公开(公告)号：CN1224529A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN98800504.2

申请日：1998-02-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美

IPC: H01G9/042 ,  H01G4/12 ,  H01G4/008

CPC classification number: H01G9/042

Abstract: 一种由一对电极和一种插在此二电极间的电介质组成的电容器,其中电极之一是由烧结氮化铌所制成。优选地是,此电介质是由氧化铌所制成,另一电极是由一种选自电解质溶液、有机半导体和无机半导体的化合物所制成。此种电容器呈现有极好的环境稳定性和令人满意的电流泄漏特性。

公开(公告)号：CN1009322B

公开(公告)日：1990-08-22

申请号：CN87107675

申请日：1987-11-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  荒川美明 ,  渡部晴义

IPC: H01G9/02 ,  H01G9/24

CPC classification number: H01G9/0425 ,  Y10T29/417

Abstract: 一种固态电解电容器包括由具有阀作用的金属构成的正电极基片，一层绝缘氧化膜，一层半导体层和一层导电层，把它们按顺序形成在正电极基片上，其中导电层主要由金属氧化物粉末、金属粉末，也可有金属盐粉末构成。这种电容在高温下具有良好的和持久的稳定性。在制备这种电容的过程中，对形成在绝缘氧化膜上的半导体层最好进行超声波清洗。

公开(公告)号：CN105849837B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201480071069.1

申请日：2014-10-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  光本龙一

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/00 ,  H01G9/052

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/0032 ,  H01G9/052 ,  H01G9/0525 ,  H01G9/07

Abstract: 本发明提供一种电解电容器阳极体，其特征在于，是通过将钨粉烧结而形成烧结体，对所述烧结体进行化学转化，从而在表面形成了由三氧化钨化合物构成的电介质层的电容器阳极体，所述三氧化钨化合物中的水合水的比例是相对于10个三氧化钨化合物分子为1个分子以下。通过使用本发明涉及的阳极体，能够制作相对于DC电压的电容量变化(偏电压依赖性)降低了的钨电容器。

公开(公告)号：CN104221107B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201380018831.5

申请日：2013-04-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  矢部正二

IPC: H01G9/052 ,  H01G9/00

CPC classification number: H01G9/0525 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/0036 ,  H01G9/042 ,  H01G9/052 ,  H01G9/15

Abstract: 本发明提供：一种通过对将钨粉的成形体烧成了的烧结体进行化学转化处理而制作的电容器的阳极体，其特征在于，在阳极体中掺杂0.003质量％以上且低于0.3质量％的量的钾；一种对将钨粉的成形体烧成了的烧结体进行化学转化处理的电容器的阳极体的制造方法，其具有在阳极体中掺杂0.003～0.3质量％的量的钾的工序；以及一种使用所述阳极体的固体电解电容器。本发明的电容器在钨粉烧结体的植设了引线的面和与植设面垂直的面的接近植设面的部分不发生外观不良。

公开(公告)号：CN103988273B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201280060494.1

申请日：2012-09-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  铃木雅博 ,  田村克俊

IPC: H01G13/00 ,  H01G9/15

CPC classification number: H01G9/0032 ,  C25D17/06 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/0036 ,  H01G9/04 ,  H01G9/052 ,  H01G9/07 ,  H01G9/15 ,  H01G13/006

Abstract: 提供一种电容元件制造用夹具，其能够高精度地对处理液中的阳极体的浸渍位置进行控制，在电容元件的制造过程中需要热处理的情况下能够无障碍地进行热处理。具备第1基板11和沿着第1基板的下表面的平面部呈平行状配置的第2基板12以及安装于第2基板的下表面的多个插座1，第1基板11的下表面的第1电连接端子41分别与向电容器用阳极体供给电流的电源电连接，第2基板12的上表面的第2电连接端子42与插座1电连接，在第2基板12平行地重合配置在第1基板11的下表面侧时，第1电连接端子41与第2电连接端子42接触而电连接，插座通过该连接而与电源电连接，插座1具有将电容器用阳极体的导线电连接时的插入口37，插入口37朝向第2基板12的下方开口。

公开(公告)号：CN106663543A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580043487.4

