一种基于机器学习势的快速预测晶体结构的方法

    公开(公告)号:CN117275607B

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202311324300.0

    申请日:2023-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习势的快速预测晶体结构的方法,具体涉及一种通过引入图神经网络机器学习势方法M3Gnet预测能量的晶体结构预测方法。该方法首先通过构建输入文件,设置初始输入参数,例如化学组分,元素配位,空间群以及生成结构数量;然后根据相应的结构生成命令,生成一系列满足输入文件要求的晶体结构,生成过程中不断检查键长等化学信息,保证结构的真实性;再通过图神经网络机器学习快速预测得到的结构能量,评估晶体结构的可合成性,稳定性以及其它性质。本发明通过机器学习势替代传统的DFT方法,可加速晶体结构预测过程中的能量计算时间,提高晶体结构预测效率。

    一种骤冷预处理煤衍生硬碳负极材料及其制备与应用

    公开(公告)号:CN119858908A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202510098006.5

    申请日:2025-01-22

    Abstract: 本发明公开了一种骤冷预处理煤衍生硬碳负极材料及其制备与应用。本发明方法包括:获取煤前驱体;将煤颗粒进行第一段低温热解得到碳中间体;将碳中间体进行第二段高温碳化得到硬碳;其中分别对煤前驱体和/或碳中间体进行骤冷预处理。通过该方法,在确保伪石墨化结构硬碳具有较高导电性的同时,还为钠离子的有效扩散和嵌入提供新通道和充足的储钠活性位点,显著提升钠离子的迁移和储存,最终得到了具有高效率、高容量的煤基钠离子电池硬碳负极材料。

    化合物硼酸钇铅铷和硼酸钇铅铷非线性光学晶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN119824540A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510047155.9

    申请日:2025-01-13

    Abstract: 本发明提供一种化合物硼酸钇铅铷和硼酸钇铅铷非线性光学晶体及制备方法和用途,所述化合物的化学式为Rb7PbY2B15O30,分子量为1625.45,采用固相合成法或真空封装法制成,所述晶体化学式为Rb7PbY2B15O30,分子量为1625.45,属于三方晶系,空间群为R32,晶胞参数为a=13.4642(3)Å,b=13.4642(3)Å,c=15.2917(8)Å,α=90°,β=90°,γ=120°,单胞体积为2400.18Å3,采用熔体法,高温熔液法或真空封装法生长晶体,通过该方法获得的Rb7PbY2B15O30非线性光学晶体,晶体的粉末倍频效应约为KH2PO4(KDP)的1.3倍,紫外截止边低于300 nm,物化性能稳定,可作为短波长紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。

    一种吡啶锌(Ⅱ)配合物修饰上转换荧光材料及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119823154A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510033982.2

    申请日:2025-01-09

    Abstract: 本发明涉及一种吡啶锌(Ⅱ)配合物修饰上转换荧光材料及制备方法和应用,该材料是具有双模荧光发射的功能化材料,其结构包括吡啶锌(Ⅱ)配合物和上转换荧光材料,该方法将吡啶锌(Ⅱ)配合物修饰上转换荧光材料,通过本发明所述方法获得的吡啶锌(Ⅱ)配合物修饰上转换荧光材料在潜指纹显现识别中应用,在365 nm和980 nm光源激发下,能够显现明亮的蓝色和绿色指纹印迹,其中吡啶锌(Ⅱ)配合物能与潜指纹分泌物发生配位作用,增强显现材料与潜指纹的指纹脊的作用力,NaYF4:Yb,Er上转换荧光材料能降低潜指纹显现过程中的背景干扰。具有双模显现、抗背景干扰、操作简便、对比度高的优点。可用于刑侦物证、个体识别、司法鉴定等。

    一种用于检测次氯酸根的斯托克斯位移可调的荧光探针及构建和应用

    公开(公告)号:CN119775237A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411979896.2

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种用于检测次氯酸根的斯托克斯位移可调的荧光探针及构建和应用,该探针是以多氰基呋喃为电子受体,基于克脑文格反应引入碳碳双键作为识别位点,通过电子给体调控探针的斯托克斯位移,其中,探针E)‑2‑(4‑(4‑氨基)苯乙烯基‑3‑氰基‑5,5‑二甲基呋喃‑2(5H)‑亚基)丙二腈、2‑(3‑氰基‑5,5‑二甲基‑4‑(3‑(苯氨基)苯乙烯基)呋喃‑2(5H)‑亚基)丙二腈、2‑(3‑氰基‑4‑(4‑(二苯胺基)苯乙烯基)‑5,5‑二甲基呋喃‑2(5H)亚基)丙二腈的斯托克斯位移分别为85 nm、127 nm、201 nm;并将三种探针溶解于四氢呋喃中,与次氯酸根反应后的荧光现象分别是粉紫色荧光猝灭、紫色荧光猝灭的同时出现较弱淡绿色荧光、深紫色荧光消失的同时出现较强黄绿色荧光;检测限分别为300 nM、45 nM和11.25 nM,响应时间分别为均在5s内。

    镧钕锆锡基氧化物负温度系数热敏陶瓷材料、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN119707490A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411941093.8

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本发明公开了一种镧钕锆锡基氧化物负温度系数热敏陶瓷材料、其制备方法及应用,属于高温热敏传感器领域,目的在于解决传统的尖晶石型负温度系数热敏陶瓷不适用于300℃以上的高温环境,无法满足1000℃及以上高温环境下应用需求的问题。本申请将原料按照化学计量比混合后,经球磨、干燥、粉体煅烧、静水压成型、高温烧结,即可得到镧钕锆锡基氧化物负温度系数热敏陶瓷材料,其化学式为(La1/3Nd1/3M1/3)2(Zr1/2Sn1/2)2O7,其中的M为Sm、Eu、Gd或Dy。其电性能参数为:材料常数B=10233K~12071K,ρ1200℃=1.196×102 Ω·cm~1.668×102 Ω·cm,高温下具有优异的老化稳定性(在1200℃下老化500小时后电阻漂移率均小于1.68%)。同时,该负温度系数热敏陶瓷材料在无氧惰性气氛和真空环境下也具有很好的适用性。

    化合物硝酸胍钙和硝酸胍钙双折射晶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN119684164A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411849978.5

    申请日:2024-12-16

    Abstract: 本发明提供一种化合物硝酸胍钙和硝酸胍钙双折射晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为[C(NH2)3]2Ca(NO3)4(H2O)2,分子量为444.33,采用溶剂热法制成,该晶体化学式为[C(NH2)3]2Ca(NO3)4(H2O)2,分子量为444.33,属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数为a=20.319(3) Å,b=6.5717(8) Å,c=14.2195(16) Å,α=90 °,β=116.399(5) °,γ=90 °,单胞体积为1700.8(4) Å3,其透光范围为281‑1600 nm,双折射率为0.152 (1064 nm)‑0.23 (281 nm)之间。采用室温水溶液法生长晶体,所获得的双折射晶体机械硬度适中,易于切割、抛光加工和保存,生长条件简单,易于生长;不溶于水,不潮解,在空气中稳定;具有较大的透光范围和双折射率;可用于制作偏振分束棱镜,相位延迟器件和电光调制器件。

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