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公开(公告)号：CN115648678A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211438200.6
申请日：2022-11-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B29D7/01 , B29C41/12 , B29C41/34 , B29C43/20 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/08 , B32B33/00 , B29L9/00
Abstract: 本发明涉及一种基于多层结构设计的PVDF/PI复合电介质薄膜的储能性能优化方法，属于电介质储能材料技术领域，此发明是为了解决现阶段介质击穿强度偏低、储能密度较低的问题。本发明采用溶液流延法、以及热压等工艺，以PVDF作为极化层、PI作为绝缘层制备多层电介质薄膜。其中一种复合多层薄膜结构顶层、底层材料为PVDF，中间层材料为PI，另外一种复合多层薄膜作反对称结构。上述两种薄膜通过进行高温热压等处理，制备致密均匀的复合多层薄膜。本发明提供的复合介质兼具优异的储能密度和效率、具有良好的介电常数，击穿场强620 kV/mm、储能密度为14.6 J/cm3、效率为62.2%。本发明提高了聚合物基复合介质的介电性能、储能性能，在电介质储能领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109685195B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201811351456.7
申请日：2018-11-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G06N3/00
Abstract: 本发明涉及一种基于多头绒泡菌觅食算法的枝切线优化设置方法，其首先根据干涉条纹图中残差点的分布特征，对由噪声引起的相邻偶极子对进行连接，对靠近边界的单极子采取“接地”处理，以达到整幅干涉图正负残差点数量相同的目的；其次，通过建立多头绒泡菌觅食算法模型在残差点之间构建完整枝切线网络；然后，引入随机扰动模型，在保持系统的电荷量平衡的条件下，断开冗余枝切线，构建最小生成树树枝；最后，使用洪水漫淹法绕开枝切线进行相位解包裹。本发明构思合理，模型完善，不仅可以显著减少分枝切割的总长度，而且还可以有效克服解包裹过程中的“孤岛现象”，实现了分枝切割的优化设置，具有极高的鲁棒性和优秀的求解质量等优点。
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公开(公告)号：CN111575918B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010455964.0
申请日：2020-05-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种具有双梯度结构的聚醚酰亚胺基复合介质及其制备方法与应用，属于储能电介质技术领域。为解决填料掺杂量过高导致复合介质击穿性能下降的问题，本发明提供了一种具有双梯度结构的聚醚酰亚胺基复合介质，由含有BNNS的填料层与含有BZCT@SiO2 NFs的填料层逐层交替纺丝并经热压和淬火工艺获得，其中两种填料在介质中的含量分别呈梯度分布和反向梯度分布。本发明实现了更高体积分数的高介电常数填料在不影响击穿强度的情况下，增强了复合介质的能量密度，同时使复合介质保持了极高的储能效率，最高储能密度为9.1J/cm3，最高储能效率为94.6％，可用于制造优良储能特性的电介质储能器件。
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公开(公告)号：CN110922687B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201911250290.4
申请日：2019-12-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种改性纳米氧化锌/三元乙丙橡胶基电缆附件材料及其制备方法，属于直流电缆附件材料领域。为解决现有三元乙丙橡胶基电缆附件材料在提升非线性系数时击穿场强劣化严重的问题，本发明提供了一种改性纳米氧化锌/三元乙丙橡胶基电缆附件材料，该材料掺杂有5～20wt％的改性纳米氧化锌颗粒，所述改性纳米氧化锌颗粒由1～3mol％硝酸铁改性制得。本发明提供的掺杂了改性纳米氧化锌颗粒的三元乙丙橡胶基电缆附件材料的非线性系数得到了提升，而保持击穿场强不变，兼具了较高的非线性系数和击穿场强，将其应用于直流电缆能够增加电缆附件材料的使用寿命。本发明制备方法简单，所需材料廉价易得，且环保无污染。
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公开(公告)号：CN112980188A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110493387.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种锆钛酸钡钙纤维/聚醚砜(BZCT NFs/PESU)复合电介质及其制备方法，属于电介质储能材料技术领域，此发明是为解决聚醚砜电介质材料击穿场强、储能密度和能量效率低的问题。本发明采用热处理技术探索出对电介质薄膜性能相对最佳的热处理温度，并采用静电纺丝技术制备无机锆钛酸钡钙纤维填充相，填充相的掺杂量为复合介质的1wt.％、2wt.％、3wt.％、5wt.％、7wt.％，并用刮涂法与线性聚合物PESU进行复合，通过热处理技术制备致密均匀的复合薄膜。本发明提高了聚合物基复合介质的介电性能、储能性能，在电介质储能领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111665220A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010689301.5
申请日：2020-07-16
