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公开(公告)号：CN1910675A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002979.5
申请日：2005-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/259 , G11B7/24067 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/254 , G11B7/2578 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明提供一种可以在高密度且较宽的线速度范围下得到良好记录再生特性、并且可靠性高的记录介质及其制造方法。为此，光学信息记录介质中，在透明基板上，至少依次具备：在可通过光束的照射光学检测出的不同状态间变化的记录层；由包含50at％以上95at％以下的Si的材料组成的光吸收层；以及，由包含95at％以上的Ag和5at％以下的In的材料组成的反射层。
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公开(公告)号：CN1677526A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510054758.4
申请日：2005-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/24 , Y10T428/21
Abstract: 提供了一种记录介质，其在透明衬底上至少具有记录层。记录层从最靠近透明衬底的一侧开始依次至少具有第一可相变膜和第二可相变膜。第一可相变膜和第二可相变膜每个都包含至少10原子百分比且不超过50原子百分比的锗以及至少45原子百分比且不超过60原子百分比的碲。可相变膜中至少一个膜还包含铋。
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公开(公告)号：CN1670830A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052931.7
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1205608C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02157408.1
申请日：2002-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了记录层和介电体层之间即使不设界面层也能确保高可靠性、良好的反复改写性能的信息记录介质。在基板1的表面上形成记录层4和介电体层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在晶相和非晶相之间产生相转变，介电体层2和6是例如用式(ZrO2)M(Cr2O3)100-M(摩尔%)(式中M在20≤M≤80)表示的材料组成的Zr-Cr-O基材料层。
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公开(公告)号：CN1538424A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031796.3
申请日：2004-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种多层信息记录介质，即使长期作档案记录后也具有良好的复制性能和良好的记录和重写性能及良好的重复重写性能。信息记录介质(22)至少有在结晶相和非晶相之间能够产生可逆相变的第一记录层(104)和第二记录层(204)，第一记录层(104)含有Ge、Te和Bi，而第二记录层(204)含有Sb和一种或多种选自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。
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公开(公告)号：CN1445770A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03121628.5
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 提供即使在记录层和电介质层之间不设置界面层，也能够确保高可靠性和良好的反复重写性能的信息记录介质。本发明的信息记录介质，在基片1的表面形成记录层4及电介质层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在结晶相和非结晶相之间产生相变，电介质层2和6是含有选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr和Si构成的组GM中的至少一种元素的氧化物和、选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er和Yb构成的组GL中的至少一种元素的氟化物的氧化物－氟化系材料层。
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公开(公告)号：CN1351379A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN01135992.7
申请日：2001-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器,包括:第一和第二记录层,用于利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息,该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的。第一和第二记录层的结晶化温度Tx1和TX2具有关系TX1 tx2。Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Rc1+Ra2和Rc1+Rc2彼此不同,其中,非晶相中第一记录层的电阻值为Ra1’晶相中第一记录层的电阻值为Rc1非晶相中第二记录层的电阻值为Ra2,晶相中第二记录层的电阻值为Rc2。
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公开(公告)号：CN1209624A
公开(公告)日：1999-03-03
申请号：CN98116031.X
申请日：1998-07-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/26 , C23C14/0073 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , Y10S430/146
Abstract: 本发明是基板上具备利用能量光束的照射而产生可逆相变的记录层的光信息记录媒体。前述记录层包含Te、Ge、Sb和N,前述N的含量浓度在约0.1原子%至约10原子%的范围内。通过该构成获得了良好的反复记录擦除性能。
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