一种氮、硼共掺杂三维多孔石墨烯的制备方法

    公开(公告)号:CN109110748A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201811319159.4

    申请日:2018-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种氮、硼共掺杂三维多孔石墨烯的制备方法,首先采用经典的Hummer法制备氧化石墨烯,水热处理得到柱状三维石墨烯,经冷冻干燥后空气下加热活化,然后混入氨硼烷,在通入保护气的条件下高温反应得到氮、硼共掺杂三维多孔石墨烯。本发明制得的氮、硼共掺杂三维多孔石墨烯具有高比表面积和优良的孔道结构,提供了良好的电子传输通道、离子扩散孔道以及丰富的缺陷位点,表现出良好的电化学性能和吸附特性,可用于环境吸附材料和高性能储能器件。

    一种硫硒化合物复合阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN105280387B

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201510807408.4

    申请日:2015-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种硫硒化合物复合阵列的制备方法,属于太阳能电池技术领域。本发明的技术方案要点为:一种硫硒化合物复合阵列的制备方法,具体包括表面覆盖有碱式碳酸铁或碱式碳酸钴的导电玻璃片的制备和硫硒化合物复合阵列的制备等步骤。本发明制备方法简单,反应条件温和,制得的硫硒化合物复合阵列具有良好的电子传输通道和催化活性,因而表现出良好的电化学特性和催化性能,能够很好地应用于量子点敏化太阳能电池的对电极,在太阳能电池中具有广阔的应用前景。

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