效应晶体管的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在绝缘衬底上生长或转移二维材料层；在所述二维材料层表面依次蒸镀第一金属层和第二金属层；旋涂台面胶，光刻显影，腐蚀台面外金属；去除台面胶，旋涂电极光刻胶，光刻显影，蒸镀源漏电极并剥离；旋涂电子束光刻胶，曝光并显影，得到沟道图形，腐蚀第二金属层得栅槽，并清洗；使栅槽处第一金属层自氧化得到栅介质，蒸发栅金属并剥离。本发明提供的制备方法只腐蚀沟道处的第二金属层，使第一金属层自氧化形成栅介质，沟道处的二维材料不接触任何溶液避免污染问题出现，得到超洁净的二维材料场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN109273354B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811045165.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/04 , H01L29/417 , H01L29/45
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石器件及其制备方法。所述制备方法包括：在金刚石的源电极区和漏电极区沉积石墨烯催化层；将沉积石墨烯催化层的金刚石进行退火处理，在所述金刚石中的源电极区和漏电极区形成石墨烯层；在所述石墨烯层与源电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触源电极，在所述石墨烯层与漏电极区对应区域的上表面沉积金属层形成欧姆接触漏电极。本发明能够降低金刚石器件的源极和漏极的欧姆接触电阻，提高金刚石器件的频率性能，进而也提高了金刚石器件的性能。
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公开(公告)号：CN112174121A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011034039.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在金属衬底表面生长石墨烯层；采用电子束蒸发法在石墨烯层上形成可与石墨烯形成低范德华力结合的金属层；在所述金属层上形成光刻胶层；将含胶软膜粘附在所述光刻胶层表面，剥离所述金属层和光刻胶层。本发明提供的制备大尺寸清洁石墨烯的方法，无需特殊控制操作环境的，独创性地利用材料界面间的范德华力的差异，实现了大尺寸石墨烯表面无定形碳的剥离，将石墨烯表面处理至原子级的洁净，对于扩大石墨烯在光电领域的应用具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110395727B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910695721.1
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于色心金刚石制备技术领域，提供了一种色心金刚石制备方法及色心金刚石，该方法包括：沿长方体状的金刚石的最短边的长度方向对长方体状的金刚石的任意一个最短边进行切削，形成凹弧形切削面；对切削后的金刚石进行处理产生色心；在产生色心的金刚石除凹弧形切削面外的其他面上均镀上复合膜；其中，复合膜包括高反射率镀层。激光由凹弧形切削面入射，提高了激光的光程。同时复合膜具有高反射率，可以避免激光和荧光被折射出金刚石，提高了荧光的收集率及激光的激发效率。
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公开(公告)号：CN110676311A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910841413.5
申请日：2019-09-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明适用于半导体晶体管制备技术领域，提供了一种柔性晶体管的制备方法，包括：将获取的六方氮化硼h-BN薄膜转移至预设衬底表面；在所述h-BN薄膜上制作导电沟道、源漏电极、栅介质层以及栅电极，获得晶体管样品；在所述晶体管样品上旋涂柔性衬底溶液并经过干燥处理，获得在所述晶体管样品上形成的柔性膜；将所述晶体管样品与所述柔性膜从所述预设衬底上剥离，获得柔性晶体管。本发明中的柔性晶体管的制备方法，避免了直接在柔性衬底上制备晶体管具有对准偏差且性能退化的问题，同时采用柔性膜包覆晶体管样品，解决了柔性晶体管在弯折过程中电极易脱落的问题。
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公开(公告)号：CN107910377B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201711118404.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域，石墨烯晶体管包括衬底，衬底的上表面设有石墨烯PN结，石墨烯PN结两侧设有源、漏接触电极；石墨烯PN结的P区或N区设有与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。该方法包括在在衬底上制作石墨烯PN结；在石墨烯PN结两侧制作源、漏接触电极；在石墨烯PN结上制作与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。本发明利用石墨烯PN结中的载流子通过PN结的几率与PN结的夹角相关特性，在石墨烯PN结的P区或N区制作与PN结成45°夹角的栅极，使载流子通过具有45°夹角的两个PN结时被完全反射，从而实现石墨烯晶体管的自由开关。
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公开(公告)号：CN107393815B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710792114.8
申请日：2017-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，涉及半导体技术领域。该方法包括：在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层；在所述金刚石层上制作有源区台面；在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极；在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层；光照所述光催化剂介质层；在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极。本发明能够降低器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107161988B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710357233.0
申请日：2017-05-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备纳米晶石墨烯的方法，属于半导体材料制备领域。本发明包括以下步骤：将蓝宝石衬底放入石墨烯PECVD等离子体设备内，抽真空，充入惰性气体至目标压力；加热蓝宝石衬底到目标温度；蓝宝石衬底在氢气气氛下预处理；设定PECVD等离子体的源功率至目标功率，设定腔体压力到目标压力，设定氢气气体流量至目标流量，开启PECVD等离子体电源，形成等离子体；通入碳源，设定碳源流量至目标流量，设定生长时间，生长石墨烯；关闭碳源，关闭PECVD等离子体，生长结束，降温至室温。该方法制备的石墨烯材料无需转移，且降低了晶圆级石墨烯的制备成本，对石墨烯基础研究和器件研究具有重要意义。
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