改善带状离子束的均一性的技术

    公开(公告)号:CN101371327A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200780002657.X

    申请日:2007-01-19

    Abstract: 本发明是有关一种用于改善带状离子束的均一性的技术。在一特定例示性实施例中,装置可包含第一修正器条总成以及第二修正器条总成,其中第二修正器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。第一修正器条总成中的第一多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的至少一细离子束偏转,藉此使细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。第二修正器条总成中的第二多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的一个或多个细离子束进一步偏转,藉此使细离子束以所要角度离开第二修正器条总成。

    工件的离子束铣削及其程度的确定和控制

    公开(公告)号:CN101069260A

    公开(公告)日:2007-11-07

    申请号:CN200580036411.5

    申请日:2005-08-24

    Abstract: 用于对工件进行受到引导的经过多次偏转的离子束铣削并确定和控制其程度的方法、装置和系统。提供离子束;并且引导所述提供的离子束并使所述提供的离子束产生至少两次偏转从而形成受到引导的经过多次偏转的离子束,其中所述受到引导的经过多次偏转的离子束被导向、入射且撞击在所述工件的表面上并且对所述工件表面进行铣削。装置包括离子束源组件;和用于引导所述提供的离子束并使所述提供的离子束产生至少两次偏转从而形成受到引导的经过多次偏转的离子束的离子束引导和多次偏转组件,其中所述受到引导的经过多次偏转的离子束被导向、入射且撞击在所述工件的表面上并且对所述工件表面进行铣削。

    离子注入装置
    54.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1961400A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200580009834.8

    申请日:2005-11-14

    Abstract: 本发明的课题是提供能抑制离子束的发散、能进行精细的扫描波形的控制、可得到约10°的大的扫描角的离子注入装置。在离子注入装置中,作成了具备如下的离子束扫描机构(10A)的结构:在离子束线上的规定部位上配置第1、第2、第3室(12A、14A、16A),第2室(14A),相对于第1、第3室(12A、16A)间隔第1、第2间隙(20A、22A)配置,第2室(14A)经在第1、第2间隙(20A、22A)中安装了的第1、第2这2对电极对(26A、28A)与第1、第3室(12A、16A)电绝缘,而且,第1、第2这2对电极对(26A、28A)以规定的角度与离子束的基准轴J在相反的方向上倾斜地相交,并且施加所希望的扫描波形的电位的扫描电源(40A)与第2室(14A)连接。

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