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公开(公告)号：CN101883466A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010214773.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H05B41/285 , H02H3/08
CPC classification number: Y02B20/183
Abstract: 本发明公开了一种应用于电子镇流器中的波峰因数过流保护电路，主要解决目前电子镇流器谐振网络中的谐振电感无过流保护，使得电子镇流器寿命缩短的问题。本发明的波峰因数过流保护电路包括：电流采样电路、取均值电路和比较电路。其中取均值电路连接在电流采样电路与比较电路之间，用于对电流采样电路输出的瞬态电压信号进行求平均，并使其均值倍增，得到代表电感电流均值的平均电压信号，输入给比较电路的另一个输入端，比较电路对该平均电压信号与电流采样电路输人的瞬态电压信号进行比较，输出波峰因数过流保护信号，实现对不同电感的波峰因数过流保护，本发明可用于对电子镇流器的过流保护和对荧光灯的故障检测。
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公开(公告)号：CN115951743B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211483101.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻和第二电阻；第一PMOS管用于产生镜像电流并产生第一差分输出电压信号；第二PMOS管复制第一PMOS管的源极电流，并将其作为第二NMOS管的偏置电流；第一NMOS管作为驱动管为第一PMOS管提供偏置电流；第二NMOS管根据第二PMOS管提供的偏置电流产生第二差分输出电压信号。本发明的电压偏置电路，具备单端输入差分输出的特性，应用于基于差分压控延时单元的压控环形振荡器时，能够很好的改善其输入和输出电压‑频率特性；具体通过在现有的电压偏置电路中加入两个电阻，用于改善MOS管的输入和输出电压的非线性特性。
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公开(公告)号：CN115951743A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211483101.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻和第二电阻；第一PMOS管用于产生镜像电流并产生第一差分输出电压信号；第二PMOS管复制第一PMOS管的源极电流，并将其作为第二NMOS管的偏置电流；第一NMOS管作为驱动管为第一PMOS管提供偏置电流；第二NMOS管根据第二PMOS管提供的偏置电流产生第二差分输出电压信号。本发明的电压偏置电路，具备单端输入差分输出的特性，应用于基于差分压控延时单元的压控环形振荡器时，能够很好的改善其输入和输出电压‑频率特性；具体通过在现有的电压偏置电路中加入两个电阻，用于改善MOS管的输入和输出电压的非线性特性。
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公开(公告)号：CN113376999B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110635568.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明专利提出了一种用于具有大动态测量范围、高分辨性能的时间数字转换器(TDC)的特殊加法器的设计方法以及电路实现，主要包括格雷码与二进制码转换模块(1)、自校准模块(2)以及内部逻辑模块(3)。本发明所提出的特殊加法器主要用于实现在时间数字转换器中整数部分与分数部分计数值的加法合并，不仅能够将TDC中环形振荡器电路所产生的不同进制的周期整数部分数值和分数部分数值进行求和并转换为标准二进制码，而且在时序上还具有一定的纠错能力，能够确保TDC在整个时间测量到数值转换上的正确性。
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公开(公告)号：CN111240394A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010040061.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种带预稳压结构的无运放带隙基准电路，解决现有技术电源抑制比低、失调电压高的问题。本发明包括带隙核心单元(1)、输出单元(2)、预稳压单元(3)和启动单元(4)；带隙核心单元生成负温度系数电压VBE和正温度系数电压ΔVBE；输出单元产生带隙电压VBG和零温度系数电压VO；预稳压单元通过检测反馈电压VFB，产生稳定的预调节电压VREG，给带隙核心单元供电；启动单元检测预稳压单元输出的偏置电压VBIAS，输出启动信号Vstart至预稳压单元。本发明采用预稳压结构，提高基准电压的电源抑制比；未采用运放结构，削弱失调电压对基准电压的影响。本发明结构简单，可用于模拟集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111224669A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010161861.3
