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公开(公告)号：CN107798203B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201711136173.6
申请日：2017-11-16
Applicant: 宁波大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种组合逻辑电路等效性检测方法，通过扩展余子式概念，将逻辑覆盖等效性检测问题分成分解成电路包含检测子问题,逐一求取其中一个电路表达式对另一个电路表达式各乘积项的余子式，然后在建立各乘积项余子式的香农结构图基础上判断其是否重言式，最后根据重言式判别结果确定两电路间是否覆盖等效关系；优点是通过求取乘积项余子式对逻辑函数进行分解和降阶处理,从而加快了覆盖等效性验证速度，可操作性和检测效率均较高，且不会出现内存爆炸问题，实验结构表明，本发明的方法稳定有效的，对EXPRESSO软件集成的三种算法所得电路的测试结果表明,与基于真值表和BDD的两种检测算法相比,具有明显的速度优势。
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公开(公告)号：CN109856525A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811321851.0
申请日：2018-11-07
Applicant: 宁波大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种基于查找表的电路老化检测传感器，包括控制电路、两个压控振荡器、两个整形电路、相位比较器、3位表决器、拍频器、8位计数器、锁存器、查找表阵列和数模转换器，控制电路分别与相位比较器、3位表决器、8位计数器、第一压控振荡器和第二压控振荡器连接，第一压控振荡器和第一整形电路连接，第二压控振荡器和第二整形电路连接，第一整形电路和相位比较器连接，第二整形电路和相位比较器连接，相位比较器和3位表决器连接，3位表决器和拍频器连接，拍频器分别与8位计数器和锁存器连接，8位计数器与锁存器连接，锁存器与查找表阵列连接，查找表阵列与模数转换器连接；优点是在具有较小的面积的基础上，检测分别率较高。
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公开(公告)号：CN108269599A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810003439.8
申请日：2018-01-03
Applicant: 宁波大学
IPC: G11C11/419
Abstract: 本发明公开了一种平衡位线漏电流的静态存储单元，其特征在于包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、写字线、读字线、读位线、反相读位线、写位线和反相写位线，第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管均为普通阈值的NMOS管，第一PMOS管和第二PMOS管均为低阈值的PMOS管，第五NMOS管、所述的第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管均为低阈值的NMOS管；优点是在低工作电压条件下，读取操作速度快，功耗较低，且稳定性较高。
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公开(公告)号：CN106067807B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610392435.4
申请日：2016-06-03
Applicant: 宁波大学
IPC: H03K23/00
Abstract: 本发明公开了一种基于CNFET的三值加法计数器，包括脉冲信号发生器、n个加法记数单元和n输入与门，脉冲信号发生器具有输入端和输出端，加法记数单元具有输入端、输出端、时钟控制端和进位输出端，n输入与门具有n个输入端和输出端，脉冲信号发生器的输出端分别与n个加法记数单元的时钟控制端连接，n个加法记数单元的进位端与n输入与门的n个输入端一一对应连接，n输入与门的输出端为三值加法记数器的进位输出端，第k个加法记数单元的进位输出端和第k+1个加法记数单元的输入端连接，k＝1,2，…，n‑1，第j个加法记数单元的输出端为三值加法计数器的第j位输出端，j＝1,2，…，n；优点是减少了无效操作，降低了电路功耗与延时，具有高速低功耗特性。
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公开(公告)号：CN107967924A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711053697.9
申请日：2017-10-31
Applicant: 宁波大学
IPC: G11C15/04 , G11C11/418
Abstract: 本发明公开了一种利用碳纳米场效应晶体管的三值内容寻址存储器，包括第一P型CNFET管、第二P型CNFET管、第三P型CNFET管、第四P型CNFET管、第五P型CNFET管、第六P型CNFET管、第七P型CNFET管、第八P型CNFET管、第九P型CNFET管、第一N型CNFET管、第二N型CNFET管、第三N型CNFET管、第四N型CNFET管、第五N型CNFET管、第六N型CNFET管、第七N型CNFET管、第八N型CNFET管、第九N型CNFET管、第十N型CNFET管、第十一N型CNFET管、第十二N型CNFET管、第十三N型CNFET管、第十四N型CNFET管、第十五N型CNFET管、第十六N型CNFET管、写字线、反相写字线、写位线、读位线、读字线、反相读字线、搜索线、反相搜索线和地址输出线；优点是功耗较低，且可以完整的实现三值数据存取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107679326A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710932755.9
