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公开(公告)号：CN106546508B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710045700.6
申请日：2017-01-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01N5/02
Abstract: 本发明提供了一种吸附材料吸附性能恒温水浴实验对吸附床定时自动称重装置及方法，主要解决恒温吸湿实验测定中为记录质量需要中断实验而导致实验不易控制的问题。其中，自动称重装置包括：称重器，包括称重器本体和设置在称重器本体上的称重托盘；升降机构，与称重器配合以使称重器与吸附床沿竖直方向上下移动；实验装置，配合升降装置提供实验所需恒温环境。该自动称重装置不需要中断实验即可测量吸附材料吸附吸附质后吸附床质量的变化，使实验稳定长时间进行，提高实验测定的准确率，减轻实验人员的工作量。
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公开(公告)号：CN106495089B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610976479.1
申请日：2016-10-31
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法，包括获取约束晶面的实验刻蚀速率；建立Q‑RPF石英湿法刻蚀工艺表面原子移除概率函数并确定待优化目标参数；利用KMC动力学蒙特卡洛算法计算种群中各约束晶面模拟刻蚀速率；生成目标参数的初始优化种群并利用遗传算法不断优化各个体目标参数的取值；判断约束晶面仿真刻蚀速率和实验刻蚀速率是否实现拟合，满足则输出最优个体目标参数；不满足则将最优个体目标参数编码和遗传变异，生成下一代种群，进入新一轮循环；将最优个体目标参数代入KMC动力学蒙特卡洛湿法刻蚀半球模型，输出全晶面刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN108261791A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810262692.5
申请日：2018-03-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种稳定可调节的液体降膜蒸发装置，包括支撑装置，所述支撑装置上可调节设置有蒸发管，所述蒸发管上段外侧设置有热电偶且下段外侧设置有加热圈，所述蒸发管入口通过导管连接注射泵，所述热电偶连接温度采集模块，所述加热圈和注射泵均连接控制器并由控制器控制动作。本发明采用控制器控制液体流量和加热功率，设置的蒸发管支撑装置可以根据需求调节蒸发管的倾斜角度，本发明方便改变蒸发条件，操作简单，自动化程度高，可以实时显示监控实验状态，精确控制液体流量和加热功率。
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公开(公告)号：CN107915202A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711116397.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种快速确定石英任意切向晶面湿法刻蚀结构形貌的方法，步骤包括：以 晶向作为北极点的石英半球进行湿法刻蚀并获得石英半球速率，利用对称性获得全球速率矩阵；为了确定石英给定晶向上的某一角度的掩膜的刻蚀结构面，需根据此晶向相对于 的空间角度对全球速率矩阵进行旋转变换以及插值；从速率矩阵中找出对应掩膜横截面角度的某个环的速率，根据此晶向与 晶向的位置关系选取180°或者270°范围内速率并进行二阶差分；做出二阶差分后的正向极大值以及北极点位置的速度矢量图以及各个矢量平行于掩膜边界的垂面，这些垂面所围成的轮廓即是石英在此刻蚀环境下刻蚀结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104462711B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410803809.8
申请日：2014-12-22
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 公开了一种表面活性剂作用下的单晶硅全晶面刻蚀速率的获取方法，包括：1，获取约束晶面的实验刻蚀速率；2，确定目标参数的取值范围和生成目标参数的优化种群；3，建立表面活性剂作用下的蒙特卡罗S‑AEP硅原子移除概率函数并计算目标原子的刻蚀概率；4，计算种群中各个体的约束晶面模拟刻蚀速率；5，选取某一约束晶面作为基准晶面并计算种群中各个体的约束晶面仿真刻蚀速率；6，利用个体适应度评价方法筛选出种群中最优个体；7，判断最优个体的约束晶面仿真刻蚀速率是否满足输出条件，满足则输出最优个体并生成单晶硅全刻蚀速率曲线；不满足则将最优个体编码并遗传变异，生成下一代种群，进入新一轮循环。
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公开(公告)号：CN106647898A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710049664.0
申请日：2017-01-23
Applicant: 东南大学
IPC: G05D27/02
CPC classification number: G05D27/02
Abstract: 本发明提供气体浓度调节装置和气体浓度调节装置及方法，包括恒温水浴槽（5）、气体混合箱（6）及控制模块；气体混合箱（6）设置在所述恒温水浴槽（5）内；在恒温水浴槽（5）内设有加热器；在气体混合箱（6）内设有湿度传感器、温度传感器以及VOC浓度传感器；在气体混合箱（6）上设有进气孔、加湿循环孔、VOC浓度循环孔以及输出混合后气体的导出管（7）；进气孔连接除湿装置（2），加湿循环孔连接加湿装置（3），VOC浓度循环孔连接加VOC装置（4）；除湿装置（2）通过气泵与导入管（1）连接。本发明的气体温度、湿度及VOC浓度控制装置以及方法可根据具体实验参数进行控制模式以及控制参数的配置，控制精度高，可靠性、可重复性和稳定性好。
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公开(公告)号：CN106546508A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710045700.6
申请日：2017-01-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01N5/02
CPC classification number: G01N5/02
Abstract: 本发明提供了一种吸附材料吸附性能恒温水浴实验对吸附床定时自动称重装置及方法，主要解决恒温吸湿实验测定中为记录质量需要中断实验而导致实验不易控制的问题。其中，自动称重装置包括：称重器，包括称重器本体和设置在称重器本体上的称重托盘；升降机构，与称重器配合以使称重器与吸附床沿竖直方向上下移动；实验装置，配合升降装置提供实验所需恒温环境。该自动称重装置不需要中断实验即可测量吸附材料吸附吸附质后吸附床质量的变化，使实验稳定长时间进行，提高实验测定的准确率，减轻实验人员的工作量。
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公开(公告)号：CN106495089A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610976479.1
申请日：2016-10-31
Applicant: 东南大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00428
Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀石英晶体少量晶面获取全晶面刻蚀速率的方法，包括获取约束晶面的实验刻蚀速率；建立Q-RPF石英湿法刻蚀工艺表面原子移除概率函数并确定待优化目标参数；利用KMC动力学蒙特卡洛算法计算种群中各约束晶面模拟刻蚀速率；生成目标参数的初始优化种群并利用遗传算法不断优化各个体目标参数的取值；判断约束晶面仿真刻蚀速率和实验刻蚀速率是否实现拟合，满足则输出最优个体目标参数；不满足则将最优个体目标参数编码和遗传变异，生成下一代种群，进入新一轮循环；将最优个体目标参数代入KMC动力学蒙特卡洛湿法刻蚀半球模型，输出全晶面刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN102384928A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110239932.8
申请日：2011-08-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种测量高导热性固体材料热导率的测量装置，其特征在于：该装置包括相对设置的第一隔热材料（21）和第二隔热材料（22），夹设在第一隔热材料（21）和第二隔热材料（22）之间的被测的高导热试件（1），设在被测的高导热试件（1）上的薄膜加热器（3），设在薄膜加热器（3）中心的中间温度传感器（4），设在被测的高导热试件（1）边缘的边缘温度传感器（5），其中，被测的高导热试件（1）的中部覆盖薄膜加热器（3）。本发明还提供了一种测量高导热性固体材料热导率的方法。本发明提出的装置和方法能测定高导热性固体材料的热导率，并且达到较高的测量精度。
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