申请日：2020-03-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明提出了一种实现宽输入的Σ-Δ调制器的设计方法，旨在拓宽Σ-Δ调制器接收端所接收模拟信号的幅度范围，实现步骤为：构建Σ-Δ调制器模型；设置积分器类型；设置Σ-Δ调制器的参数；对每个增益单元的增益系数进行估计。本发明在现有Σ-Δ调制器的基础上，在最后一级加法器与采样单元之间加载了幅度削减增益单元，将最后一级加法器所输出的加和信号的幅度缩小β倍后输出削减信号至采样单元，保证了采样单元输出端级联的量化器所接收信号的幅度在量化器的可量化范围内，且通过确保削减信号的峰值幅度在量化器最大量化电平与次级量化电平之间以避免量化器所输出数字信号的位数减少，与现有技术相比，有效拓宽了Σ-Δ调制器接收端所接收模拟信号的幅度范围。
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公开(公告)号：CN111190456A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010036831.X
申请日：2020-01-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种高输入电压双环路稳定的线性稳压器，包括误差放大单元(1)，过流保护单元(2)，补偿电路单元(3)，二级放大单元(4)，电流采样单元(5)，第一PMOS管P1和第二PMOS管P2。误差放大器单元(1)，用于完成双端输入到单端输出的转换；过流保护单元(2)，用于实现过流保护功能；补偿电路单元(3)，用于保证在多种负载下环路的稳定性；二级放大单元(4)，用于将误差放大器的输出转换成与电源电压有关的两路控制信号。本发明存在误差放大单元主环路和过流保护环路两个环路，两个环路均有频率补偿电路，且频率补偿互不干扰。本发明适用于高电源电压且负载变化范围较大的供电环境。
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公开(公告)号：CN111045470A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010039813.7
申请日：2020-01-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路，该带隙基准电路包括电压调制单元(1)、带隙核心单元(2)和运算放大器单元(3)；电压调制单元屏蔽电源VDD上的噪声，产生调制电压VREF为带隙核心单元和运算放大器单元供电，提高电源抑制比；带隙核心单元产生零温度系数的带隙基准电压VBG；运算放大器单元保证第一钳位电压VA与第二钳位电压VB相等，输出反馈电压VF到带隙核心单元构成反馈环路，保证带隙基准电压VBG的稳定。本发明采用电压调制单元，有效提高电源抑制比；运算放大器单元失调电压小，提高了带隙基准电压的精度。本发明具有低失调电压、高电源抑制比的特点，可用于模拟集成电路。
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公开(公告)号：CN107342775B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710550331.6
申请日：2017-07-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种删余卷积码的维特比译码方法，主要解决为提高编码码率而删余引入大量误码从而导致无法正确译码的问题。其实现步骤为：1)设定编码码率和调整因子；2)输入待译码序列；3)按照删余模式在待译码序列中插入零数据；4)根据卷积码编码器结构画出对应网格图；5)计算待译码序列中的分支度量值；6)根据分支度量值计算累计度量值；7)设置终止条件并选取最优路径；8)回溯译码最优路径，输出译码输出序列。本发明采用对待译码序列引入调整因子，将序列改成非零序列处理，实现方法简单，运算复杂性低，有效改善了译码性能，减少了删余对译码的影响，可用于对无线通信中的数据处理。
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公开(公告)号：CN108037791B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810013863.0
申请日：2018-01-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种无运放的带隙基准电路，该带隙基准电路包括带隙核心单元、钳位单元和启动单元；带隙核心单元用于产生零温度系数基准电压VREF；钳位单元的输入端分别连接钳位电压VA和钳位电压VB，输出端连接基准电压VREF，与带隙核心单元构成负反馈，用于保证带隙核心单元输出的钳位电压VA与钳位电压VB相等；启动单元的输入端连接钳位电压VB，输出端输出启动信号Vstart至钳位单元，用于保证钳位单元和带隙核心单元在上电时迅速进入正常工作状态。本发明由于未采用运放结构，削弱了失调电压对基准电压VREF的影响，采用电阻比例补偿技术降低了基准电压的温度系数。本发明具有低温漂、低功耗、结构简单的优点，可用于对静态功耗要求高的芯片。
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