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公开(公告)号：CN109217578B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810803017.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 国家电网有限公司 , 国网新源水电有限公司 , 国网新源水电有限公司新安江水力发电厂
IPC: H02K15/00
Abstract: 本发明涉及检修平台，公开一种发电机上机架检修安全平台，包括第一底板，第一底板上安装有护栏杆，还包括控制器和启动开关，启动开关与控制器连接，护栏杆上安装有卷绳机，护栏杆下端部铰接有连杆，连杆的另一端与卷绳机中的绳索连接，连杆铰接有支撑杆，第一底板的两侧边固定有伸缩装置，伸缩装置包括气缸和伸缩在气缸内的伸缩杆，伸缩杆上设有安装槽，当卷绳机放下连杆时，连杆上的支撑杆伸入到安装槽内并通过磁性吸合连接。发电机上机架供人们行走的支架两侧面自动延伸出用于防护的连杆，给人们一种安全感，连杆又通过支撑杆与伸缩杆连接，保证了连杆的稳定性，连杆的收放是通过绳索来实现，安装方便，连接牢靠。
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公开(公告)号：CN114068728B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202111547921.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司检修分公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，第一复合区包括若干个横向排布的第一子复合区，相邻的第一子复合区在漂移层中的深度不同；和/或，第二复合区，第二复合区位于所述第二导电类型掺杂层中，第二复合区包括若干个横向排布的第二子复合区，相邻的第二子复合区在第二导电类型掺杂层中的深度不同。本发明提供的一种快速恢复二极管反向恢复峰值电流较低，反向恢复速度较快。
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公开(公告)号：CN112543508B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202011491748.8
申请日：2020-12-17
Applicant: 国网安徽省电力有限公司信息通信分公司 , 安徽继远软件有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04W72/56 , H04W72/52 , H04L41/0893
Abstract: 本发明提供一种面向5G网络切片的无线资源分配方法及网络架构，属于无线通信领域。所述方法包括：S1)获取每一个调度时隙内发起服务请求的终端的总数，并根据所述终端的总数将总资源块分为多个资源块组；S2)根据每个网络切片在每个资源块组上的资源分配优先级的高低，依次选择网络切片进行调度；S3)获取终端业务请求信息，并根据所述请求信息确定各终端的资源分配优先级；S4)根据各终端的资源分配优先级和各网络切片调度获得的资源进行各网络切片内的终端资源调度；S5)在终端资源调度过程中，实时判断资源块组的剩余数量和各资源块组内的资源剩余数量，直到所有资源分配完毕。本发明的方案增强了不同网络切片之间和之内的用户调度公平性。
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公开(公告)号：CN115020488A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210646218.9
申请日：2022-06-08
Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L23/48 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：体层，所述体层包括元胞区和环绕元胞区的过渡区，所述过渡区包括汇流区；栅极结构，位于部分元胞区上或者部分元胞区中；位于汇流区上的栅汇流条，所述栅汇流条与栅极结构的部分边缘之间具有第一开口；镇流结构，位于汇流区中且延伸至第一开口底部的部分元胞区中；阱区，位于栅极结构周围的部分元胞区中，第一开口底部的体层中具有阱区，所述阱区的导电类型与所述镇流结构的导电类型相同；位于阱区的顶部区域中的源掺杂区，所述源掺杂区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述源掺杂区与所述镇流结构间隔。上述绝缘栅双极晶体管能够缓解元胞区电流集中，降低闩锁风险。
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公开(公告)号：CN111585671B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010297105.3
申请日：2020-04-15
Applicant: 国网河南省电力公司郑州供电公司 , 安徽继远软件有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04B17/30 , H04B17/382 , G01R31/00
