公开(公告)号：CN105143971A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023263.2

申请日：2014-02-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸 ,  花冈一孝

IPC: G02F1/19 ,  G02F1/137

CPC classification number: G02F1/1337 ,  G02F1/133502 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/172 ,  G02F2001/133742

Abstract: 光学装置(100)具有第一基板(10)和第二基板(20)以及设置在它们之间的光学层(30)。第一基板具有能够被提供相互不同的电位的第一电极(11)和第二电极(12)。光学层(30)包括：介质(31P)；和取向方向根据施加于光学层的电场的方向而变化的形状各向异性颗粒(32)。介质是液晶材料，在不对光学层施加电场时，形状各向异性颗粒与基板面大致垂直地取向。

公开(公告)号：CN102656510B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201080056709.3

申请日：2010-11-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/133788 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/133776 ,  G02F2001/13398

Abstract: 提供一种液晶显示装置，在第1基板和第2基板的各密封构件的形成区域中分别形成有用于通过导电材料相互电连接的电极部。在第1基板和第2基板中的至少一方形成有对固化前的取向膜材料的流动进行限制的限制结构部，该限制结构部被至少配置于电极部和像素区域之间，以使电极部的至少一部分从取向膜露出。

公开(公告)号：CN102460711B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201080025949.7

申请日：2010-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0255 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/016 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置具备：薄膜二极管(1)；和保护电路，其包括保护用二极管(20)，薄膜二极管(1)具备：半导体层，其具有第1区域、第2区域以及沟道区域；栅极电极；第1电极(S1)，其与第1区域和栅极电极连接；以及第2电极(D1)，其与第2区域连接，薄膜二极管(1)是N型，保护用二极管(20)的阳极侧的电极与配线(3)连接，所述配线(3)与薄膜二极管(1)的栅极电极或第1电极连接，或者，薄膜二极管是P型，保护用二极管的阴极侧的电极与如下配线连接：所述配线与薄膜二极管的栅极电极或第1电极连接，保护电路不具有使得电流的流动方向与保护用二极管(20)的电流的流动方向相反地与配线(3)连接的其它的二极管。由此，可以抑制电路规模的增大并抑制由ESD导致的薄膜二极管的劣化。

公开(公告)号：CN101971235B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200880127511.2

申请日：2008-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/1345 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49165

Abstract: 本发明提供一种能够实现配线的微细加工、连接不良的抑制、显示装置可靠性的提高的显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板。本发明是在绝缘基板(21)上具备设有用于连接其它外部连接部件(70)的连接端子(26)的端子部和设有外围电路(29)的外围电路区域中的至少一方的显示装置用基板，上述显示装置用基板是具有在有机绝缘膜(51a)的正上方层叠有无机绝缘膜(41a)的有机/无机膜层叠体的显示装置用基板。

公开(公告)号：CN103238104A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180057753.0

申请日：2011-11-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/133354 ,  G02F2001/133388 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明的目的在于提高所供给的薄膜材料向基板表面的配置精度。母玻璃（60）中的相当于玻璃基板（21）的区域被指定为薄膜形成区域（62），在薄膜形成区域（62）的外侧配置对准标记（70）。对准标记（70）作为用于指定薄膜材料的液滴（例如，取向膜材料（24）的液滴（24a））的滴下位置的位置指定部而发挥功能。对准标记（70）包括多个岛状的凹部（73）或凸部（75）被二维地排列而设置的凹凸形状（72），在上述凹凸形状（72）中，设定表示上述凹部（73）或上述凸部（75）的位置的坐标系。在上述凹凸形状（72）的局部部位形成被供给了上述取向膜材料（24）而形成的标记（78）。本发明能应用于例如液晶显示装置。

公开(公告)号：CN102792217A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012800.X

申请日：2011-04-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸

IPC: G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/1345 ,  G02F2001/133388 ,  H01L23/295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00

Abstract: 在将混入有包含玻璃纤维粉碎物(42)和导电性颗粒(43)中的至少一方的密封材料混入物的密封材料(40)在第1基板(30)和第2基板(20)间的外周缘部配置为框状而在密封材料(40)的内侧形成有显示区域的显示装置中，在第1基板(30)上，在密封材料(40)的宽度方向中途部，以沿着密封材料(40)的方式且以与第2基板(20)具有间隙的方式朝向第2基板(20)侧突出设置有突状肋(36)。以如下方式设定：与突状肋(36)对应的区域(SL2)的密封材料(40)中的密封材料混入物的分布密度低于比突状肋(36)靠基板外侧的区域(SL1)的密封材料(40)中的密封材料混入物的分布密度；或者在与突状肋(36)对应的区域(SL2)在密封材料(40)中未混入密封材料混入物。

公开(公告)号：CN102687066A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080059723.9

申请日：2010-11-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸 ,  神崎庸辅

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/1337 ,  G02F1/133788 ,  G02F1/1339 ,  G02F2001/133776

Abstract: 在第1基板和第2基板的液晶层侧，以从像素区域向边框区域侧扩展的方式形成有具有流动性的取向膜材料固化从而形成的取向膜。第1基板和第2基板中的至少一方具有支撑基板和支撑结构部，支撑结构部形成于支撑基板上，支撑结构部的至少与支撑基板相反的一侧的表面由取向膜来直接覆盖。支撑结构部具有侧部，侧部以其切平面越朝向支撑基板侧就越向该支撑结构部的外侧倾斜的方式形成。支撑结构部的侧部配置于边框区域并且支撑取向膜的端缘部。

公开(公告)号：CN101681931B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200880018540.5

申请日：2008-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1237

Abstract: 本发明涉及电路基板和显示装置。本发明提供一种在同一基板上形成有顶栅型TFT和底栅型TFT的电路基板中，能够提高TFT的可靠性的电路基板。本发明的电路基板，在基板上设置有从基板侧起叠层栅极电极、栅极绝缘膜和半导体层的底栅型薄膜晶体管，和从基板侧起叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极的顶栅型薄膜晶体管，上述电路基板在基板与顶栅型薄膜晶体管的半导体层之间具有2个以上的绝缘膜，上述2个以上的绝缘膜包括：在基板与底栅型薄膜晶体管的栅极电极之间配置的底涂膜，和底栅型薄膜晶体管的栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN102171746A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980139418.8

申请日：2009-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5203 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5256 ,  H01L2251/301

Abstract: 本发明提供能够抑制由于像素区域内产生气泡而引起的不良情况的显示装置用基板、显示装置用基板的制造方法、显示装置、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法和有机电致发光显示装置。本发明是从基板侧起依次设置有感光性树脂膜和像素电极的显示装置用基板，上述显示装置用基板是在上述感光性树脂膜的上层侧具有阻碍从上述感光性树脂膜产生的气体的行进的阻气绝缘膜的显示装置用基板，或者是在上述感光性树脂膜与上述像素电极之间具有阻碍从上述感光性树脂膜产生的气体的行进的阻气绝缘膜的显示装置用基板。

公开(公告)号：CN101569016B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200880001187.X

申请日：2008-01-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/08 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/0657

Abstract: 具备具有第一半导体层的p型TFT和具有第二半导体层的n型TFT，在第一半导体层的外侧边缘部分的至少一部分上形成有向绝缘性基板侧锥状扩大的倾斜部，在第一半导体层的内侧形成的、倾斜部表面相对于绝缘性基板的表面的倾斜角度小于在第二半导体层的内侧形成的、第二半导体层的外侧边缘部分侧面相对于绝缘性基板的表面的角度。