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公开(公告)号：CN102012529B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010290276.X
申请日：2010-09-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01V8/10
Abstract: 本发明公开了一种基于激光脉冲后向散射的水中目标尾迹探测系统及方法。该探测系统包括：激光脉冲发射装置、后向散射信号检测装置和信号处理装置。该方法是将探测系统置于水中，激光器脉冲发射装置向水中发射线偏振激光脉冲；后向散射信号检测装置对激光脉冲后向散射信号进行探测；信号处理装置对后向散射信号检测装置的输出信号进行实时处理，实现对目标尾迹的检测。其检测过程为：1.多次实验测量激光脉冲后向散射信号，确定目标尾迹判断标准；2.在实际水域中对激光脉冲后向散射信号进行测量并与判断标准比较，判断目标尾迹是否存在。本发明具实用性强、可靠性高、探测距离远、抗干扰能力强的优点，可用于对水中动态目标的实时探测。
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公开(公告)号：CN102724545A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210201133.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种裸眼3D显示设备的性能指标测试方法及测试系统，主要解决现有测试技术仅针对分时和分光设备且仅依靠局部信息进行性能评估，且不能对裸眼3D显示设备性能进行测试的问题。其实现方案是：根据人眼视觉系统对立体图像感知的特点，设计表征裸眼3D显示器显示性能的客观评价指标及其各自测量方法；利用立体相机采集的图像计算得到评价裸眼3D设备显示性能的7个指标参数，即左通道亮度串扰度CTL、右通道亮度串扰度CTR、左通道亮度对比度CL、右通道亮度对比度CR、亮度差异值dL、亮度对比度差异值dC和莫尔纹强度指数dM，通过这些参数检验裸眼3D显示设备的性能。本发明可用于裸眼3D显示设备的质量检查与筛选，保证进入市场的产品质量达标。
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公开(公告)号：CN119730407A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411790147.5
申请日：2024-12-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多叠层高耐压高导热光导开关器件及制备方法，主要解决了现有技术光导开关器件的热失效问题。其包括数个半绝缘衬底(1)、金属电极(2)、连接电极(3)和外连接电极(4)，金属电极分布在每个半绝缘衬底的上下表面中心；连接电极分别与金属电极和外连接电极连接；在每个半绝缘衬底的上下部设置有与其紧靠的氮化硼片(5)，形成多层叠层结构；每个氮化硼片的中心设有与连接电极形状大小相同的通孔，连接电极穿过氮化硼片的通孔连接两个相邻的半绝缘衬底上的金属电极。本发明解决了光导开关器件中的热失效问题，减小了器件的级间电容，提高了器件的耐压和频率响应能力，可用于超宽带电磁脉冲发生器及固态紧凑型脉冲电源。
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公开(公告)号：CN119581467A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411584568.2
申请日：2024-11-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于引力波的前端调理电路一体化封装模块及封装方法，属于半导体封装技术领域，将前端电路进行一体化集成，大幅度缩减了电路面积，且便于做温控，有利于提高前端调理电路的温度一致性。将前端调理电路做一体化封装，还有利于实现电路的电磁干扰防护，在面向太空环境测量时，可以避免宇宙辐射对测量系统的前端模拟电路的影响，极大的增强了测量系统的抗干扰能力，适用于在星载及强辐射应用场景下实现对引力波信号的精密测量。
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公开(公告)号：CN113241299A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110412313.8
申请日：2021-04-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种基于中子辐照精确调控氧化镓单晶载流子浓度的方法，包括：对氧化镓衬底进行表面预处理；利用脉冲激光沉积工艺，在表面预处理后的氧化镓衬底上生长高阻抗氧化镓外延层；对高阻抗氧化镓外延层进行中子辐照处理，通过改变中子辐照剂量以实现对氧化镓载流子浓度的调控。本发明的基于中子辐照精确调控氧化镓单晶载流子浓度的方法，尤其是对小于1016cm‑3的低浓度载流子浓度的精确调控，通过对高阻抗氧化镓外延层进行中子辐照处理，引入Ga空位，与外延层掺杂杂质相互作用，从而达到调控载流子的目的实现对氧化镓中低浓度载流子的精确控制，方法简便，而且，通过中子辐照剂量的不同，能够精确调控载流子浓度，改变迁移率大小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110471041B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910656633.0