Abstract: 一种电力LTE无线专网电磁干扰监测及识别方法，包括两个过程：频谱监测和干扰识别，频谱监测在高频段采用了扫描外差式频谱监测设计，通过多级变频处理，将输入信号变至较低的中频上，然后在中频段则采用了傅里叶频谱监测设计，对变频到中频的信号进行A/D采样量化，变为数字信号，再利用数字中频技术、傅里叶变换完成频谱监测。干扰源识别过程首先对采集数据进行预处理，特征提取和特征选择后，利用机器学习算法，学习采集信号特征与干扰源之间的关系，得到基于干扰源识别的分类模型，对测试信号提取特征后，采用得到的分类模型，辨识结果。本发明能够针对电力系统需要，将电磁频谱将频谱监测和干扰识别功能紧密结合，适用1.8GLTE无线专网。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113725292A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110792612.9
申请日：2021-07-14
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种具有低导通电压高抗闩锁能力的IGBT及其制备方法，在有源区沟槽栅之间设置分离的沟槽，沟槽可以在击穿特性，可靠性和关断损耗无明显变化的情况下允许载流子存储层有更高的掺杂，进一步降低导通电压，实现导通电压和关断损耗折中的提升；沟槽有助于将耗尽区和电势推入更深的衬底中，远离沟槽底端，降低沟槽底端电场强度，提高击穿特性，降低了与沟槽底部的高电场相关联的可靠性的影响，如热电载流子退化或者时间相关的介电击穿；在分离沟槽中间设置浅凹槽P+发射区，提高抗闩锁能力，提高器件安全工作区。
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公开(公告)号：CN112312393A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011269128.X
申请日：2020-11-13
Applicant: 国网安徽省电力有限公司信息通信分公司 , 安徽继远软件有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04W12/06 , H04W12/106 , H04L29/06 , H04L9/32
Abstract: 本发明提供一种5G应用接入认证方法及一种5G应用接入认证网络架构，属于通信安全领域。所述方法包括：在完成入网附着请求后，电力5G系统通过5G应用接入认证网络架构进行二次验证。电力5G终端、SMF/UPF和DN‑AAA服务器三方之间安全认证协议交互流程，先后验证网络安全和电力5G终端的身份认证，实现网络与业务双重认证，仅当5G应用接入认证合法才能够建立PDU(Protocol Data Unit,协议数据单元)会话连接，否则网络拒绝为其提供服务，缩小了电力业务域的攻击面，解决了目前电力系统中的5G终端进行5G网络接入存在多种安全弊端的问题。
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公开(公告)号：CN112103330A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910521437.2
申请日：2019-06-17
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 本发明提出了一种功率器件背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，功率器件背面多峰值缓冲层结构包括：N型半导体衬底材料(100)、功率器件背面的表面界限(101)和设置于N型半导体衬底材料(100)和表面界限(101)之间的缓冲层；缓冲层包括：至少由两次离子注入形成的N型掺杂区域，本发明提供的背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，减少了功率器件的加工工艺整体热过程，大大提高了器件可靠性。
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公开(公告)号：CN107634008B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710552953.2
申请日：2017-07-07
Applicant: 成都迈斯派尔半导体有限公司 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供的高压功率器件的终端结构的制作方法，通过在氧化薄膜层的表面依次淀积硼磷硅玻璃层、氮化硅层和磷硅玻璃层，减小了在深槽刻蚀时所需的氧化薄膜层的厚度，有效缩短了制备周期，提高了产能。并且在向深槽表面涂覆填充材料之前，先对深槽表面进行软刻蚀，修补、平滑了深槽刻蚀后的粗糙表面，使表面平滑，而后在该表面上通过热生长形成第一氧化层后再将其完全刻蚀，以消除深槽表面的缺陷，接着通过热生长第二氧化层以形成缓冲层，减小填充材料与深槽表面的应力，以确保器件的实际的击穿电压值接近于设计值。
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公开(公告)号：CN109004024A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810706963.1
申请日：2018-07-02
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网河北省电力有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体制作方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。该方法采取背面直接键合的方式，形成高压逆阻IGBT，所形成的器件能够实现高压反向耐压，且制作工艺与传统IGBT制造工艺兼容，工艺简单，可实施性强，克服了现有技术中高压逆阻IGBT制作困难、成本高昂等问题。
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