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公开(公告)号：CN108780742A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780014454.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: C23C14/351 , C23C14/54 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3455 , H01J37/3458 , H01L21/2855 , H01L21/76879
Abstract: 公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
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公开(公告)号：CN108064411A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201680032642.7
申请日：2016-06-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0234 , H01L21/0214 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02266
Abstract: 在一些实施方式中，一种在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括：(a)经由物理气相沉积工艺在基板的第一表面的顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积工艺腔室的处理区域提供第一等离子体形成气体，其中第一等离子体形成气体包括氢，而不包括碳；(c)向基板支撑件提供第一量的偏压功率以自物理气相沉积工艺腔室的处理区域内的第一等离子体形成气体形成第一等离子体；(d)使介电层暴露于第一等离子体中；以及(e)重复(a)至(d)来沉积介电膜至最终厚度。
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公开(公告)号：CN107354428A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710165989.5
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01J37/3426 , H01J37/3467 , H01L21/02458 , H01L21/02631 , H01L21/3065 , H01L21/3228 , C23C14/0617
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III-V族层的设备和方法，所述缓冲层和III-V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III-V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III-V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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公开(公告)号：CN104428441B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380035434.9
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III‑V族层的设备和方法，所述缓冲层和III‑V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III‑V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III‑V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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公开(公告)号：CN102985588A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180029451.2
申请日：2011-05-13
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/564 , H01J37/32853 , H01J37/32871 , H01J37/34 , H01J37/3411
Abstract: 本文提供改善减少颗粒的设备。在某些实施例中，设备可包括处理套件屏蔽，处理套件屏蔽包括整体式金属主体，整体式金属主体具有上部和下部并具有开口，开口穿过整体式金属主体设置，其中上部包括面向开口的表面，面向开口的表面配置为设置在物理气相沉积腔室的靶材周围且与所述靶材间隔，且其中在从物理气相沉积腔室的靶材溅射靶材材料的过程中，面向开口的表面配置为限制颗粒沉积在整体式金属主体的上部的上表面上。
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公开(公告)号：CN119855937A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380064517.4
申请日：2023-09-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐翼 , 赵咸元 , 亓智敏 , 张爱西 , 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 , 吴典晔 , 雷蔚 , 高兴尧 , 谢里什·派斯 , 侯文婷 , 杜超 , 杨宗翰 , 夫敬皓 , 林政汉 , 贾勒帕里·拉维 , 雷雨 , 汪荣军 , 唐先敏
Abstract: 提供了一种用于在半导体元件中形成钨特征的方法及设备。方法包括将在基板中形成的特征的顶部开口暴露于物理气相沉积(PVD)工艺以在特征内沉积钨衬垫层。PVD工艺在第一处理腔室的第一处理区域中执行并且钨衬垫层形成部分阻碍特征的顶部开口的悬垂部分。将基板从第一处理腔室的第一处理区域传送到第二处理腔室的第二处理区域而不破坏真空。将悬垂部分暴露于第二处理区域中的含氮自由基以抑制钨沿着悬垂部分的后续生长。将特征暴露于含钨前驱物气体以在特征内的钨衬垫层上方形成钨填充层。
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公开(公告)号：CN112136223B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201980033383.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文讨论的磁性隧道结(MTJ)结构的实施方式采用第一钉扎层及第二钉扎层，且两者之间设置有合成反铁磁层。与种晶层接触的第一钉扎层可含有单独的铂或钯的单层，或者铂或钯的单层与钴和以下项的一或多个双层结合：铂(Pt)、镍(Ni)或钯(Pd)或前述的组合或前述的合金。第一钉扎层及第二钉扎层可具有不同的成分或构造，使得第一钉扎层具有比第二钉扎层更高的磁性材料含量，和/或比第二钉扎层更厚。本文讨论的MTJ堆叠在高温退火后维持了期望的磁性质。
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公开(公告)号：CN119497909A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380053394.4
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 提供用于在半导体装置中进行钨间隙填充的方法与设备。方法包含：执行梯度氧化工艺以氧化衬垫层的暴露部分，其中梯度氧化工艺优先氧化衬垫层的悬突部分，悬突部分阻碍或阻挡形成在基板的场区域内的一个或多个特征的顶部开口。方法进一步包含：执行回蚀工艺以去除或减少衬垫层的氧化悬突部分；将衬垫层暴露于化学气相传输（CVT）工艺以去除梯度氧化工艺和回蚀工艺残留的金属氧化物；和执行钨间隙填充工艺以填充或部分填充一个或多个特征。
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公开(公告)号：CN118974308A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380032484.5
申请日：2023-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杨子浩 , 朱明伟 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 汪荣军 , 罗伯特·詹·维瑟 , 奈格·B·帕蒂班德拉
Abstract: 本文所述的实施方式涉及制造钙钛矿膜装置的方法。该方法包括对在处理系统内的基板加热与除气；使用处理腔室内的多阴极溅射沉积在基板的表面上方沉积第一钙钛矿膜层，使用处理腔室内的多阴极溅射沉积在第一钙钛矿膜层上方沉积第二钙钛矿膜层；和对具有设置在基板上的第一钙钛矿膜层与第二钙钛矿膜层的基板退火。第一钙钛矿膜层包括第一钙钛矿材料。第二钙钛矿膜层包括第二钙钛矿材料。
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