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公开(公告)号：CN107346647A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710548800.0
申请日：2017-07-07
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
Abstract: 本发明涉及一种激光图形显示方法。该方法：S1、采用透明介质制作一用于容纳需显示图形的几何体；S2、在几何体内，设置一平行于几何体上、下底面的平面，并在该平面内嵌入荧光粉，且使荧光粉分布呈需显示图形的形状；S3、在几何体内侧面镀上具有高反射率的材料，形成镜面层；S4、在图形所在平面与侧面的交线上装设一激光发射器，并使其呈一发射角度，以使得该激光发射器发射的激光束在图形所在平面上传播，激光束经镜面层的反射以及荧光粉反射和折射，使得平面内的荧光粉都受激发而发光，从而显示整个图形。本发明实用性强，使用范围广，生产简单，成本低廉，性价比高；解决了现代用LED灯拼接显示图形的诸多弊端。
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公开(公告)号：CN103794688B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201410049914.7
申请日：2014-02-13
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，涉及LED器件。1）在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；2）在步骤1）生长的透明导电层上生长一层掩膜层；3）在步骤2）生长的掩膜层上涂上压印胶，利用硬模板直接纳米压印，脱模后在胶体表面形成纳米结构；4）对外延片进行残胶去除；5）对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分，即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上；6）去除掩膜层表面所有残余压印胶；7）在外延片表面再次蒸镀与步骤1）所述相同的透明导电层；8）去除外延片表面残余掩膜层，在透明导电层上得到光子晶体结构；9）将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。
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公开(公告)号：CN101789473B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010116025.X
申请日：2010-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/04
Abstract: 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。从下到上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、5～10个周期的n-InGaN/n-AlGaN或n-AlGaN/n-GaN超晶格层、第2掺硅GaN层、5个周期的固定或渐变组分InGaN/GaN量子阱、掺镁AlGaN层、掺镁GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p-InGaN盖层。将蓝宝石衬底装入反应室，对衬底依次进行热处理和氮化处理后依次生长GaN缓冲层至p-InGaN盖层，退火后得GaN基垂直结构发光二极管。
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公开(公告)号：CN102290457A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110254380.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/062
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种场效应太阳能电池，涉及一种半导体太阳能电池。从下至上依次设有底部欧姆电极、衬底、本征半导体材料层、透明绝缘层、透明导电膜，在本征半导体材料层表面一侧或两侧通过刻蚀和溅射工艺制成侧面欧姆电极，在透明导电膜上制作金属栅极，金属栅极外接电源，在衬底底面制作底部欧姆电极，底部欧姆电极接地。其电场区域比传统pn结太阳能电池更靠近表面，且宽度大，更有利于太阳光的吸收，提高了效率。可应用于制造GaN，ZnO等宽直接带隙本征半导体材料太阳能电池，以避开其p型掺杂的困难。栅极电压在一定范围可调，通过加上较强的栅极电压，有效的消除了金属与半导体功函数差以及绝缘层非故意掺杂电荷对表面电场的影响，提高开路电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101572288B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910111881.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率和输出功率较高的GaN基多量子阱超辐射发光二极管及其制备方法。设有蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上外延生长多层异质结构，多层异质结构自下而上设有低温GaN缓冲层、N型GaN电极接触层、N型AlGaN/GaN超晶格光限制层、N型GaN波导层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型AlGaN电子阻挡层、P型GaN波导层、P型AlGaN/GaN超晶格光限制层、P型GaN层和p型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层，在N型GaN电极接触层上设有n型电极，在P型InGaN/AlGaN超晶格电极接触层上设有p型电极。
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公开(公告)号：CN101183697A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710009956.8
申请日：2007-12-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率高、晶体质量好的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。设有衬底、GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层，InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN层和掺镁GaN层，并从下至上设于衬底上。将(0001)面的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下热处理；降温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长第1掺硅GaN层，降温取出样品；在样品上沉积介质层，沿第1掺硅GaN层的 方向刻出窗口作为图形衬底，样品清洗后外延生长：整个外延生长完成后，将外延片退火。
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公开(公告)号：CN2389446Y
公开(公告)日：2000-07-26
申请号：CN99244573.6
申请日：1999-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/12
Abstract: 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、Tx端分别接耦合器,耦合器与AUI接口连接;SQE端接选择开关;工作状态输出端接工作状态显示器,Vin端和TxOUT端分别接PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps,不采用晶振和时钟定时器,抗干扰性强,工作稳定,成本低,用于计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间以及终端机之间的光互连。
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公开(公告)号：CN206546329U
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201720234567.4
申请日：2017-03-10
Applicant: 厦门大学嘉庚学院
IPC: G01N21/41
Abstract: 本实用新型涉及一种复折射率测量装置，包括激光发射器、尖劈形吸收性介质，第一镜面，第二镜面，接收屏，CCD探测器和主机，第一镜面和第二镜面对应平行设置成反射通道；激光发射器发射激光垂直入射所述尖劈形吸收性介质的直角边，光线在尖劈形吸收性介质的斜边发生折射后进入反射通道，光线在反射通道射进行若干次反射后投射在接收屏上，CCD探测器对接收屏上的光斑位置进行测量并将数据发送给主机，所述主机根据两次不同顶角的尖劈形吸收性介质引起的光斑位置的变化计算出该尖劈形吸收性介质的复折射率。本实用新型仅需测量光通过待测介质的实折射角，即可计算出复折射率，测量原理易理解，光路简单，仪器成本低廉。
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公开(公告)号：CN2389447Y
公开(公告)日：2000-07-26
申请号：CN99244574.4
申请日：1999-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/12
Abstract: 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器,采用CSMA/CD方式,执行IEEE 802.3u标准,设两块执行芯片U1、U2,光信号经光纤接口接光纤信号收发模块,收发模块的电转换输出经U1的解码—电阻组—U2的编码后,从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口,RJ45接口的发射端接耦合器,并经U2的解码—电阻组—U1的编码后,接收发模块,并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。
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