公开(公告)号：CN1624921A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410087008.2

申请日：2004-10-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨美基 ,  亚历山大·雷茨尼采克 ,  杨敏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种采用半导体－半导体直接晶片键合，形成具有不同晶向的、被导电界面分开的半导体层的混合衬底的方法。本发明还提供了由所述方法以及使用直接键合方法生产的混合衬底，而形成一种集成的半导体结构，其中，在提高器件性能的表面取向上形成各种CMOS器件。

公开(公告)号：CN1507079A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310117299.0

申请日：2003-12-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·L·罗杰斯 ,  杨敏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种在半导体衬底上形成雪崩沟槽光学检测器器件的方法，包括在衬底中形成第一组和第二组沟槽，其特征在于：第一组沟槽相对于第二组沟槽交替地设置，用掺杂的牺牲材料填充沟槽，以及退火该器件以在衬底中形成倍增区。该方法包括从第一组沟槽中蚀刻掺杂的牺牲材料，用掺杂的第一导电性材料填充第一组沟槽，从第二组沟槽中蚀刻掺杂的牺牲材料，以及用掺杂的第二导电性材料填充第二组沟槽。该方法还包括提供到第一组沟槽和第二组沟槽的分开的布线连接。

公开(公告)号：CN1478304A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN02803225.X

申请日：2002-02-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨敏 ,  克恩·利姆

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L27/144 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种在半导体基底(102)上成型光检测器器件的方法。该方法包括：在基底(102)上成型第一组沟槽和第二组沟槽，其中第一组的各沟槽对于第二组的各沟槽交错排列；对各沟槽填充保护材料(202)；以及蚀刻第一组沟槽内的保护材料(202)。该方法进一步包括：对第一组沟槽填充第一电导率的掺杂材料(502)；蚀刻第二组沟槽内的保护材料(202)；对第二组沟槽填充第二电导率的掺杂材料(802)；通过将掺杂材料(502)中的掺杂物掺杂到第一组沟槽中的每一个，形成第一结层(904)，而通过将掺杂材料(802)中的掺杂物掺杂到第二组沟槽中的每一个，形成第二结层(906)；以及对第一组沟槽和第二组沟槽设置单独导线连接(1002、1004)。同时形成第一组沟槽和第二组沟槽。