公开(公告)号：CN119716448A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411851079.9

申请日：2024-12-16

Applicant: 江阴市赛英电子股份有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 张子扬 ,  陈强 ,  薛晨涛 ,  梁琳

IPC: G01R31/26 ,  H01L23/10 ,  H01L23/13 ,  H01L21/52

Abstract: 本申请属于IGBT结温感知技术领域，具体公开了一种双弹簧针压接型IGBT及其结温感知方法。其中，IGBT芯片的发射极通过发射极钼片和发射极凸台，连接至功率发射极端子；发射极凸台的对角位置设置有缺角，在缺角位置放置发射极弹簧针；发射极弹簧针一端与IGBT芯片发射极接触，另一端与栅极印制电路板上裸漏的发射极焊盘接触，进而与开尔文发射极端子相连；开尔文发射极端子和功率发射极端子用于提取IGBT芯片开尔文发射极与功率发射极之间的寄生电感，以便获取芯片工作状态下的结温。通过本申请可以实现压接型IGBT芯片结温的感知。

公开(公告)号：CN119401986A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411408032.5

申请日：2024-10-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁琳 ,  徐墨赛

IPC: H03K3/57

Abstract: 本申请属于脉冲功率技术领域，具体公开了一种Marx发生器及其运行方法。该Marx发生器包括双面PCB板及依次连接的N级充放电级联单元；N级充放电级联单元中，级联顺序为奇数的各个第一单元依次布置在双面PCB板的一面，级联顺序为偶数的各个第二单元依次布置在双面PCB板的另一面；每个第一单元与其邻近连接的第二单元是通过双面PCB板中预设的通孔进行电连接的，N级充放电级联单元中的第一级单元在各级充放电级联单元完成充电，且收到触发信号的情况下，驱动发生器进行雪崩放电；最后一级单元连接负载，以在负载两端生成目标脉冲信号。通过本申请，可以有效降低Marx发生器内部线路的寄生电感，提升输出的脉冲信号的质量。

公开(公告)号：CN119310427A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411393431.9

申请日：2024-10-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁琳 ,  杨凤鸣

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请属于半导体器件分析领域，具体公开了一种用于SiC MOSFET的稳定性分析方法及系统，方法包括：确定SiC MOSFET的寄生参数；结合寄生参数，获取SiC MOSFET开关瞬态中两个反馈环路的反馈传递函数；所述两个反馈环路包括：电感反馈环路和电容反馈环路；将两个反馈环路的反馈传递函数分别在复频域展开，确定分别由两个反馈环路引入的栅源电压变化；栅源电压变化包括：幅值增益变化和相位变化；当栅源电压变化的总和未超出预设阈值时，SiC MOSFET处于稳定状态，否则SiC MOSFET处于不稳定状态。通过本申请，提供一种简洁明晰的SiC MOSFET开关稳定性的分析方法，为最大化提升SiC MOSFET性能提供技术指导。

公开(公告)号：CN118777820A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410760909.0

申请日：2024-06-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁琳 ,  张子扬

IPC: G01R31/26 ,  H03K17/567 ,  H01L23/34

Abstract: 本申请属于IGBT结温监测领域，具体公开了压接IGBT的在线监测和驱动电路、结温计算方法和系统。通过本申请，可以在PP IGBT的一个开关周期(100μs)内，不影响功率变换器正常运行情况下准确在线监测虚拟阈值电压；不需打开IGBT封装，直接把监测电路连接在器件端口处，实现非侵入性监测。将虚拟阈值电压作为一种新的温度敏感电参数(TSEP)，通过准确在线监测虚拟阈值电压，再根据虚拟阈值电压和结温之间的线性关系，在线计算结温。实现以下技术效果：1)响应时间短：在一个开关周期(100μs)内；2)与传统的方法相比，监测电路元件数目少；3)适用于任意压力情况，只需标定该压力下的结温‑虚拟阈值电压的拟合关系式。

公开(公告)号：CN118573155A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410729980.2

申请日：2024-06-06

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁琳 ,  陈晗 ,  温凯俊

IPC: H03K3/57 ,  G06F17/10

Abstract: 本申请公开了一种用于Marx发生器的触发电路及高重频脉冲发生器，其中，触发电路包括宽禁带半导体器件，宽禁带半导体器件的漏极分别与第一隔离电阻的一端、第一电容的一端相连，第一隔离电阻的另一端与Marx发生器的电源端相连，第一电容的另一端与Marx发生器中的第一级雪崩晶体管的基极和发射极相连；当Marx发生器充电结束后，驱动信号产生电路输出驱动信号驱动宽禁带半导体器件开通，产生纳秒级上升时间和百伏级幅值的脉冲触发信号。本申请可从根本上解决第二级雪崩晶体管损坏的问题，使其输出重复频率突破700kHz，同时还能提高相同级数下Marx发生器的输出脉冲幅值，并降低相同级数下输出脉冲的上升时间。

公开(公告)号：CN115987056A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211613607.8

申请日：2022-12-15

Applicant: 常州瑞华新能源科技有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 尚海 ,  梁琳 ,  邵凌翔 ,  孙祥玉 ,  陈晨

