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公开(公告)号：CN113013144B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201911319318.5
申请日：2019-12-19
Applicant: 上海川土微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种新型数字隔离器芯片，包括：设于原边侧的发射模块，用于将数字信号整形调制后进行发射；设于副边侧的接收模块，用于将接收到的高频差分信号解调，并增强驱动能力后输出；以及设于原边侧与副边侧之间的隔离模块；所述隔离模块包括第一裸芯、第二裸芯及第三裸芯，所述第三裸芯串接在所述第一裸芯、所述第二裸芯之间。本发明在原隔离模块的两个耐压隔离电容之间串接熔断器，当数字隔离器芯片被高压击穿时，在熔断器两端形成高阻态，限制了输入与输出间的直流电流，对低压侧的人员和设备起到了很好的保护作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111313836B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201811516669.0
申请日：2018-12-12
Applicant: 上海川土微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种抑制闪烁噪声上变频过程的压控振荡器，涉及集成电路领域，所述振荡器包括与数字控制字输出端口连接的数字控制负阻单元、并联开关变容管阵列、谐振腔并联电容阵列，与数字控制负阻单元连接的固定负阻单元、谐振腔并联电感，所述数字控制负阻单元还与谐振腔并联电容阵列连接。本发明解决了现有技术中压控振荡器的近频相位噪声恶化的问题，使得本发明的压控振荡器与传统的传统压控振荡器相比近频相位噪声至少提高了6dB。
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公开(公告)号：CN111312696B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201811516650.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 上海川土微电子有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明提供一种用于提高数字隔离器芯片耐压值的隔离电容，涉及数字隔离器芯片领域，所述隔离电容包括下极板、上极板以及依次设置于下极板和上极板之间的SiO2层和钝化层，所述钝化层为SiO2和Si3N4的叠加，所述钝化层的厚度为2～3um，SiO2层的厚度为8～9um。本发明解决了现有技术中电容隔离器芯片的耐压值不能满足增强型隔离耐压要求的问题。
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公开(公告)号：CN113013144A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911319318.5
申请日：2019-12-19
Applicant: 上海川土微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种新型数字隔离器芯片，包括：设于原边侧的发射模块，用于将数字信号整形调制后进行发射；设于副边侧的接收模块，用于将接收到的高频差分信号解调，并增强驱动能力后输出；以及设于原边侧与副边侧之间的隔离模块；所述隔离模块包括第一裸芯、第二裸芯及第三裸芯，所述第三裸芯串接在所述第一裸芯、所述第二裸芯之间。本发明在原隔离模块的两个耐压隔离电容之间串接熔断器，当数字隔离器芯片被高压击穿时，在熔断器两端形成高阻态，限制了输入与输出间的直流电流，对低压侧的人员和设备起到了很好的保护作用。
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公开(公告)号：CN112924740A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911235627.4
申请日：2019-12-05
Applicant: 上海川土微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于电容隔离的采样装置，包括：设于原边侧的信号输入模块，用于接收采样信号；设于副边侧的信号输出模块，用于输出采样信号；所述原边侧与所述副边侧之间接有多个电容隔离模块，用于对采样信号的输入和输出进行高压隔离。本发明采用电容隔离技术，在高精度实现电流采样的同时，还能够实现隔离电压较高，同时受到磁场变化的影响较小，非常适合高隔离、高精度的电流检测场合。
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公开(公告)号：CN111312696A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811516650.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 上海川土微电子有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明提供一种用于提高数字隔离器芯片耐压值的隔离电容，涉及数字隔离器芯片领域，所述隔离电容包括下极板、上极板以及依次设置于下极板和上极板之间的SiO2层和钝化层，所述钝化层为SiO2和Si3N4的叠加，所述钝化层的厚度为2～3um，SiO2层的厚度为8～9um。本发明解决了现有技术中电容隔离器芯片的耐压值不能满足增强型隔离耐压要求的问题。
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