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公开(公告)号:CN103730135A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201310467368.4
申请日:2013-10-09
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/7325 , G11B5/84
Abstract: 一种磁记录介质(50),是在非磁性基板(1)之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层(9)、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层(4)的磁记录介质(50),取向控制层(9)具备:包含Ru或Ru合金的含Ru层(3);和设置于含Ru层(3)的垂直磁性层(4)侧,包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料,防止含Ru层(3)的Ru原子的热扩散的防止扩散层(8),垂直磁性层(4)包含通过防止扩散层(8)继承含Ru层(3)的晶粒的晶体结构、并与晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体。