-
公开(公告)号：CN111223955A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
-
公开(公告)号：CN107508142B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710804830.3
申请日：2017-09-07
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/125
Abstract: 本发明提供了一种非平行反射镜构成的光学谐振腔和产生光谐振的方法，所述光学谐振腔包括：顶部反射镜和底部反射镜，所述顶部反射镜和所述底部反射镜之间形成腔体，所述腔体内填充介质；所述顶部反射镜包括相对设置的两块平面反射镜，所述两块平面反射镜相对于所述底部反射镜具有相同倾角；所述底部反射镜为平面反射镜。本发明通过使谐振腔具有倾斜的顶部反射镜，使得垂直于底部反射镜的入射光束在谐振腔内行进过程中自再现时光程增加，与平行平面谐振腔具有不同的谐振条件，可获得较小的线宽和较大的Q值，并且将光场能量有效地控制在一定的区域内，减小了衍射损耗。
-
公开(公告)号：CN108535801A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810240360.7
申请日：2018-03-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B5/28
Abstract: 本发明实施例提供了一种光学滤波器，包括：第一反射镜，以及至少包含一第二反射镜的法布里-珀罗谐振腔，第一反射镜的反射率大于第一预设值；第二反射镜的中心波长位于第一反射镜的反射谱中以预设波长为中心的第一预设波长范围内；第一反射镜设置在法布里-珀罗谐振腔内，在第一反射镜的两侧分别设置有光学优化层，光学优化层用于使光学滤波器在反射光谱区内包含预设波长的第二预设波长范围内的反射率小于第二预设值。本发明实施例提供的一种光学滤波器，通过在第一反射镜外嵌套一低Q值法布里-珀罗谐振腔，在第一反射镜的两侧分别设置有光学优化层，可以将一定波长范围内的光通过反射镜的反射和透射分为两部分，实现不同波长的光的分离。
-
公开(公告)号：CN104016294B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310066230.3
申请日：2013-03-01
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103378209B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210147762.5
申请日：2012-05-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法，涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减反射膜；所述衬底采用Si、InP或者GaAs；所述介质膜层为垂直多腔结构。所述混合集成光探测器及其制备方法，采用Si、InP或者GaAs作为衬底，有利于与其他有源或无源光器件进行集成；采用InGaAs光电二极管与介质膜型滤波器键合在一起，使所述混合集成光探测器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应，提高了通带效果，可用于信道间隔为100GHz的密集波分复用接收的应用，降低了通信成本。
-
公开(公告)号：CN104008960A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201310057279.2
申请日：2013-02-22
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0062 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形衬底的异变外延生长方法，在衬底上，或在已沉积特定异变外延层的虚拟衬底上形成纳米小球的单层排布，并控制纳米小球间隙的大小；将纳米小球间隙连在一起，形成纳米尺度图形；以纳米小球为掩膜，在纳米小球间隙内沉积外延层材料，并与衬底或虚拟衬底紧密结合，增大外延层材料的沉积厚度，使外延层材料高出纳米小球，外延层材料横向生长并合并，完全覆盖住纳米小球，降低外延层材料的表面粗糙度。本发明纳米小球间隙的生长窗口具有宽度窄、深宽比高的特征，纳米小球可以有效阻挡衬底与外延层之间由于晶格失配产生的穿透位错在外延层中继续向上穿通，大幅度提高异变外延材料质量，解决晶格失配材料间异变外延生长问题。
-
公开(公告)号：CN101615564B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200810132429.0
申请日：2008-07-15
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的异质外延生长方法。
-
公开(公告)号：CN101685774A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200810161833.0
申请日：2008-09-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的问题，为实现光电子集成提供新思路。
-
公开(公告)号：CN101615564A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810132429.0
申请日：2008-07-15
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的异质外延生长方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.031 seconds)
