公开(公告)号：CN111819425A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201880090904.4

申请日：2018-03-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原晋治 ,  太田尚城 ,  青木进 ,  小村英嗣 ,  海津明政

IPC: G01J1/02

Abstract: 本发明提供一种热利用装置，其抑制配线层的电阻的增加，并且配线层(10)的热阻增加。热利用装置(1)具有电阻根据温度而变化的热敏电阻(7)；以及连接于热敏电阻(7)的配线层(10)。配线层(10)中的声子的平均自由行程比由配线层(10)的材料构成的无限介质中的声子的平均自由行程小。

公开(公告)号：CN110007254A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811424734.7

申请日：2018-11-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  沟口义之

IPC: G01R33/038 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明的一种实施方式的传感器系统，具备：物理量分布发生源，产生物理量分布；以及多个传感器封装件，各自具有检测物理量的传感器芯片。在包含多个传感器封装件的面内，各个传感器芯片的中心位置在从传感器封装件的中心位置向接近物理量分布的中心位置的方向移动的位置；从物理量分布的中心位置到多个传感器封装件的各个传感器芯片的中心位置的距离实质上相等。

公开(公告)号：CN109490799A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811069288.2

申请日：2018-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城

IPC: G01R33/06 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明所涉及的磁传感器具备第1磁轭、第2磁轭、第1磁阻效应元件、第2磁阻效应元件、用于使电流流到第1以及第2磁阻效应元件的电流通路。第1以及第2磁轭分别接受包含平行于第1假想直线Lz的方向的输入磁场分量的输入磁场并产生输出磁场。输出磁场包含平行于与第1假想直线Lz相正交的第2假想直线Lx的方向的输出磁场分量。第1以及第2磁阻效应元件分别生成对应于第1以及第2磁轭所产生的输出磁场的输出磁场分量的检测值。第1以及第2磁轭分别导通于第1以及第2磁阻效应元件。

公开(公告)号：CN108572738A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711261103.3

申请日：2017-12-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城

IPC: G06F3/02 ,  H03K17/972

Abstract: 本发明涉及键输入装置。键输入装置具备：键顶，其通过按压操作而能够升降移动；第一基材，其具有位于键顶侧的第一面及与该第一面相对的第二面，支承键顶并且设置为能够与键顶一起升降移动；第二基材，其设置于键顶的升降移动方向上的键顶和第一基材之间，具有位于第一基材侧的第一面及与该第一面相对的第二面；磁场产生部；磁传感器部，其包含检测从磁场产生部产生的磁场的磁检测元件；吸附部，其由能够吸附磁场产生部的软磁性材料构成，在第一基材的第一面及第二基材的第一面中的任一方设置有磁传感器部和吸附部，在另一方以与吸附部相对的方式设置有磁场产生部。

公开(公告)号：CN108461627A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201711159781.9

申请日：2017-11-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  高杉圭祐

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/12

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/05 ,  H01R43/12

Abstract: 本发明提供一种容易确保磁轭的高度并且容易引导磁场感测膜检测磁场的方向上的磁通的磁传感器。磁传感器包括：第一磁场检测元件(21)，具有检测第一方向(X)上的磁场的第一磁场感测膜(38)；和第一磁轭(23)，包括相对于第一方向(X)位于第一磁场感测膜(38)的一侧上的第一部分(23a)和在与第一方向(X)正交的方向(Z)上与第一部分(23a)接触的第二部分(23b)。第二部分(23b)在第一方向(X)上的平均尺寸大于第一部分(23a)在第一方向(X)上的平均尺寸。

公开(公告)号：CN107894575A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710575333.0

申请日：2017-07-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，该磁阻效应元件具备排列成阵列状的多个磁阻效应层叠体和将多个磁阻效应层叠体串联电连接的多个引线电极，电连接于多个磁阻效应层叠体中的第一磁阻效应层叠体的层叠方向上的第一面的第一引线电极和电连接于在串联方向邻接的第二磁阻效应层叠体的层叠方向上的第一面的第二引线电极以不使磁阻效应层叠体介于它们之间的方式电连接。

公开(公告)号：CN100478666C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610091569.9

申请日：2006-06-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  桑岛哲哉

IPC: G01L9/06 ,  G01P15/12 ,  G01N27/04 ,  G01B21/30

CPC classification number: G01P15/0894 ,  G01Q20/04

Abstract: 微结构、悬臂、扫描探针显微镜以及用于测量微结构的形变量的方法。针对在其至少一部分处产生弹性形变的微结构，希望在希望的位置、以希望的形状和尺寸设置高效率并且高灵敏度的极小尺寸的多个传感器。此外，还要求便于对多个部件进行组装和调节，使检测电路小型化并简化，并测量微结构的细微部分的局部位移。所公开的微结构是悬臂(1)，其梁部(14)产生弹性形变。该悬臂(1)设置有通过隧道效应检测梁部(14)的弹性形变的传感器(12)。

公开(公告)号：CN100478665C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610067044.1

申请日：2006-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桑岛哲哉 ,  太田尚城

IPC: G01L9/02 ,  G01P15/12

CPC classification number: G01L1/005 ,  G01P15/0894 ,  G01P15/18 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种不受因下部电极和上部电极的热膨胀系数差异而造成的漂移的影响、并且不易受来自外来磁场的影响的具有通用性的穿隧效应元件。所公开穿隧效应元件(1)具有：形成有穿隧势垒的绝缘层(11)；形成于绝缘层(11)下面的具有导电性的下部电极(12)；形成于绝缘层(11)上面的具有导电性的上部电极(13)；形成于绝缘层(11)、下部电极(12)和上部电极(13)周围，把检测对象物的举动传递给绝缘层(11)的传递部件(5)。