公开(公告)号：CN207264238U

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201720510772.9

申请日：2017-05-09

Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司

Inventor： M·艾罗 ,  S·尼古拉斯

IPC: G05F1/565

CPC classification number: H03F1/0205 ,  H03F1/223 ,  H03F1/308 ,  H03F3/193 ,  H03F3/3022 ,  H03F2200/06 ,  H03F2200/09 ,  H03F2200/129 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/21 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/42 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/462 ,  H03F2200/481 ,  H03F2200/498 ,  H03F2200/534 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/30027 ,  H03F2203/30031 ,  H03F2203/30039 ,  H03F2203/30084 ,  H03F2203/30111 ,  H03F2203/30117 ,  H04B1/40

Abstract: 本实用新型公开了放大设备、射频通信系统和电子装置。放大设备包括放大级(TRSC)，该放大级具有跨导放大晶体管(103)和输出端子(120)。偏置电路(MC)被配置成用于：在共模下将该输出端子(120)偏置到在该放大晶体管(103)的栅极与源极之间存在的电压的基础上获得的偏置电位；并且对在该放大晶体管(103)的该栅极与该源极之间存在的该电压的寄生变化进行补偿。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利