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公开(公告)号：CN115879337A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211409695.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种面向工艺仿真的矩阵元素重排列方法、装置及存储介质，其中，面向工艺仿真的矩阵元素重排列方法包括：获取半导体器件工艺仿真中有限元网格的变化情况；当所述有限元网格发生变化时，采用贪心策略调整所述有限元网格的逻辑顶点的顺序；根据调整后的所述有限元网格的逻辑顶点的顺序，重新生成系数矩阵。本发明在半导体器件工艺仿真的每个工艺步骤完成后，当有限元网格发生变化时，通过贪心策略重新排定逻辑顶点顺序来重新排列有限元系数矩阵的元素，保证重新生成的系数矩阵的非零元素能够尽量靠近矩阵主对角线，以达成稳定系数矩阵的存储开销、提高存储效率和内存空间使用效率、提升工艺仿真软件处理大规模网格能力的目的。
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公开(公告)号：CN115831278A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211404835.4
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真方法，方法包括：在双极晶体管氧化层的不同深度处分别设置预设初始浓度的氧空位缺陷，并根据电子‑空穴对计算模型确定双极晶体管氧化层中的电子‑空穴对数量；基于预设的缺陷演化进程，根据氧空位缺陷和电子‑空穴对不同深度处的电离‑位移协同效应进行仿真，根据仿真结果确定不同深度处的空穴浓度；对不同深度处的空穴浓度进行对比分析，确定双极晶体管氧化层中不同深度处电离‑位移协同效应之间的关系。本发明实现了晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的仿真及研究，提供的仿真方法数据获取过程便捷，获取的数据也不会引入干扰项，分析结果精准可靠。
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公开(公告)号：CN111707922B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010735747.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：向被测半导体施加周期触发信号，周期触发信号通过控制脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统中的多个开关器件的开闭形成；获取被测半导体在周期触发信号下的电容变化数据，电容变化数据通过脉冲触发深能级瞬态谱的测试系统中的电容检测电路检测输出；对电容变化数据进行数据分析，确定双极脉冲深能级瞬态谱，双极脉冲深能级瞬态谱包括正向深能级瞬态谱和负向深能级瞬态谱。本发明采用双极脉冲触发深能级瞬态谱测量，可得到更为丰富的深能级瞬态谱信息，测试效率高，测试结果更为准确。
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公开(公告)号：CN115659837A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211415053.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本申请涉及基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法及系统，所述基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法包括：获取基于器件真实工艺状态的辐射损伤实际参数，根据所述辐射损伤实际参数，得到界面态和氧化物电荷，根据所述界面态、所述氧化物电荷和所述辐射损伤实际参数构建辐射损伤仿真模型；通过微观反应方程和反应势垒，获取界面态和氧化物电荷，对其进行仿真训练，得到辐射损伤仿真模型。本申请的方法通过辐射损伤仿真模型，能够快速模拟辐射损伤。
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公开(公告)号：CN115656762A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211410967.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种异质结双极晶体管缺陷检测方法，包括：获取异质结双极晶体管在预设电压时的C‑V曲线和1/C2‑V曲线；确定所述C‑V曲线和所述1/C2‑V曲线在第一预设电压范围内的变化情况；根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C‑V测试模块或I‑V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。本发明的有益效果：通过控制深能级瞬态谱的不同的测试模块对异质结双极晶体管的缺陷种类和缺陷状态进行检测，能够深入分析异质结双极晶体管内部缺陷性质和辐射损伤机制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115640699A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211410719.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F113/08
