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公开(公告)号：CN100336125C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200410045805.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种光信息记录介质，具有至少两个信息层。设置在前侧(从激光入射侧观察)的第一信息层(100)至少包括：反射层(3)；相对于反射层(3)设置在激光入射侧的记录层(6)，用于产生通过施加激光束光学地进行检测的、非晶相和晶相之间的可逆变化；以及设置在反射层(3)和记录层(6)之间的介电层(50)。所述介电层50至少包括锆、硅和铬，在反射层侧的介电层(50)的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝p∶q∶r(p+q+r＝100)，在记录层侧的接触面附近的介电层中的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝s∶t∶u(s+t+u＝100)，并且r＜u，或t＜q。
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公开(公告)号：CN1954376A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200680000195.3
申请日：2006-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/547 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、且反复改写性能优越、信号保存性良好的信息记录介质。为此，在信息记录介质(15)中，至少具备一个具有发生相变的记录层(104)的信息层(16)，信息层(16)中的至少一个具有：与记录层(104)的一方的面接触、含有Cr和O的Cr含有层；和与上述记录层的另一方的面接触、含有In和O的In含有层。
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公开(公告)号：CN1677525A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510054377.6
申请日：2005-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00456 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种具有很高的用于记录信息的记录灵敏性和优异的重复重写性能的信息记录介质。该信息记录介质至少具有记录层和介电层，记录层在应用激光束或电流时能够在晶相和非晶相之间变化，介电层至少含有C、Si、Sn和O。一种替代方案是，该信息记录介质中包括至少两个信息层和一个介电层，至少一个信息层包括在应用激光束或电流时能够在晶相和非晶相之间变化的至少一个记录层，介电层至少含有C、Si、Sn和O。
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公开(公告)号：CN1577549A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058644.2
申请日：2004-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的信息记录介质包含至少一种如下的氧化物基材料层：(I)含有Zr，选自由La、Ga和In组成的组GL1中的至少一种元素，和氧的氧化物基材料层；(II)含有M1(M1为Hf，或为Zr和Hf的混合物)，选自由La、Ce、Al、Ga、In、Mg和Y组成的组GL2中的至少一种元素，和O的氧化物基材料层；(III)含有选自由Zr和Hf组成的组GM2中的至少一种元素、选自组GL2中的至少一种元素、Si和O的氧化物基材料层；(IV)含有选自组GM2中的至少一种元素、选自组GL2中的至少一种元素、Cr和O的氧化物基材料层。例如，这种氧化物基材料层可以用作介电层(2、6)。
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公开(公告)号：CN1577548A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058643.8
申请日：2004-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/252 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 在本发明的信息记录介质中，在基片(1)的一面上形成有记录层(4)和第一介电层(2)和第二介电层(6)。在记录层中，通过光照射或施加电能来进行信息的记录和/或再生。所述介电层是：含有选自由Sn、Ga和Zn组成的GM组中的至少一种元素的氧化物，和选自由Al、Si和B组成的GL组中的至少一种元素的氧化物和/或氮化物的氧化物基材料层或氧化物－氮化物基材料层；或含有选自La和Ce中的至少一种元素的氟化物，和选自GM组中的至少一种元素的氧化物的氧化物－氟化物基材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1428775A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157408.1
申请日：2002-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了记录层和介电体层之间即使不设界面层也能确保高可靠性、良好的反复改写性能的信息记录介质。在基板1的表面上形成记录层4和介电体层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在晶相和非晶相之间产生相转变，介电体层2和6是例如用式(ZrO2)M(Cr2O3)100－M(摩尔％)(式中M在20≤M≤80)表示的材料组成的Zr－Cr－O基材料层。
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公开(公告)号：CN1424720A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02155784.5
申请日：2002-12-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2403 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供在高密度记录中不设界面层还能获得可靠性与重复改写性能两者兼优的信息记录介质，其解决手段是在基板上至少装备记录层(4)和反射层(8)，记录层通过光学手段或电学手段在晶相和非晶相之间引起相变，在基板上还装备由表记为(ZrO2)x－(Zn－S)100－X(摩尔％)、且X处于50≤X≤80范围内的材料构成的介电体层(2)、(6)。
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公开(公告)号：CN102918593A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201280001449.9
申请日：2012-02-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/2433 , G11B7/2578 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/24027 , G11B7/24035 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法。该信息记录介质包括3个以上的信息层，且至少一个信息层包括记录层和核生成层，记录层含有由化学式(1)即[(Ge0.5Te0.5)x(In0.4Te0.6)1-x]ySb100-y(mol％)表示且x满足0.8≤x＜1.0、y满足95≤y＜100的材料，并且核生成层含有由化学式(2)即(Ge0.5Te0.5)z(Bi0.4Te0.6)100-z(mol％)表示且z满足10≤z≤71的材料，并且核生成层与记录层相接的信息记录介质，即使形成较小的记录标记，也能够得到足够的信号振幅，并稳定地保存较小的记录标记。
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公开(公告)号：CN102884577A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201280001113.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/241 , G11B7/2548 , G11B7/257 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24041 , G11B7/252 , G11B7/2578 , G11B7/266
Abstract: 本发明提供一种光学信息记录介质，其包含三层以上的信息层，被配置在光入射侧的至少一个信息层是能够改写信息的信息层，在从光入射侧按如下顺序至少具有记录膜、由包含Bi、Ti以及O的电介质构成的透过率调整膜、以及隔离膜的信息记录介质中，将所述隔离膜设置为：在所述透过率调整层和在与光入射侧相反侧使所述信息层与其它信息层分离的中间分离层之间且与它们相接，并且将所述隔离膜的波长405nm处的光学常数的折射率设为1.8以下，且衰减系数设为0.05以下，防止在严酷的环境下的反复改写特性的变差。
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公开(公告)号：CN102037511B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980118612.8
申请日：2009-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/09 , G11B7/095 , G11B7/1387 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/1387 , G11B7/094 , G11B7/0956 , G11B7/24038 , G11B7/2578
Abstract: 本发明的光学信息记录再生装置包括：将产生的近场光聚光于光盘(1)的聚光部(11)、接收由光盘(1)反射的光并输出与所接收到的光的光量相对应的电信号的第一检测器(17)、以及利用从第一检测器(17)输出的电信号控制聚光部(11)与光盘(1)的光入射面的距离的距离控制电路(22)，其中，光盘(1)具有至少N(N为2以上的整数)层信息层，从光入射面到距离光入射面最远的第一信息层的距离d0与从光入射面到最接近光入射面的第N信息层的距离dn之间满足dn≥d0×(1/25)的关系。由此，在具有多层信息层的光盘的任意信息层上记录或再生信息时都能够正确地进行伺服控制。
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