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公开(公告)号：CN1276441C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN03125584.1
申请日：2003-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/662 , H01F3/10 , H01F27/28 , H01F30/10 , H01F2038/003
Abstract: 本发明的目的是提供可以小型化、可以大幅度减小在印刷电路板上设置面积的磁控管驱动用的升压变压器。该磁控管驱动用的升压变压器通过使两个铁氧体铁芯(18A，18B)隔着空隙相对配置，形成由中铁芯部(A1，B1)、外铁芯部(A3，B3)和连接该中铁芯部和该外铁芯部的连接铁芯部(A2，B2)组成的磁回路，并使初级线圈(181)和次级线圈(182)分别围绕中铁芯(A1，B1)配置而形成，在该磁控管驱动用的升压变压器中，使中铁芯(A1，B1)的横截面积大，使初级线圈181以及次级线圈182的径向匝数增多而且在轴向的匝数减少，使初级线圈和次级线圈接近配置，使中铁芯(A1，B1)的横截面积与外铁芯(A3，B3)的横截面积的比减小到2∶1以下。
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公开(公告)号：CN1774958A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480009784.9
申请日：2004-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/685 , H01L2924/0002 , Y02B40/143 , H01L2924/00
Abstract: 本发明构造了一种构成，使得旁路电阻器30与能够测量高频加热装置的单向电源部分1的输出电流的部分串联，并且在旁路电阻器30产生的电压被缓冲器31输出。而且，具有高输入阻抗的运算放大器3101被用于缓冲器31。而且，二极管电桥101和半导体开关元件205被固定到公共的热辐射板33，所述热辐射板33是使用锯齿状的部分33a形成的，以由此保证与二极管电桥101和半导体开关元件205的绝缘距离，并且旁路电阻器30被布置在与在二极管电桥101和半导体开关元件205之间的直线相同的直线上。
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公开(公告)号：CN1148861C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN00802068.X
申请日：2000-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H05B6/04 , H02M3/33569 , H05B6/66 , Y02B40/143
Abstract: 一种变换器电路，由以下一种简单结构构成：一端与直流电源(21)相连的电感元件(初级线圈)(23)；与之并联的第一电容器(24)；第二开关元件(27)和第二电容器(25)的串联电路；初级线圈(23)、第一电容器(24)和串联电路另一端相连的公共连接点；用于开启和关断直流电源(21)和其他部分之间的控制的第一开关元件(26)，以及连接在第二开关元件(27)的控制端和公共连接点之间的驱动信号发生装置(阻抗)。
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公开(公告)号：CN1125578C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN99809379.3
申请日：1999-08-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/66
CPC classification number: H05B6/666 , H05B2206/043 , H05K1/0254 , H05K1/18
Abstract: 一种高频加热装置，包括驱动磁控管的电路。电路包括漏泄变压器、与所述漏泄变压器初级线圈串联连接的第二电容器、与所述初级线圈和第二电容器的串联电路并联连接的第二开关器件、与所述第二开关器件并联连接的第一电容器、以及与所述第二开关器件串联连接的第一开关器件。在本发明的结构下，开关器件和漏泄变压器，二者都是电路的关键元件，可以分别被共同用在200V-240V商用电源的电路上或是100V-120V商用电源的电路上。从而能够进行关键元件的批量生产，导致从降低元件的成本以及加热装置的成本上受益。
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公开(公告)号：CN1311975A
公开(公告)日：2001-09-05
申请号：CN99809379.3
申请日：1999-08-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/66
CPC classification number: H05B6/666 , H05B2206/043 , H05K1/0254 , H05K1/18
Abstract: 一种高频加热装置,包括驱动磁控管的电路。电路包括漏泄变压器、与所述漏泄变压器初级线圈串联连接的第二电容器、与所述初级线圈和第二电容器的串联电路并联连接的第二开关器件、与所述第二开关器件并联连接的第一电容器、以及与所述第二开关器件串联连接的第一开关器件。在本发明的结构下,开关器件和漏泄变压器,二者都是电路的关键元件,可以分别被共同用在200V－240V商用电源的电路上或是100V－120V商用电源的电路上。从而能够进行关键元件的批量生产,导致从降低元件的成本以及加热装置的成本上受益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1030339A
公开(公告)日：1989-01-11
申请号：CN88102529
申请日：1988-04-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/666 , H02M3/33507 , H02M3/33523 , H03B9/10 , H05B2206/043
Abstract: 在备有变换器电路，高压变压器和磁控管的磁控管供电装置中，为了使从向磁控管的阴极供给电力起到开始振荡达到额定输出为止的时间缩短而构成备有检出磁控管开始振荡时点的功能并在振荡一开始后即控制到额定输出，在高压变压器上设有输出电压检出用的线圈，用以检出磁控管的振荡。
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公开(公告)号：CN103716931B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310454359.1
申请日：2013-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 本发明提供高频介质加热用电力控制装置，其为了防止对磁控管（12）和漏磁变压器（2）的二次侧整流电路施加过大的电压并且缩短直到磁控管开始振荡所需的时间而具有磁控管振荡检测部（54），该磁控管振荡检测部（54）在检测到磁控管开始振荡之后，在经过了预定时间后使得磁控管振荡检测信息（23）有效，该高频介质加热用电力控制装置具有如下结构：根据磁控管振荡检测信息，切换到对磁控管的施加电压进行控制的电压控制或者对逆变器电源电路的输入电流进行控制的功率控制，并且将开关频率的最低频率切换为第1频率（f1）或比第1频率高的第2频率（f11）。
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公开(公告)号：CN103476163B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310467734.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/666 , H05B2206/043
Abstract: 本申请提供了一种状态检测装置，用于检测包括用于产生微波的磁控管的高频加热设备的操作状态，包括：阳极电流输入部分，其输入所述磁控管的检测的阳极电流；以及确定部分，其在预定时间周期期间多次读取与由所述阳极电流输入部分输入的阳极电流对应的阳极电压，并且基于多个所述阳极电压确定所述高频加热设备的操作状态，其中所述确定部分基于以下两者来确定所述高频加热设备的操作状态：（1）基于其中大于预定阈值的所述阳极电压被连续读取的次数的阈值控制；以及（2）基于由多次读取计算的所述阳极电压的每单位时间改变值的改变值检测。
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公开(公告)号：CN101461283B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200780020453.9
申请日：2007-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 提供了不受磁控管类型、特性变化、以及电源电压波动等影响的高频介质加热功率控制设备。该功率控制设备被提供有输入电流检测部分(71、72)，用于检测逆变器(10)的输入电流，其对交流电源电压(20)进行整流(31)，并通过执行电压的高频开关L来将其转换为高频功率。混合了来自输入电流检测部分的输入电流波形信息(90)和功率控制信息(91)的开关频率控制信号(92)被转换为逆变器的半导体开关元件(3、4)的驱动信号。
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公开(公告)号：CN101896019B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201010114146.0
申请日：2007-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 提供了不受磁控管类型、特性变化、以及电源电压波动等影响的高频介质加热功率控制设备。该功率控制设备被提供有输入电流检测部分(71、72)，用于检测逆变器(10)的输入电流，其对交流电源电压(20)进行整流(31)，并通过执行电压的高频开关L来将其转换为高频功率。混合了来自输入电流检测部分的输入电流波形信息(90)和功率控制信息(91)的开关频率控制信号(92)被转换为逆变器的半导体开关元件(3、4)的驱动信号。
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