公开(公告)号：CN105098586A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510536375.4

申请日：2015-08-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郭强兵 ,  刘小峰 ,  邱建荣

IPC: H01S3/16 ,  H01S3/11 ,  H01S3/067

Abstract: 本发明公开了一种BaCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是BaCuSi4O10二维层状晶体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间，其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。

公开(公告)号：CN105098576A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510535751.8

申请日：2015-08-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郭强兵 ,  刘小峰 ,  邱建荣

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/16 ,  H01S3/11

Abstract: 本发明公开了一种Cu2MoS4二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是Cu2MoS4二维层状晶体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间，其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。

公开(公告)号：CN105098576B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510535751.8

申请日：2015-08-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郭强兵 ,  刘小峰 ,  邱建荣

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/16 ,  H01S3/11

Abstract: 本发明公开了一种Cu2MoS4二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是Cu2MoS4二维层状晶体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间，其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。

公开(公告)号：CN107809053A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710979005.7

申请日：2017-10-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郭强兵 ,  刘小峰 ,  邱建荣

IPC: H01S3/11 ,  H01S3/098

CPC classification number: H01S3/1118

Abstract: 本发明公开了一种用于光纤脉冲激光器的基于TCO的可饱和吸收体及方法。包括具有可饱和吸收特性的透明导电氧化物，所述的可饱和吸收体器件是由透明导电氧化物集成于光纤形成，集成方式为透过式集成或倏逝场作用集成；透明导电氧化物为通过化学合成得到的透明导电氧化物纳米晶，通过激光脉冲沉积方法、磁控溅射方法或者原子层沉积方法得到的透明导电氧化物膜，由通过化学合成的透明导电氧化物纳米晶与包裹所述透明导电氧化物纳米晶的基体构成的复合膜。本发明拓展了可饱和吸收体的种类，具有成本低、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模和调Q器件的优点，可广泛应用于近红外和中红外波段的脉冲光纤激光器。

公开(公告)号：CN107204565A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710304740.8

申请日：2017-05-03

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶羽婷 ,  刘小峰 ,  邱建荣

IPC: H01S3/11

CPC classification number: H01S3/1118 ,  H01S3/1115

Abstract: 本发明公开了一种GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维层状半导体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是GeSe二维层状半导体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料，为开发新型饱和吸收体提供了新思路，其器件具有制备简单、适合大规模生产、体积小、可组成多种类型锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。

公开(公告)号：CN104393099B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410527001.1

申请日：2014-10-09

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郑书红 ,  贾红 ,  邱建荣 ,  刘小峰

IPC: H01L31/18 ,  C25D9/04 ,  C25D5/50

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了四氟钇钠碘铋复合太阳能薄膜（NaYF4:Yb‑Er/BiIO）的制备方法。该方法是在导电玻璃衬底的一个侧面沉积有一层掺镱掺铥四氟钇钠上转换薄膜（NaYF4:Yb‑Er），然后在NaYF4:Yb‑Er薄膜自组装一层碘氧铋薄膜。制备的复合薄膜均匀致密，是对近红外光有响应的复合太阳能薄膜。本发明工艺方法简单、原料易得、成本低，能耗低，无毒，可以在常温常压压操作，有希望进行工业化生产。

公开(公告)号：CN105071215A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510535460.9

申请日：2015-08-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郭强兵 ,  刘小峰 ,  邱建荣

IPC: H01S3/11 ,  H01S3/098

Abstract: 本发明公开了一种CaCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是CaCuSi4O10二维层状晶体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间，其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。