IPC: H02M1/00 ,  H05K1/18 ,  H05K1/02 ,  H02M1/32 ,  H02M1/44

Abstract: 本发明涉及电子电力器件技术领域，具体涉及一种驱动集成的高压SiC模块，包括上DBC板、SiC芯片和下DBC板，SiC芯片位于上DBC板和下DBC板之间，下DBC连接在所述基板上，下DBC板上连接有驱动器，基板上盖设有壳体，上DBC板及芯片位于基板与壳体之间的腔体内，基板及下DBC板伸出壳体，下DBC板伸出壳体的部位为第二连接部，驱动器与所述第二连接部连接，本申请中的某些实施例通过对模块内部的SiC芯片进行串联及驱动器外置的设计，在保证功率模块达到高阻断电压等级的条件下，寄生电感显著降低，有效降低了器件关断时的电磁干扰问题，这样的设计使得模块的体积大幅度减小，功率密度得到显著提高。

公开(公告)号：CN115881789A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202310002473.4

申请日：2023-01-03

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁琳 ,  卿正恒

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明公开了一种台阶状阴极发射极反向阻断双端固态闸流管及制备方法，双端固态闸流管为四层PNPN结构，且阴极侧和阳极侧均设有Al电极；阴极侧的N+发射极为台阶状结构，共有n级台阶，沿着第一级台阶至第n级台阶的方向，每一级台阶结深不断加深，结深处浓度逐渐降低；阳极侧的发射极P+掺杂浓度为1×1014cm‑3～1×1021cm‑3，深度为35μm～100μm，且阴极侧存在成千上万个直径为200μm～300μm的短路点；当n为3时，第一级台阶的掺杂浓度为1×1019cm‑3～1×1021cm‑3，结深为12μm～20μm，第二级台阶的掺杂浓度为1×1017cm‑3～1×1021cm‑3，其结深为17μm～25μm，第三级台阶的掺杂浓度为8×1016cm‑3～1×1021cm‑3，结深为21μm～29μm。台阶阴极发射极RBDT则是通过n次扩散阴极发射极，使得第n台阶阴极处的电压降适当增高，从而在相同的dv/dt触发脉冲下，能够增大RBDT芯片的开通面积，从而增大了RBDT芯片di/dt耐量。

公开(公告)号：CN114005743A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111191368.7

申请日：2021-10-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁琳 ,  卿正恒

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明公开了一种方片半导体脉冲功率开关及其制备方法，包括：(1)将n型Si芯片清洗干净后，采用激光在Si芯片的周边位置进行单面开第一槽，第一槽的形状为方形；(2)对开设有第一槽的Si芯片进行掺杂处理并形成pnpn结构；(3)在pnpn结构的阳极四周内边缘刻蚀第二槽；(4)在pnpn结构的阳极四周外边缘刻蚀第三槽；且第三槽的宽度大于第二槽的宽度，第三槽的深度大于第二槽的深度；(5)对开槽后的Si芯片进行保护；(6)根据需要将Si芯片切割成预设大小的方形后获得方片半导体脉冲功率开关。本发明通过增长n基区并减小n基区的浓度，同时在阳极开设第二槽和第三槽，槽的底端截面形状为圆弧状，能够改善终端电场分布，提高了RBDT的电压耐受能力。

公开(公告)号：CN113098317A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110383181.0

申请日：2021-04-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁琳 ,  黄鑫远

IPC: H02M9/04 ,  H02M3/28 ,  H03K3/02

Abstract: 本发明提供了一种RBDT器件的触发电路及其在脉冲发生器的应用，使用基于DSRD器件的脉冲功率电路作为RBDT器件的触发电路，由于DSRD器件工作原理的特殊性，DSRD器件可以多个器件直接串联在一起使用，不存在多个全控开关管的触发的同步性要求，可以提高脉冲发生器的可靠性，此外基于DSRD器件的触发电路相比于现有的Marx发生器体积更为紧凑，需要的全控开关管数目更少，可以减小脉冲发生器的体积，简化脉冲发生器的控制，而且基于DSRD器件的触发电路输出电压上升率更高，可以优化RBDT器件的工作特性，提高脉冲发生器的效率。采用含有可饱和变压器的DSRD器件的触发电路拓扑，可以降低对原边开关管Q的耐压等级要求，节省脉冲发生器的成本。

公开(公告)号：CN113076669A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110316014.4

申请日：2021-03-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁琳 ,  黄鑫远

IPC: G06F30/23 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明提供一种用于快速离化器件的数值仿真方法及系统，包括：确定快速离化器件的待仿真区域及其尺寸，利用相互垂直的线段将待仿真区域划分为多个网格，根据各个网格点对应的快速离化器件的掺杂情况赋予各个网格点的掺杂浓度值；选用漂移扩散模型及对应的模型参数，以及电子和空穴迁移率模型、复合率模型以及产生率模型求解快速离化器件动态触发过程中的器件特性；基于各个网格点的掺杂浓度值，将漂移扩散模型中的微分方程离散化，得到离散化处理后的漂移扩散模型；基于离散化处理后的模型采用牛顿迭代法同时求解各个网格点上的器件特性参数，以完成对器件动态触发过程中不同时刻的器件特性进行数值仿真。本发明可以用于器件动态过程的仿真。