公开(公告)号：CN201926603U

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201120020076.2

申请日：2011-01-21

Applicant: 大连海事大学

Inventor： 张会臣 ,  李杰

IPC: G01N7/10

Abstract: 本实用新型公开了一种测试材料性能的空化空蚀试验设备包括文丘里管、水槽、离心泵、管系、压力表A、压力表B、流量计、流量调节阀A、流量调节阀B和流量调节阀C，所述的文丘里管前端通过管系依次与压力表A、流量调节阀A、流量计、离心泵和水槽连接，其后端通过管系依次与压力表B、流量调节阀B和水槽连接。本实用新型通过调节流量调节阀A和调节流量调节阀A使文丘里管进出口端具有一定的压力差，从而在文丘里管喉部末端和出口锥角前部出现空化现象。本实用新型较为接近实际工况下流体中空化空蚀的发生过程。本实用新型的设备所需工作部件数目少，成本低廉，工艺操作过程简单，且空化空蚀实验性能稳定。

公开(公告)号：CN201634414U

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200920247747.1

申请日：2009-10-30

Applicant: 大连海事大学

Inventor： 张会臣 ,  李杰 ,  庞连云

IPC: B81B7/02 ,  B82B1/00 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本实用新型公开了一种硅材料基板，所述的硅材料基板包括硅基板、纹理层和成膜层，所述的纹理层在硅基板和成膜层之间，所述的纹理层是通过激光加工硅基板的表面获得的，所述的成膜层是通过自组装分子膜在纹理层上成膜来获得的，所述的纹理层具有微米-亚微米级的表面纹理结构，所述的纹理结构是点阵纹理、直线纹理或网格纹理。由于本实用新型在硅基板表面采用激光方法加工表面纹理结构并利用自组装技术在激光加工后的表面进行自组装分子膜的成膜，使原本亲水性的硅基板表面接触角达到160。左右，成为具有超疏水性能的硅材料基板。本实用新型的工艺操作过程简单，工艺所需药品均易于获得，成本较低，且制备得到的硅基板疏水性能较为稳定。