公开(公告)号：CN220155599U

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202321008240.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学深圳研究院

Inventor： 伞海生 ,  丁錾 ,  刘尚宇

IPC: H01M10/46 ,  G21H1/06

Abstract: 一种辐伏‑锂电一体化电池，包括从上到下依次设置的集流体、负极和隔膜以及填充于电池内的锂电电解液；还包括导电材料、半导体纳米棒阵列薄膜、活性材料层、同位素辐射源以及底部电极；所述半导体纳米棒阵列薄膜垂直设于底部电极上；所述活性材料层附着在半导体纳米棒阵列薄膜的表面或者填充在半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方、或者与导电材料混合后填充于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方；所述同位素辐射源设于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙中。本实用新型集辐伏发电和锂电池储能结构一体化，具有将同位素的辐射能转换为电能并利用锂电结构储能的功能，该电池提高了同位素电池的能量利用效率和输出功率。

公开(公告)号：CN220520144U

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202321901913.1

申请日：2023-07-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 伞海生 ,  李志伟

IPC: B81B7/00 ,  H05B3/00 ,  H05B3/02 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 一种自封装温度自监测热红外发射芯片，包括硅基发光薄膜和玻璃基底；所述玻璃基底设有空腔，并与硅基发光薄膜通过阳极键合密闭；所述硅基发光薄膜同时也作为芯片有源结构的封装薄膜，实现芯片自封装目的；硅基发光薄膜从下至上包括加热电阻和测温电阻、隔离氧化硅层、硅器件层、红外辐射层；加热电阻与测温电阻设于隔离氧化硅层的表面，并密封于玻璃基底的空腔中，分别通过掩埋电极连接电极焊盘与外部相连，实现原位监测硅基发光薄膜的温度并避免加热电阻和测温电阻的氧化；隔离氧化硅层设于硅器件层的表面，红外辐射层置于硅器件层的另一表面；玻璃基底的背面和空腔底部设有红外反射层，用于把加热电阻产生的红外光反射回加热电阻。

公开(公告)号：CN207611620U

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201721850509.0

申请日：2017-12-26

Applicant: 深圳贝塔能量技术有限公司 ,  厦门大学深圳研究院

Inventor： 陈继革 ,  伞海生

IPC: G21H1/04 ,  G21H1/06

Abstract: 本实用新型公开了一种量子点贝塔伏特电池，其包括置于底部电极(5)和顶部电极(1)之间的半导体纳米管阵列薄膜(4)，所述半导体纳米管的管内壁上涂有量子点层(7)，所述量子点层(7)上又涂有固态同位素辐射源层(3)，或者所述量子点层(7)所围成的管状空间填充有气态或液态同位素辐射源。本实用新型向半导体纳米管中引入量子点，提高了贝塔伏特电池的短路电流和开路电压以及能量转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利