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公开(公告)号:CN117542864A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202311701043.8
申请日:2023-12-11
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
Abstract: 本申请具体涉及阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板,制作方法包括在半导体层上沉积保护膜层,并对保护膜层进行图案化处理,得到裸露区、第一膜厚区、第二膜厚区和第三膜厚区,裸露区露出半导体层的部分,裸露区对应相邻栅极中的一者,第一膜厚区对应相邻栅极中的另一者;利用第一次刻蚀工艺将位于裸露区中的半导体层完全刻蚀,将位于裸露区中的栅绝缘层部分刻蚀;利用第二次刻蚀工艺、第三次刻蚀工艺和第四次刻蚀工艺将保护膜层、未被保护膜层覆盖的半导体层和部分栅绝缘层进行刻蚀。通过利用裸露区中剩余的部分栅绝缘层对栅极进行保护,保证裸露区中栅极表面的完整性,进而保证第二极与栅极之间的接触电阻,保证显示效果。
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公开(公告)号:CN112542516B
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202011219615.5
申请日:2020-11-03
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L27/12 , H10K59/121 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本申请公开了一种主动开关及其制作方法和显示面板,所述主动开关包括依次堆叠的衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极、钝化层、源极和漏极,所述有源层由铟镓锌氧化物构成,所述第一栅极和第二栅极并列设置,且位于所述源极和漏极之间;所述源极和漏极贯穿所述钝化层,分别与所述有源层的两端连接。本申请通过采用双顶栅结构的主动开关,并列的双顶栅相当于两个级联主动开关由同一个栅信号控制,采用双顶栅结构可以使关态漏电流明显减小而几乎不影响开态电流的大小,因此能够提高对栅极的控制能力,改善TFT的漏电效果,提高铟镓锌氧化物型有源层的稳定性。
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公开(公告)号:CN115016180B
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202210785113.1
申请日:2022-07-07
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本申请提出一种背板组件、背光模组以及显示装置,该背板组件包括背板和前框,所述背板包括板主体和围边,所述围边自所述板主体的其中一侧边弯折形成;所述前框与所述围边可拆卸连接,且所述前框至少部分与所述板主体相对设置以与所述背板围合形成限位空间。本申请的技术方案,可以提高背光模组和显示装置的组装效率。
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公开(公告)号:CN117008408A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202310921564.8
申请日:2023-07-25
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: G03F1/26 , G02F1/13 , G02F1/1335
Abstract: 本申请涉及光罩结构、套切彩膜基板的制作方法及套切显示面板,光罩结构至少包括:第一对位区,用于与第一彩膜基板区对位,第一对位区包括多个按照第一目标图案排布的第一透光区,第一透光区用于对应制作第一彩膜基板区的色阻;第二对位区,用于与第二彩膜基板区对位,第二对位区包括多个按照第二目标图案排布的第二透光区,第二透光区用于对应制作第二彩膜基板区的色阻;第一透光区和第二透光区之间用于对应制作的色阻的颜色相同,第一透光区的透光率为T1,第二透光区的透光率为T2,T2与T1不相等,且均大于0。本方案通过同一光罩结构在套切彩膜基板上制作不同膜厚、色域以及穿透率的色阻,制造出不同类型的显示面板,节省了制造成本和制造时间。
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公开(公告)号:CN113867038B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202111111092.7
申请日:2021-09-22
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13357 , G02F1/1334
Abstract: 本申请公开一种光学膜片、背光组件以及显示装置,其中背光组件和显示装置包括光学膜片,该光学膜片包括防窥膜,防窥膜包括间隔设置的第一基板和第二基板,第一基板设有第一电极层,第二基板设有第二电极层,第一电极层和第二电极层之间填充有聚合物和向列相液晶,第一基板背向第二基板的一侧设有可透过第一线偏振光的入光面,第二基板背向第一基板的一侧设有出光面;第一调光层设于入光面,并用于将第一线射偏振光转化为圆偏振光;第二调光层设于出光面,并用于将出射第二基板的圆偏振光转化为第二线偏振光。本申请提出的光学膜片能改善防窥膜出光时的色散问题。