Abstract: 本发明提供了一种氢气杂质缺陷演化仿真方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：构建所述硅基双极型器件的SiO2和SiO2/Si界面结构模型；获取发生总剂量效应时所述硅基双极型器件中缺陷演化的基本物理过程；根据所述基本物理过程，构建对应的计算模型；根据氢分子在所述基本物理过程中的具体情况，获取氢分子的相关参数；根据所述氢分子的相关参数、氢气浓度及所述计算模型，获取所述硅基双极型器件氧化层中氢气杂质缺陷演化的仿真结果。本发明提供的氢气杂质缺陷演化仿真方法、装置、设备及存储介质能够获取准确的定量仿真结果，降低了试验成本，能够对氢气引入对总剂量效应的影响机理的研究提供重要的理论依据。
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公开(公告)号：CN115420190A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211145034.0
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B7/16 , G06F30/20 , G16C60/00 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供一种基于高能电子辐照提高柔性传感器性能的分析方法，包括：获取柔性传感器；构建柔性传感器的仿真模型；对仿真模型进行高能电子辐照仿真，获取入射范围大于柔性传感器厚度的第一辐照能量；采用不同辐照注量的高能电子对所述柔性传感器进行辐照；测试辐照前后柔性传感器的基础性能和缺陷结构；根据初始状态下柔性传感器的基础性能和缺陷结构，以及，辐照后柔性传感器的基础性能和缺陷结构，分析高能电子辐照对柔性传感器性能的影响效应及机制。本发明提供的分析方法能够通过辐照前后柔性传感器的表征分析高能电子对柔性传感器性能的影响效应及机制，从而为高能电子辐照技术应用于提高柔性传感器性能提供理论依据。
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公开(公告)号：CN111766451B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735273.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供了一种高精度电容参数测试的系统及方法，涉及测试技术领域，包括：获取注入微弱高频信号后的被测电容的调制电压和调制电流，其中，高精度电容参数测试系统的信号注入电路用于产生微弱高频信号，高精度电容参数测试系统的检测电路用于检测检测电压和检测电流，高精度电容参数测试系统的IQ调制电路用于对检测电压和所述检测电流进行IQ调制输出调制电压和所述调制电流；根据调制电压和调制电流，确定被测电容的电容值。本发明提供微弱高频信号注入的方法可以实现电容在线测量，简化了测试环境搭建过程，同时，对检测电流和检测电压进行同步IQ变换，利用其零频信息进行信息获取，实现高精度和高速度兼备的电容测量。
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公开(公告)号：CN115374225A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210885626.X
申请日：2022-07-26
Applicant: 中船重工奥蓝托无锡软件技术有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种空间环境效应数据库和数据库工作方法，包括：数据装载模块，用于对航天器材料与器件数据包括自身特性参数和使用损耗参数，在自身特性参数中通过分别对航天器部件参数，位置信息、试验工况进行实时获取操作；数据管理模块，用于航天器材料与器件数据进行动态筛选建模，将筛选后的相应数据进行工况模拟，对工况数据进行实时数据维护，并对维护的数据进行分类操作；数据应用模块，用于对工况模拟后分类的工况数据信息进行属性匹配，匹配的航天器材料与器件数据建立应用数据表，对应用数据表所显示的任何内容进行应用场景导入，在场景导入过程中进行航天器材料与器件的位置信息对应。
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公开(公告)号：CN115248977A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210759791.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , C23C16/40 , C23C16/56 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于化学沉积技术模拟碳化硅单晶表面氧化层生长的方法，涉及半导体材料制备技术领域，具体包括以下步骤：步骤S1：建立单晶碳化硅的模型，在所述模型中所述单晶碳化硅表面增设真空层，运用分子动力学的反应力场使碳化硅原子处于初始状态；步骤S2：加热所述单晶碳化硅至反应温度后，使所述单晶碳化硅在反应温度下平衡，在所述真空层内，重复模拟Si原子和O2分子在所述单晶碳化硅表面上充分反应并沉积的过程，得到沉积在所述单晶碳化硅表面的氧化层；步骤S3：优化所述单晶碳化硅及所述氧化层中的原子位置，得到氧化薄膜，获取所述氧化薄膜的结构数据。本发明能够获得氧化薄膜原子层面结构，且实验成本低，周期短效率高。
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