申请日：2015-06-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  矢部正二

IPC: H01G9/07 ,  H01G9/00 ,  H01G9/04 ,  H01G9/052

CPC classification number: H01G9/042 ,  H01G9/00 ,  H01G9/0032 ,  H01G9/0036 ,  H01G9/04 ,  H01G9/052 ,  H01G9/07

Abstract: 本发明涉及一种电容器元件，其在含有钨的阳极体上依次包含：含有非晶质的钨氧化物的电介质层；被覆所述电介质层的一部分或全部的含有结晶性的钨氧化物的层；半导体层；和导电体层。本发明的电容器元件，其耐热性高，在密封工序和/或回熔炉中的处理等高温热处理后，LC难以增大。本发明涉及的电容器元件能够通过依次进行以下工序而制造：将钨粉的成形体烧结而形成阳极体的烧结工序；对所述阳极体进行化学转化处理的电介质层形成工序；在所述电介质层上形成结晶性钨氧化物层的工序；形成半导体层的半导体层形成工序；和形成导电体层的导电体层形成工序。

公开(公告)号：CN106463266A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580022828.X

申请日：2015-01-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  田村克俊

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/00 ,  H01G9/042 ,  H01G9/052

CPC classification number: H01G9/0032 ,  H01G9/00 ,  H01G9/04 ,  H01G9/042 ,  H01G9/052 ,  H01G9/0525 ,  H01G9/055 ,  H01G9/07

Abstract: 本发明提供一种LC特性良好的电容器元件的制造方法，所述制造方法在对以钨为主成分的粉进行成形后烧结得到阳极体并在所述阳极体的表层部形成电介质层的化学转化工序，然后在所述电介质层上依次形成半导体层和导电体层，所述制造方法的特征在于，在形成所述电介质层形成之前，具有将形成于所述阳极体的外表面和细孔内表面的表层部的自然氧化被膜以使其厚度变为0.5～5.0nm的范围的方式除去的蚀刻工序，并且在-4～18℃的温度下，到达预定电压后进行7～110分钟的所述化学转化工序。

公开(公告)号：CN106415760A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480073658.3

申请日：2014-10-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  矢部正二

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/00 ,  H01G9/052

CPC classification number: H01G9/0525 ,  H01G9/0036 ,  H01G9/042 ,  H01G9/07

Abstract: 本发明提供进行老化工序A的电容器元件的制造方法、或在进行工序B之后进行所述工序A的电容器元件的制造方法，所述工序A是在温度为15～50℃、湿度为75～90％RH的条件下对形成有导电体的电容器元件施加化学转化电压的1/3～4/5的电压的工序，所述工序B是将形成有导电体的电容器元件在温度超过50℃且为85℃以下、湿度为50～90％RH的条件下保持的工序。根据本发明的制造方法，能够改善具有碳层的钨固体电解电容器元件的LC特性。

公开(公告)号：CN103975401B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201280060820.9

申请日：2012-08-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美

IPC: H01G9/052 ,  C22C27/04 ,  H01G9/00

Abstract: 本发明的特征是由平均细孔直径为0.3μm以下的钨烧结体构成的电容器的阳极，和使钨粉成形为密度(Dg)8g/cm3以上的成形体，并将上述成形体烧结成上述密度(Dg)的1.15倍以上的密度(Ds)，从而得到平均细孔直径为0.3μm以下的钨烧结体，该电容器的阳极的ESR(等值串联电阻)良好。

公开(公告)号：CN105828981A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069457.6

申请日：2014-10-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内藤一美 ,  光本龙一

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F5/00 ,  H01G9/052

CPC classification number: H01G9/042 ,  B22F1/02 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/041 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/045 ,  H01G9/052 ,  H01G9/0525 ,  H01G9/15 ,  B22F2207/01 ,  B22F9/082 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0088 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1007

Abstract: 本发明提供一种漏电流(LC)性能良好的电解电容器用的钨粉，其仅在粒子表面区域中具有锗元素，锗元素的含量为0.05～7质量％。优选的是，钨粉的体积平均一次粒径为0.1～1μm，锗元素局部存在于从其粒子表面到向粒子内部深入50nm的位置的区域中，仅在粒子表面区域中具有硅化钨、碳化钨、硼化钨、固溶有氮的钨中的至少一种，磷元素的含量为1～500质量ppm，氧含量为0.05～8质量％。