-
公开(公告)号：CN103928560A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410177611.3
申请日：2014-04-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L31/09 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603
Abstract: 本发明涉及一种应用在粒子探测器、辐射探测器中的辐射探测器像素结构。传感器电荷收集电极为三维电极由重掺杂硅沟槽构成，每个像素电极由硅深沟槽结构隔离开，传感器电荷收集电极和像素隔离都为深沟槽结构，且相等深度。传感器电荷收集电极和衬底硅杂质类型相反，即收集电极为P型，衬底硅为N型；收集电极为N型，衬底硅为P型；收集电极中杂质浓度要比衬底硅浓度大6～7个数量级。本发明提出了一种辐射探测器像素结构，有效提高像素对电荷的收集效率，改善了电荷收集时间，屏蔽了像素间串扰噪声，且降低了传感器反偏电压，以及像素级功耗。
-
公开(公告)号：CN103594523A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310547265.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0634
Abstract: 本发明公开了一种双层超结肖特基二极管，其中，功率肖特基器件的漂移区采用双层超结结构，通过该结构，在不明显损失器件正向特性的前提下，很好改善了普通超结肖特基二极管的反向击穿特性与电荷不平衡之间的关系，而且极大的改善了器件的反向恢复特性，降低了器件的输出电容，有效地降低了器件的功耗。
-
公开(公告)号：CN103500760A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310454462.6
申请日：2013-09-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
CPC classification number: H01L29/0642 , H01L29/7836
Abstract: 本发明公开了一种体硅MOSFET结构。该结构包括：p+层（2）和n-层（3）；其中，所述p+层（2）和所述n-层（3）直接接触，n-层使用宽禁带的6H-SiC材料。该结构提高了体硅结构的抗辐照能力。相对于SOI技术而言，该结构改善了自加热效应，消除了总剂量效应，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN102903757A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210407235.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是一种利用侧墙工艺的SOI MOSFET体接触形成方法。包括一个经过刻蚀形成底层半导体衬底1；在底层半导体衬底（1）上的左面隐埋氧化层6（A）和右面隐埋氧化层6（B）；顶部硅膜（7）；在顶部硅膜（7）上生长栅氧化层（8）；一个位于栅氧化层（8）上的多晶硅栅极（9）；其特征是：体接触（11）引出端位于两个处在不同高度的底层半导体衬底（1）水平面之间。本发明提供一种能够将中性体区中多余的空穴导出，实现抗浮体效应，同时还防止自加热效应的产生的SOI MOSFET体接触结构；还提供一种简化制造流程，降低制作成本，提高器件可靠性的SOI MOSFET体接触结构的形成方法。
-
公开(公告)号：CN102222701A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110170815.0
申请日：2011-06-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0619
Abstract: 本发明提供的是一种沟槽结构肖特基器件。包括阳极电极(1)、二氧化硅层(2)、P+保护环(3)、肖特基接触(4)、P型掺杂区域(5)、N型漂移区(6)、N+衬底区(7)、阴极电极(8)，在N型漂移区(6)内刻蚀有沟槽结构，在沟槽中先形成P型掺杂区域(5)，然后进行肖特基金属溅射形成沟槽内的肖特基接触部分。本发明在普通SBD结构中的漂移区中刻蚀沟槽先形成P型掺杂区，而后溅射肖特基金属与N型漂移区形成肖特基接触。在不牺牲器件反向特性的情况下，提高肖特基器件的正向导通电流。本发明实施工艺与结势垒控制肖特基二极管JBS工艺兼容，容易实现，且更能满足现代功率电子系统的要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102064199A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010556115.0
申请日：2010-11-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/812
Abstract: 本发明提供的是一种自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管。包括漏区、漂移区、栅氧化层、栅电极、场氧化层、沟道区、侧壁氧化层、阳极和源电极；在漏区之上形成位于基底上的漂移区掺杂层；在所述掺杂层上形成栅极区，栅极区包括栅氧化层、栅电极与场氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的侧壁氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的源极区，源极区包括沟道区、阳极与源电极；阳极与漂移区形成肖特基接触，其中阳极与源电极短接。本发明与常规功率MOSFET晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
-
公开(公告)号：CN100521188C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710071667.0
申请日：2007-01-19
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用的集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法。它包括基片和在基片上设置的Zr粘附层、阻挡层、Zr缓冲层，阻挡层设置在Zr粘附层和Zr缓冲层之间，Zr缓冲层设置在最上面。本发明大大改善了Cu抗电迁徙能力、阻挡层的性能、层间粘附性以及降低接触电阻等方面，而且制备工艺无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用。
-
公开(公告)号：CN201878130U
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201020628170.1
申请日：2010-11-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本实用新型提供的是一种信号自动控制峰值检测器。包括PD电路(11)、峰值甄别电路(14)、ADC(12)、后端处理器(13)；输入信号一路经PD电路(11)后输出峰值电压到ADC(12)模拟电压输入端，输入信号另一路经微分电路(41)接到比较器(42)负端，与零电压进行比较，输出脉冲控制ADC(12)以及后端处理器(13)产生复位信号给PD电路(11)和ADC(12)；ADC(12)在转化完成后由EOC端输出高电平控制处理器(13)读取数据。本实用新型实现了输入信号自动触发控制，使其适用于波形宽度较大、ADC转化速度快的应用场合，消除了对高速ADC的限制，减少系统采集信号的死时间。
-
公开(公告)号：CN204029811U
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201420409094.3
申请日：2014-07-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本实用新型涉及一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，包括电极场板，P阱，P+区域，绝缘介质材料，N型体硅，N型MOSFET，P型MOSFET，背部电极，场板金属电极，P+引出电极，连接场板沟槽。根据本实用新型的带有气隙及沟槽场板的辐射探测器像素结构，在顶层硅MOSFET与中间电极场板间存在气隙隔离结构，该结构可以有效阻止底部电势向顶层硅MOSFET体区扩展，屏蔽辐射电离后在绝缘介质中产生TID效应；电路中MOSFET被与场板电极连接的沟槽硅包围，该结构可以进一步降低电路与传感器间寄生电容，有效屏蔽两部分信号间串扰。
-
公开(公告)号：CN201877432U
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201020619724.1
申请日：2010-11-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/812
Abstract: 本实用新型提供的是一种自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管。包括漏区、漂移区、栅氧化层、栅电极、场氧化层、沟道区、侧壁氧化层、阳极和源电极；在漏区之上形成位于基底上的漂移区掺杂层；在所述掺杂层上形成栅极区，栅极区包括栅氧化层、栅电极与场氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的侧壁氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的源极区，源极区包括沟道区、阳极与源电极；阳极与漂移区形成肖特基接触，其中阳极与源电极短接。本实用新型与常规功率MOSFET晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.039 seconds)