申请日：2019-07-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Vivado HLS的二维DOA估计方法，包括：步骤1：获取雷达回波信号并计算所述回波信号的自相关矩阵及所述自相关矩阵的逆矩阵；步骤2：根据所述回波信号和粗估计的精度要求得到空间点的初始导向矢量矩阵并预先存储；步骤3：根据所述自相关矩阵的逆矩阵和所述初始导向矢量矩阵对所述回波信号的方向进行估计以确定波达方向；步骤4：对步骤3进行优化得到相应的知识产权核；步骤5：在FPGA中调用所述知识产权核以完成二维DOA估计。本发明提供的二维DOA估计方法缩短了开发周期，提高了开发效率，提高了程序的可移植性，降低了系统的功耗。
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公开(公告)号：CN106059764B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610623614.4
申请日：2016-08-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L9/08
Abstract: 本发明公开了一种基于终止密钥导出函数的口令及指纹三方认证方法，主要解决三方身份认证方法中的密文存储、弱口令及存储器暴力破解的技术问题。其实现是：注册时：用户在PC输注册信息，在手机输入口令和指纹，得私钥；由私钥、运算次数和字符串用HKDF函数生成认证密钥和密文，连同用户名发给服务器存储；登陆时：服务器给PC密文和认证随机数；用户在PC输口令，盲化后发手机；在手机输指纹，指纹与盲化信息运算后发PC；PC去盲化得到私钥；PC用私钥和HKDF函数对密文解密得认证密钥；PC用认证密钥和服务器认证。本发明提高了三方认证的认证能力，缓解了用户的存储压力，可操作性强，消除单一口令三方身份认证中的安全隐患。
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公开(公告)号：CN105608003A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510953537.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F11/36
CPC classification number: G06F11/3688
Abstract: 本发明公开了一种基于控制流分析和数据流分析的Java程序静态分析方法，主要解决现有静态分析方法分析准确率低的问题。其实现步骤是：1.将Java源程序转化为Jimple语言的中间表示形式；2.将Java程序静态分析问题抽象为过程间分布式子集问题IFDS；3.定义过程间分布式子集问题IFDS求解器的接口类；4.通过求解器类接口中的数据流功能函数FlowFunctions ，设置数据流分析规则；5.运行过程间分布式子集问题IFDS，在控制流图的基础上进行数据流分析，得出分析结果。本发明提高了静态分析的完整性和准确性，分析效率高，扩展性强，可用对较大系统规模的程序分析。
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公开(公告)号：CN103712777A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410010042.3
申请日：2014-01-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明公开了一种检测紫外光电成像系统性能参数的装置及检测方法。整个检测装置包括氘灯光源(1)、滤光片轮(2)、可变光阑(3)、积分球(4)、紫外强度探测器(5)、紫外目标分辨率测试靶(6)、测试暗室(7)、主控电路(11)和主控计算机(16)，主控计算机(16)调节光源、滤光片轮和可变光阑输出紫外光，通过积分球转变为均匀面阵光后，照射测试暗室内的待测紫外光电成像系统(10)；主控电路对待测紫外光电成像系统的输出信号进行降噪、采集与模数转化后送至主控计算机；主控计算机对获得的数据进行计算，得到待测紫外光电成像系统的性能参数。本发明为被测紫外光电成像系统提供了可准确变化的光学环境，且测试稳定性高，适用于所有紫外光电成像系统的性能参数测试。
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公开(公告)号：CN103595998A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310538781.5
申请日：2013-11-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种彩色CCD芯片的色彩测试装置，主要解决现有测试装置不能对彩色CCD芯片色彩质量准确判断的问题。该装置包括依次连接的氙灯光源、单色仪、衰减器、积分球、暗室、杜瓦瓶温控室、驱动控制电路和上位机。待测彩色CCD芯片放置在杜瓦瓶温控室中，与驱动控制电路连接。单色仪经氙灯光源照射及参数调节，产生单色和三原色光，再经过积分球和暗室转变为均匀面阵光后，照射在待测彩色CCD芯片上，经过驱动控制电路和上位机得到图像的rgb亮度值；将图像从rgb空间转化到L*a*b*空间，利用L*a*b*空间中待测点与标准点的欧几里得距离的大小判断待测彩色CCD芯片的色彩质量。本发明适用性强，稳定性高，色彩亮度值测量准确的优点，可用于对彩色CCD芯片质量的选择。
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