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公开(公告)号:CN113759620B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202110957518.4
申请日:2021-08-19
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: G02F1/1345
Abstract: 本发明公开一种显示面板和显示装置,其中,所述显示面板包括显示部和绑定部,所述显示部具有两相对设置的第一侧和两相对设置的第二侧;所述绑定部包括第一覆晶薄膜绑定区和门极驱动区,所述第一覆晶薄膜绑定区位于一所述第一侧和一所述第二侧,所述门极驱动区分布于两所述第一侧,位于所述第一侧的门极驱动区与第一覆晶薄膜绑定区在所述显示部的中心至所述第一侧的方向上排列。本发明技术方案的显示面板可解决超窄边框生产成本高的技术问题。
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公开(公告)号:CN113671761B
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202110874196.7
申请日:2021-07-30
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1368
Abstract: 本申请适用于显示技术领域,提供了一种像素结构、阵列基板和显示面板,该像素结构包括扫描线、数据线和像素单元,像素单元包括主像素单元和副像素单元;还包括多个副驱动线,数据线与副驱动线平行且间隔排列,主像素单元包括主像素电极和主薄膜晶体管,主薄膜晶体管的第一栅极连接扫描线,第一源极连接数据线,第一漏极连接主像素电极;副像素单元包括副像素电极和副薄膜晶体管,副薄膜晶体管的第二栅极连接第一漏极,第二源极连接副驱动线,第二漏极连接所述副像素电极;能够在两个TFT的基础上实现8畴,在保证大角度视角范围的基础上减少了TFT的数量和制造步骤,降低了像素结构的结构复杂度和制造成本。
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公开(公告)号:CN110378646B
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN201910523857.4
申请日:2019-06-17
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 重庆惠科金渝光电科技有限公司
Inventor: 潘柏松
IPC: G06Q10/087 , G06Q50/04
Abstract: 本发明公开了一种玻璃基板生产控制系统,包括:检测机台、异常恢复机台、仓储架、卡匣;第一传输装置,用于将卡匣中的玻璃基板搬移到机台上进行处理以及将机台处理完毕的玻璃基板搬移到卡匣中;第二传输装置,用于在不同的仓位之间搬移卡匣;第一控制器,用于根据检测机台发送的异常消息获取发生异常的玻璃基板所在的目标仓位和目标异常恢复机台,并控制第二传输装置将目标仓位中的卡匣搬移至目标异常恢复机台旁的仓储架的仓位中。本发明还公开了一种管控异常玻璃基板的方法。本发明解决了有人工介入的管控方案常常由于工作人员的疏忽而导致发生异常的玻璃基板不能及时消除异常的技术问题。
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公开(公告)号:CN113393790B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202110555260.5
申请日:2021-05-20
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种显示面板的驱动方法、装置及显示装置,该显示面板包括:多个像素组,每一像素组包括两行相邻子像素组,每一子像素组中的一个子像素与另一子像素组中非相邻的两个子像素的存储电容分别连接一条第一公共电极线;每一子像素组中的一个子像素与另一子像素组中相邻的两个子像素的存储电容连接另一条第一公共电极线;每一子像素组与相邻列相邻行的子像素组连接一条数据线;其中,相邻的两条的第一公共电极线上的电压极性相反;显示面板的驱动方法包括以下步骤:控制各数据线上的数据电压以两帧为一个驱动周期进行正负极性切换;控制各第一公共电极线上的公共电极电压与上一帧的公共电极电压维持极性相同。
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公开(公告)号:CN112530810B
公开(公告)日:2023-06-16
申请号:CN202011327088.X
申请日:2020-11-24
Applicant: 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L27/12 , H10K59/12
Abstract: 本申请公开了一种开关元件的制备方法、阵列基板的制备方法和显示面板,所述开关元件的制备方法包括步骤:在衬底上形成具有第一宽度的多晶硅层;在多晶硅层上依次形成栅极绝缘层、栅极金属层和蚀刻阻挡层,所述栅极金属层具有一第二宽度,所述蚀刻阻挡层具有一第三宽度;对多晶硅层进行第一次离子注入形成过渡掺杂区;对蚀刻阻挡层进行灰化处理,得到具有第四宽度的蚀刻阻挡层;进行第二次离子注入,形成重掺杂区、未掺杂区和轻掺杂区;所述第四宽度大于等于所述第二宽度;通过增加蚀刻阻挡层,改变蚀刻阻挡层的宽度完成梯度离子注入,可以减少光罩,且栅极层宽度大于等于多晶硅层宽度,可以改善短沟道效应。
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