公开(公告)号：CN102696114A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080060734.9

申请日：2010-12-17

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 重田博昭 ,  八代有史 ,  津田裕介 ,  野田进 ,  富士田诚之 ,  田中良典

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02327

Abstract: 光电转换元件（10）包括半导体层（13）和在半导体层（13）的内部形成的光子晶体（21），光子晶体（27）是在半导体层（13）的内部配置有与半导体层（13）的介质相比折射率小的纳米棒（19）而形成的，当令光子晶体（27）的共振峰的波长为λ时，纳米棒（19）以λ/4以上λ以下的间距、二维且周期性地配置，作为表示由光子晶体（27）与外界的耦合引起的共振效果的大小的Q值的Qv与作为表示半导体层（13）的介质的共振效果的大小的Q值的Qα处于满足0.2Qv≤Qα≤5.4Qv的范围，其中，该Qv与表示光子晶体（27）与外界的耦合的强度的系数кv的倒数成比例，该Qα与半导体层（13）的介质的光的吸收系数αa的倒数成比例。由此，能够提高具备光子晶体结构的光电转换元件的光的吸收率。