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公开(公告)号：CN106653838B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510740432.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/32 , H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹光源器件及其制作方法。所述器件包括主要由第一、第二半导体组成的异质结以及与所述异质结连接的电极，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，并且所述异质结内分布有二维电子气；所述第二半导体表面还分布有复数基于V型坑的孔结构，所述基于V型坑的孔结构与分布于所述异质结中的相应穿透位错相连接。本发明通过在太赫兹光源器件的外延生长过程中故意引入基于V型坑的孔结构，极为有利于纵向栅极注入电流激发技术方案的实现，可以避免背景黑体辐射带来的噪音问题，同时还能大幅提高能量转化效率和输入电功率，以及大幅提高太赫兹辐射功率和辐射效率。
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公开(公告)号：CN108305918A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710022586.5
申请日：2017-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为 面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。本申请的氮化物半导体发光器件，特别是III-V族氮化物半导体激光器或超辐射发光二极管具有电阻低、内损耗低、阈值电流小、热阻小、稳定性和可靠性好等优点，同时其制备工艺简单易实施。
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公开(公告)号：CN106033724A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510102490.0
申请日：2015-03-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/66431 , H01L29/42356 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构，其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上；在第一半导体层上形成兼作钝化层的掩膜层；对掩膜层的栅极区进行刻蚀，至暴露出第一半导体层；在所述掩膜层的栅极区内生长p型层，所述p型层与第一半导体层组成PN结；在所述p型层上设置p型栅，且使所述p型栅与p型层之间形成欧姆接触。本发明工艺极大降低了p型栅技术的实施难度，并有效解决增强型HEMT器件的可靠性问题，以及有效抑制电流崩塌效应，从而大幅提升HEMT器件的工作性能，实现真正意义上的增强型HEMT。
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公开(公告)号：CN105990106A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510076931.4
申请日：2015-02-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/205 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为AlxInyGa1‑x‑yN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0
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公开(公告)号：CN119766210A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411799794.2
申请日：2024-12-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H03K5/24 , H03K17/04 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种比较器电路、具有不同阈值电压耗尽型器件及其制作方法。兼具高开关速度、高电压比较范围、高精度的比较器电路包括：第一耗尽型HEMT、第二耗尽型HEMT、第三耗尽型HEMT、第一增强型HEMT和第二增强型HEMT，所述第一耗尽型HEMT和所述第三耗尽型HEMT的阈值电压相等且大于所述第二耗尽型HEMT的阈值电压，所述第一增强型HEMT和第二增强型HEMT的阈值电压相同。本发明实现的包含高低阈值电压耗尽型器件的比较器电路具有兼顾高开关速度和高电压比较范围和精度的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119403141A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202310920015.9
申请日：2023-07-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种异质结双极型晶体管及其制备方法。异质结双极型晶体管包括半导体外延结构以及基极、发射极和集电极，所述半导体外延结构包括沿第一方向依次层叠设置的集电区、基区和发射区，所述基极与所述基区电连接，所述发射极与所述发射区电连接，所述集电极与所述集电区电连接，所述基区包括第一基区和第二基区，所述第一基区层叠设置在所述集电区上，所述第二基区和所述发射区设置在所述第一基区上，所述基极设置在所述第二基区上，其中，所述第二基区与所述第一基区的掺杂类型相同，且所述第二基区的掺杂浓度大于所述第一基区的掺杂浓度。本发明提通过二次外延形成的基区降低了p型基区的欧姆接触电阻。
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公开(公告)号：CN119401212A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510001160.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及一种多波长激光封装器件和检测设备，该多波长激光封装器件包括：自下而上依次设置的基板、围坝以及透光材料；多波长激光封装器件还包括：反射构件和多颗激光芯片；反射构件的中心设置在围坝形成的腔体底部中心，各激光芯片对称设置在反射构件的两侧；多颗激光芯片用于发出至少一种波长的激光照射到反射构件的入射点；反射构件用于对各激光芯片发出的激光进行反射，通过透光材料发射向外界，并在距离芯片预设固定距离处汇聚。通过集成多颗激光芯片发出的不同波长激光经由反射构件在固定距离汇聚，实现多波长激光的同时检测，有利于便携化设计。
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公开(公告)号：CN108417627B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201810140968.2
申请日：2018-02-11
Applicant: 江西省纳米技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及材料领域技术领域，具体为一种用于制备GaN基高频微波器件的方法，步骤包括：(1)在衬底材料上，自下而上依次外延生长成核层、应力控制层、缓冲层；(2)在所述缓冲层上生长高Al组分异质结，包括第一半导体层GaN沟道层，第二半导体层高Al组分势垒层，在势垒层生长过程中，通入TMIn，用于增强Al原子的横向迁移；(3)在所述高Al组分势垒层上生长GaN帽层；(4)源、漏欧姆接触制备；(5)栅极制备；(6)钝化层沉积；以及(7)有源区隔离。本发明方法能有效提高异质结中的组分均匀性并改善应力场分布，大幅提高异质结晶体质量，最终提升高频微波器件性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN117727777A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311744331.1
申请日：2023-12-18
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种肖特基结的特性调控方法、结构及其应用。所述特性调控方法包括：使金属电极与宽禁带半导体形成肖特基接触，该金属电极用于与宽禁带半导体接触的表面具有第一、第二区域，第一、第二区域分别由第一、第二金属形成，第二区域环绕第一区域设置，第二金属的功函数低于第一金属的功函数；以金属电极为掩膜对宽禁带半导体进行刻蚀形成台面结构；至少在台面结构的侧壁上制作场板结构；通过调整第一、第二金属中任一者的种类和/或任一者与宽禁带半导体的接触面积在金属电极与宽禁带半导体的接触面积中的占比，实现对肖特基结特性的调控。本申请可实现较大范围内的肖特基势垒高度的精细调控，同时提升关态特性，综合提高器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN116525725A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210066098.5
申请日：2022-01-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用。所述的方法包括：在p型III族氮化物材料生长过程中和/或生长完成后，使所述p型III族氮化物材料与卤素基活性原子和/或卤素基活性基团接触反应，以移除所述p型III族氮化物材料中的部分III族原子，从而在所述p型III族氮化物材料中产生阳离子空位；以及激活包含有所述阳离子空位的p型III族氮化物材料中的受主杂质。本发明提供的一种提高AlGaN半导体材料空穴浓度的方法，突破了传统p型AlGaN材料面临的受主型Mg原子并入效率低、自补偿效应严重等局限，可利用III族阳离子空位来大幅增加处于III族原子晶格位点的Mg受主型杂质浓度、从而显著提高p型AlGaN材料中的空穴浓度。
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