一种提高多载波光源载噪比的方法

    公开(公告)号:CN103326782A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310184928.5

    申请日:2013-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种提高多载波光源载噪比的方法,通过S1、在光放大器之后设置时延干涉仪;S2、入射到所述时延干涉仪的信号被分成强度相同的两路,一路为时延路,用于对信号附加时延,另一路为调相路,用于对信号附加相位;S3、所述时延路和所述调相路合并,通过选择合适的时延和相移实现对所有子载波中心频率处干涉相长和相邻子载波间中点频率处干涉相消。本发明提供的方法既适用于环路结构的多载波光源或光频梳,也适用于非环路结构的多载波光源或光频梳,使用时延干涉仪以达到抑制光放大器产生的放大自发辐射噪声的目的,提高载噪比,可以提高10-15dB,从而为更高速率的网络通信系统实用化提供技术支持。

    一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN103050564A

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201210564670.7

    申请日:2012-12-21

    CPC classification number: Y02E10/544 Y02P70/521

    Abstract: 一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池,其特征在于,包括:径向pn结、重掺杂隧道结、电介质薄膜、衬底、透明电极、背电极;其中:径向pn结,包括纳米线和壳层,壳层位于纳米线外侧,所述径向pn结至少为二个,沿纳米线轴向方向排列;位于上一节的径向pn结的材料的带隙宽度比位于下一节的径向pn结的材料的带隙宽度大;重掺杂隧道结,位于二节径向pn结之间;电介质薄膜,包裹于径向pn结和重掺杂隧道结的外侧;衬底,位于所述器件的底层;透明电极,位于所述器件的顶层;背电极,位于衬底的底面。本发明提供的技术方案充分结合了纳米线径向pn结高的转化效率和轴向多节结构宽的吸收光谱的优点,进一步提高了器件的性能。

Patent Agency Ranking