一种实时单板工作状态信息采集系统及方法

    公开(公告)号:CN111707931A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010718556.X

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提供一种实时单板工作状态信息采集系统,包含:采集层,用于实时采集单板工作状态数据、芯片工作状态数据;数据层,根据单板、芯片工作状态数据和数据层存储的单板正常工作状态数据、芯片正常工作状态数据生成初步运行状态判断信息,并生成包含单板工作状态数据、芯片工作状态数据、初步运行状态判断信息的融合数据帧;应用层,根据接收的融合数据帧判断单板、芯片是否正常工作,并定位非正常工作的芯片,应用层还根据其判断结果和定位结果生成对应的诊断结果数据帧;通信层,将应用层发送的所述融合数据帧、诊断结果数据帧转发至外部终端。本发明提供一种实时单板工作状态信息采集方法。

    一种用于开关柜局部放电检测的可重构天线传感器

    公开(公告)号:CN110927541A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911247988.0

    申请日:2019-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种用于开关柜局部放电检测的可重构天线传感器,其可重构天线由两个同中心的正方环形微带贴片组成,每个正方环形微带贴片上均设有若干可控制的射频开关,通过改变这些射频开关的工作状态,即可改变天线的有效长度,进而改变天线的工作频率。整套装置通过依次连接的局部放电信号采集模块、频段分析选择模块、微处理器和射频开关控制模块进行可重构天线的频段判断和结构重构控制。本发明体积小,使用方面,能够实现智能化的局放检测天线传感器的频率广域覆盖。

    配电网电缆线路的传输性能提升系统及方法

    公开(公告)号:CN107565546A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710631884.4

    申请日:2017-07-28

    Abstract: 本发明的提供配电网电缆线路的传输性能提升系统及方法,通过获取电缆护套层轴向各个位置的第一温度值、及电缆外沿轴向各个环境位置的第二温度值;根据第一温度值和第二温度值推算对应导体段的导体温度值;从各个导体温度值中获取导体温度最大值;根据导体温度最大值与第一预设上限温度值间的差距计算电缆的当前最大负载安全冗余量;根据当前最大负载安全冗余量来增大或限制增大电缆的负载,并且根据不同段的电缆相接的一或多种类型的电缆电缆中间接头及末端母排连接部件的运行状态(例如:局部放电、温度等参数)是否正常来对应形成一或多种限制条件来允许或限制电缆的负载增大;在确保线路设施安全的限制条件下,实现输电能力的最大效能的提升。

    一种用于杀菌釜的电动台车

    公开(公告)号:CN104261073B

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201410493893.8

    申请日:2014-09-24

    Abstract: 本发明公开了一种用于杀菌釜的电动台车,包括上机架和下机架,下机架的底部设有两对滚轮,上机架上设有两组相互平行且沿所述上机架长度方向设置的倍速链输送装置,上机架上且位于所述倍速链输送装置输送末端处设有一与上机架枢接的翻转架,两组倍速链输送装置之间设有一沿上机架长度方向设置的圆柱齿条,圆柱齿条与所述上机架轴承连接,圆柱齿条的上端面开设有两个呈前后分布的安装槽,安装槽内分别设有一钩子装置,且该钩子装置呈前后对称设置。本发明电动台车使得笼筐可以自动进出杀菌釜,大大减轻了劳动强度,且实现了产品后道连续的自动化生产,由此大为提高了生产效率。

    一种直流输电串并联转换器用控制系统中的驱动电路

    公开(公告)号:CN105391274A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510746927.4

    申请日:2015-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种直流输电串并联转换器用控制系统中的驱动电路,包括PMOS管Q3、NMOS管Q4和变压器T1,PMOS管Q3的基极和NMOS管Q4的基极连电阻R25,变压器T1包括输入线圈L1和输出线圈L2;NMOS管Q4的源极连输入线圈L1的同名端;NMOS管Q4的漏极接输入线圈L1的非同名端;输出线圈L2的同名端连二极管D3的正极,非同名端连二极管D7的正极;二极管D3的负极连二极管D4的正极、二极管D7的负极和NMOS管Q5的基极,NMOS管Q5的漏极连输出线圈L2的非同名端和NMOS管Q6的漏极,二极管D4的负极连肖特基二极管D5的负极和NMOS管Q6的源极,肖特基二极管D5连电阻R26,电阻R26与NMOS管Q6的漏极之间设有电阻R28和肖特基二极管D6。

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