申请日：2017-10-10
Applicant: 宁波大学
CPC classification number: G06F17/505 , G06F17/5036 , G06F2217/08 , G06N3/006
Abstract: 本发明公开了一种二值FPRM电路面积与延时综合优化方法，该方法首先构建p极性下二值FPRM电路的面积估算模型与延时估算模型，然后将最优极性搜索与粒子群寻优相关联，通过粒子群寻优来搜索最优极性，在粒子群寻优过程中，将粒子种群分为第一个粒子子种群和第二个粒子子种群，第一个粒子子种群和第二个粒子子种群分别采用不同的学习策略进行寻优操作，第一个粒子子种群和第二个粒子子种群之间存在相互竞争与学习关系，增强了寻优的多样性，在寻优的过程中，引入变异机制能够有效地避免算法陷入局部最优解，提高了寻优能力，优点是在具有较高的优化效率基础上，优化效果好。
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公开(公告)号：CN106850227A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611119524.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 宁波大学
IPC: H04L9/32
Abstract: 本发明公开了一种采用CNFET实现的三值PUF单元及电路，三值PUF电路包括三值行译码器、三值列译码器、三值输出电路和三值PUF单元阵列，所述的三值PUF单元阵列由3nx3n个三值PUF单元排列成3n行×3n列的矩阵，三值PUF单元，其特征在于包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管和第十CNFET管；优点是在保证具有正确的逻辑功能的基础上，电路面积较小，具有较好的随机性和唯一性。
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公开(公告)号：CN117349211A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311270951.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种面向Kyber的拒绝采样硬件电路，包括总线宽度转换模块、四个拒绝采样核心采样模块和四个缓冲区，总线宽度转换器将每个数据处理周期接入的随机数进行均等划分为四个8位随机数一一对应输出至四个拒绝采样核心模块处，不需要采用复杂的结构来按周期分配和分割接入的随机数，四个拒绝采样核心模块利用基于二进制数的位权值特征设计的高效率比较器实现拒绝采样过程，在拒绝采样过程中利用随机数的再组合和二进制数的位权值特性，只需对三个有效随机数组合而成的随机数组中其中一个随机数进行拒绝判断，其余两个随机数直接接收；优点是既不会资源浪费随机数资源，采样时间短，采样效率高，且可以降低拒绝率，减少硬件开销。
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公开(公告)号：CN111313889B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010106248.1
申请日：2020-02-21
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种正反馈异或/同或门及混合逻辑加法器，混合逻辑加法器包括正反馈异或/同或门和输出电路，正反馈异或/同或门包括作为传输管的第一PMOS管和第二PMOS管、构成下拉网络的第一NMOS管和第二NMOS管，构成正反馈环的第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，当正反馈异或/同或门的异或逻辑输出端被下拉到第三PMOS管和第四NMOS管构成的反相器的开关阈值以下时，正反馈环开始工作，使正反馈异或/同或门的异或逻辑输出端进入加速下拉期，并被成功下拉到低电平，实现无阈值电压损失；优点是不存在阈值电压损失，延时和功耗延时积较小。
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公开(公告)号：CN111641382B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010300179.8
申请日：2020-04-16
Applicant: 宁波大学
IPC: H02S40/22 , H01L31/054 , C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种基于长余辉微米颗粒的单晶硅平板型荧光太阳集光器的制备方法及其应用，特点是其制备方法包括铬离子与镱离子共掺杂钙铝锗酸盐发光中心材料制备的步骤：将发光中心粉末与硫醇烯共聚物复合得到单晶硅平板型荧光太阳集光器的步骤，在单晶硅平板型荧光太阳集光器的四周粘贴带导电金属PCB板的单晶硅太阳能电池板、其上表面设置顶部减反层且其下表面设置底部金属反射层得到光伏发电装置；优点是光电转换效率高且发光寿命长，且应用到光伏发电装置中可有效减少入射光子表面反射损耗、平板型光波导内传输损耗，从而显著提高在弱光照条件下的光学收集效率以及光电转换效率。
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