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于花生结构的无温度干扰M-Z型折射率传感器，包括宽带光源、第一单模光纤、第一花生结构、第一熔接点、第一少模光纤、细芯光纤、第二少模光纤、第二花生结构、第二熔接点、第二单模光纤、光谱仪；使用时，宽带光源连接第一单模光纤的输入端，第二单模光纤的输出端连接光谱仪；通过对光谱仪上谐振波长的位置进行实时监测，能实现无温度干扰的高灵敏度折射率测量。与现有技术相比，本发明在显著提高整个传感器的消光比的同时，还能够避免折射率测量时温度的交叉敏感问题，具有灵敏度高、自由光谱范围大、结构简单、机械强度高等优点。
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公开(公告)号：CN110951195A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911251052.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种PMMA/PVDF复合薄膜及其制备方法，属于聚合物基电介质材料技术领域。为解决现有聚合物基电介质材料击穿场强和储能密度低的问题，本发明提供了一种PMMA/PVDF复合薄膜，由线性聚合物PMMA和铁电聚合物PVDF经共混、热压制成，其中PMMA在复合薄膜中的体积百分含量为25～75vol％。本发明制备的复合薄膜具有良好的介电常数、击穿场强～570kV/mm、储能密度～20.08J/cm3、较低的损耗和漏电流密度，与传统聚合物基电介质材料相比击穿概率明显降低，且具有良好的绝缘性能，可应用于储能器件的制造，改善电介质电容器的储能和击穿特性。
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公开(公告)号：CN109097841A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810819906.4
申请日：2018-07-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: D01D5/00 , D04H1/728 , D04H1/74 , D04H1/4374 , D04H1/558 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种各向异性纳米纤维聚偏氟乙烯基复合介质及其制备方法，所述复合介质由BZCT NFs填充相和PVDF复合而成，所述BZCT NFs填充相在复合介质中定向或非定向排布，含量为1～20vol％。本发明采用溶胶-凝胶法和静电纺丝技术制备具有大长径比的BZCT NFs；进而利用溶液法配制纳米纤维均匀分散的PVDF混合溶液；最终结合静电纺丝技术和淬火工艺获得定向或非定向BZCT-PVDF。本发明制备的一维无机填充相-聚合物基复合介质具有明显的各向异性，具有集成、高效、灵活、轻量和低成本优势，可用于先进商业、航空航天和军事领域，推动高性能聚合物基纳米复合材料的发展。
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公开(公告)号：CN107177144A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710505282.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08L27/16 , C08K9/04 , C08K9/00 , C08K7/08 , C08K3/24 , C08J5/18 , B32B27/30 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B27/08 , B32B37/10 , B32B37/06
CPC classification number: C08K9/04 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B27/304 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B2307/20 , C08J5/18 , C08J2327/16 , C08K3/24 , C08K7/08 , C08K9/00 , C08K2201/011 , C08L2203/16 , C08L27/16
Abstract: 本发明属于复合介质领域，具体涉及一种三明治结构纳米纤维/聚偏氟乙烯复合介质及其制备方法。本发明复合介质三明治结构上下层为PVDF薄膜，中间层为CFO@BZT‑BCT NFs/PVDF复合介质薄膜，三层结构介质经热压相结合。其中PVDF薄膜由溶液流延法经淬火处理制得，CFO@BZT‑BCT NFs/PVDF复合介质薄膜是由BZT‑BCT纺丝前驱体经静电纺丝并高温煅烧制得晶化后BZT‑BCT NFs，引入CFO制得CFO@BZT‑BCT NFs并经多巴胺盐酸盐表面修饰，最后与PVDF混合制成悬浊胶体经溶液流延法和淬火处理制得。本发明解决了无机填充相/聚合物基复合介质储能密度低、介质损耗大的技术问题。
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公开(公告)号：CN214310974U
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202023165152.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G02B6/14
Abstract: 本实用新型提供一种LP01模式‑LP11全光纤模式转换器，具体实现模分复用技术的基模信号(LP01)向高阶模式(LP11)转换，属于光通信领域。整个装置包括：纤芯包层、单模光纤纤芯、多模光纤纤芯、少模光纤纤芯。通过从单模光纤纤芯注入基模信号(LP01)，通过多模光纤激发输出高阶模式(LP11)。本实用新型应用于光通信模式复用技术，可以实现基模(LP01)向高阶模式(LP11)的转换；同样也能实现高阶模式(LP11)向基模信号(LP01)转换。本实用新型的优点是结构简单，能有效提高耦合效率。
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