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公开(公告)号：CN1204628C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN03105078.6
申请日：2003-03-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种有源选址前置彩色膜有机白光二极管彩色显示器及制备方法，它包括多晶硅薄膜晶体管、高温彩色膜、彩色膜上沉积的低温透明导电薄膜与有机白光薄膜二极管构成。该彩色显示器的制备不需要精密蒸发掩膜和上盖板与下基板的精密对位，使用高效的常规结构的有机白光二极管就可获得较高密度的彩色显示屏，从而降低了制造成本，增加了产率和质量。是彩显手机、掌上电脑屏及其它显示器的优选器件。
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公开(公告)号：CN1190765C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN03105079.4
申请日：2003-03-06
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明是一种可应用于有机发光二极管(OLED)显示屏的电流分场显示驱动电路。它包括受子场变换信号控制的参考电流单元电路部分，电流输入电路部分和能产生多路相等电流输出的电流输出电路部分。通过将显示周期分为n个时间相等的子场，每个子场输出给OLED显示屏的电流分别为1，2，4，…，2n-1倍单位电流，利用OLED发光与电流的线性关系，实现总共达2n个灰度级的显示。本发明不需要附加电路就能达到精确而且较高的灰度级表示。本发明的电流分场显示驱动电路可以应用到信息显示领域中的各种形式和规模的无源或有源矩阵OLED显示器中，适应于产业化应用。
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公开(公告)号：CN101724901B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910244845.4
申请日：2009-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的退火晶化工艺、氢等离子体晶化与钝化工艺合二为一，并且降低了铝诱导晶化的退火时间，减少了热预算，可以较显著地降低成本；本发明通过氢等离子体氛围铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜材料，可用于制备多晶硅薄膜太阳电池、平板显示器件中的低温多晶硅薄膜晶体管等器件，具有工艺简化、热预算少、成本低等特点，是一种适用于大规模工业生产的多晶硅薄膜材料的晶化方法。
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公开(公告)号：CN102263014A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110215286.1
申请日：2011-07-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法，步骤如下：1）在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物；2）在晶化前驱物表面涂覆亲和剂，然后在其表面附着镍盐溶液；3）用激光器的激光照射，使其晶化为大晶粒多晶硅，大晶粒的平均粒径为1-20微米；4）将晶化后的多晶硅进行热退火处理，热退火温度为400-600℃，热退火时间为1-2h。本发明的优点是：适用于在大面积衬底上流水线操作制备高质量多晶硅薄膜材料，并可以通过控制旋甩转速和旋甩时间或者浸蘸时间和浸蘸后的喷淋时间以及改变镍盐溶液的浓度来改变晶化效果；该制备工艺简单、成本低；该多晶硅薄膜可用于制备多晶硅薄膜晶体管和多晶硅晶体管电路，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN102097541A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010528189.3
申请日：2010-11-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/20 , C23C16/24 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高产业化单室沉积非晶硅基薄膜电池效率的方法，将产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池与窄带隙的微晶硅基太阳电池组成多结叠层太阳电池，对中间的np隧穿结进行工艺设计，形成重掺的掺杂层和良好的隧穿特性，具体步骤如下：1）通过氢等离子工艺刻蚀产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池的非晶硅n层；2）然后通过等离子工艺沉积微晶硅n层；3）最后通过等离子工艺沉积微晶硅基电池。本发明的优点和积极效果：本方法通过氢等离子体处理电池非晶硅n层表面氧化物，然后沉积微晶N和微晶硅底电池，在不需要额外引入其它气体情况下，可以拓宽电池的吸收光谱，获得高的开路电压，提高电池的转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101159297B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200710150231.0
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在SnO2衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。本发明采用与制备微晶硅太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备微晶硅太阳电池制备同时，原位沉积具有高光透过、种子层和保护层功能的微晶硅太阳电池用透明导电薄膜，不需要更换沉积系统，工艺简单且有利于降低成本。
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公开(公告)号：CN101183509B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710060376.1
申请日：2007-12-19
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的OLED列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有：由3m个TFT开关自左向右构成n组，且每组含有3m/n个TFT，对外共引出n条控制线；有3m/n根对外数据线。控制电路有：依次相连的译码器、模拟多路选通器、电位选择器，为模拟二选一选择器，共三个，分别通过模拟多路选通器向三个子象素中输入电平信号。本发明通过上述部分的协调工作，使集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程。通过显示屏周边集成电路以及控制电路协调工作，将前级传输过来的数据写入OLED像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的OLED显示屏提供了一种更为经济实用的驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101894744A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010197397.X
申请日：2010-06-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/312
Abstract: 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在玻璃衬底正面上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积晶化前驱物；在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层；用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面，晶化完成后形成多晶硅表面；在多晶硅表面旋涂一层光刻胶；通过湿法刻蚀的方法，用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层；将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是：可有效提高激光晶化多晶硅的性能，且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施，不会对形成的多晶硅造成任何影响；所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN101562216B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910069035.X
申请日：2009-05-27
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C18/02
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有类金字塔结构的绒面ZnO薄膜的制备方法。本发明以醋酸锌作为Zn源，硝酸铟或醋酸铟作为掺杂铟源，硝酸铝或醋酸铝作为掺杂铝源，硝酸镓或醋酸镓作为掺杂镓源，以无水乙醇和/或水作为溶剂，分别配置成一定浓度的锌源溶液和掺杂源溶液，并混合，再向其中加入冰乙酸；用高纯N2或空气作为载气，把上述反应液输送至薄膜沉积室内进行生长。衬底可为玻璃或不锈钢等，生长温度为300℃-550℃。本发明在不需要B2H6掺杂的情况下，采用廉价无毒的化学药品，利用低成本的超声雾化设备直接获得具有光散射特征的绒面结构的ZnO薄膜；因此本发明对环境不会造成污染，属于“绿色”环保型技术，该方法可适合大面积(例如S＝1.2m×0.6m)ZnO透明导电薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN101556971B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910068787.4
申请日：2009-05-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C16/505 , C23C16/46 , C23C16/50 , H01L31/042 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法，涉及薄膜太阳电池领域。本发明的硅基薄膜太阳电池用背反射电极为n型SiOx材料(x＝0.1～1.5)，其导电类型为n型。背反射电极的制备，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术或热丝化学气相沉积技术或甚高频等离子体增强化学气相沉积技术。本发明采用与硅基薄膜太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备硅基薄膜太阳电池n层后，原位沉积具有和ZnO背反射电极相类似作用的n型SiOx材料，所使用的制备技术和电池中n层材料的制备技术有很好的兼容性，可以使用相同的沉积方法，不需要更换沉积系统，只需要变换反应气体或宏观沉积参数，工艺简单且有利于降低成本。
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