半导体光元件阵列
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119856595A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202380062557.5

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 在本公开中,提供一种半导体光元件阵列,其包含:半导体基板;掩膜层,其配置于上述半导体基板的主表面,具有开口部;纳米柱,其自上述半导体基板经由上述开口部沿厚度方向延伸,为III族氮化物半导体的柱状结晶;发光层,其配置于上述纳米柱的前端;以及覆盖半导体层,其覆盖上述发光层,含有半导体;且上述半导体光元件阵列具有包含多个上述纳米柱的像素,在上述像素中,自中心向外周,上述纳米柱的尺寸阶段性或连续性增加,或者阶段性或连续性减少。

    光学膜、带光学膜的偏光板以及显示装置

    公开(公告)号:CN114930200B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202180008845.3

    申请日:2021-01-13

    Abstract: 光学膜具备:包含多个透镜部的低折射率层;和填充在多个透镜部之间的高折射率层,透镜部为柱形状,在末端具有平坦部,并且二维地排列。将在与膜面平行的第1方向上相邻的透镜部的所述平坦部之间的距离设为AIN,将在第1方向上相邻的透镜部的与所述平坦部相反一侧的端部之间的距离设为AEX,将在第1方向上相邻的透镜部的在第1方向上的间距设为PA,将在第2方向上相邻的透镜部的平坦部之间的距离设为BIN,将在第2方向上相邻的透镜部的与所述平坦部相反一侧的端部之间的距离设为BEX,将在第2方向上相邻的透镜部的第2方向上的中点之间的距离即间距设为PB,此时,((PA‑((AIN+AEX)/2))×(PB‑((BIN+BEX)/2)))/(PA×PB)为0.42以上且0.70以下。

    检测元件、放射线检测装置以及康普顿相机

    公开(公告)号:CN112640030B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN201980057295.7

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 检测元件,具备:露出电极,在绝缘基板的第1面侧露出,并且包括第1露出电极、配置在第1露出电极的第1方向上的第2露出电极、配置在与第1露出电极的第1方向相交的第2方向上的第3露出电极、以及配置在第2露出电极的第2方向和第3露出电极的第1方向上的第4露出电极;第1电极图案,配置在第1面的相反侧,包括与第1露出电极和第2露出电极连接的图案以及与第3露出电极和第4露出电极连接的图案;第2电极图案,具有第1露出部,包括沿着第2方向配置的图案,第1露出部在第1面侧露出,与露出电极分离地配置;和第3电极图案,具有第2露出部,包括沿着第3方向配置并且通过第1电极图案和第2电极图案夹着第3电极图案的图案,第2露出部在第1面侧露出,并与露出电极以及第2电极图案分离地配置。

    转印片和装饰成型品的制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119502503A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411689325.5

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 本发明提供一种能够对装饰成型品赋予具有光泽差的设计、且转印性良好的转印片。提供通过使用该转印片而能够对装饰成型品赋予具有光泽差的设计、并且能够抑制转印不良的发生的装饰成型品的制造方法。一种在脱模片(20)上具有转印层(30)的转印片(10),其中,上述脱模片(20)包含:基材(22);凹凸层(24),其设置在上述基材(22)的一个面的一部分上,含有粘合剂树脂和粗糙化剂,上述粘合剂树脂包含热塑性树脂;和脱模层(26),其设置在上述凹凸层(24)上以及没有形成上述凹凸层的上述基材(22)上。

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