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公开(公告)号：CN114489254B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210133259.8
申请日：2014-06-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 松本博
Abstract: 本发明涉及数据处理装置。为了提供一种一览性强的数据处理装置或提供一种可携带性好的数据处理装置，构想出包括如下的数据处理装置：包括能够折叠及展开的显示部以及能够感测显示部的折叠及展开状态而供应折叠数据的感测部的输入/输出单元；以及存储根据折叠数据使运算部执行不同处理的程序的运算单元。
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公开(公告)号：CN112955946B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201980073616.2
申请日：2019-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/3275 , G09G3/36
Abstract: 提供一种包括低功耗的驱动器且由像素升高该驱动器的输出电压的显示装置。该显示装置包括逻辑部与放大器部以同一低电压适当地工作的源极驱动器，像素具有保持第一数据的功能，并且具有将第一数据和第二数据相加来生成第三数据而将第三数据供应给显示器件的功能。因此，由于即使从源极驱动器输出的电压低也可以由像素升压，所以可以适当地使显示器件工作。
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公开(公告)号：CN119908173A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380064404.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种存储装置包括：衬底上的第一绝缘体；覆盖第一绝缘体的至少一部分的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体上的第二绝缘体；第二导电体上的第三绝缘体；第二绝缘体上的第三导电体；第三绝缘体上的第四导电体；配置在第三导电体及第四导电体上且具有重叠于第一导电体、第二绝缘体及第三导电体与第二导电体、第三绝缘体及第四导电体间的第一开口的第四绝缘体；配置在第一开口内的第五绝缘体；配置在第五绝缘体上的第五导电体；配置在形成于第四绝缘体中的第二开口内且接触于第三导电体的顶面的第六导电体；以及配置在形成于第四绝缘体、第三绝缘体及第四导电体中的第三开口内且接触于第二导电体的顶面的第七导电体，其中，第一绝缘体的高度比第一绝缘体的宽度长，第一绝缘体的顶面与第五绝缘体接触。
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公开(公告)号：CN111788696B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN201980015985.6
申请日：2019-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的导电体；与第二氧化物及第三氧化物接触的第二绝缘体；以及第二绝缘体上的第三绝缘体，其中，第二氧化物包括第一区域至第五区域，第一区域及第二区域的电阻比第三区域的电阻低，第四区域及第五区域的电阻比第三区域的电阻低且比第一区域及第二区域的电阻高，并且，导电体以与第三区域、第四区域及第五区域重叠的方式设置在第三区域、第四区域及第五区域的上方。
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公开(公告)号：CN119785687A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510112614.7
申请日：2019-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G02F1/133 , G09G3/3225 , G09G3/36 , H10K59/121 , H10K59/123
Abstract: 提供一种能够提高图像品质的显示装置及电子设备。本发明的一个方式是将加法电路设置在显示区域的内部和外部的显示装置，加法电路具有对从源极驱动器供应的多个数据进行加法运算的功能。加法电路的部分构成要素分割地配置在显示区域内。因此，可以缓和对加法电路所包括的构成要素的尺寸的限制而高效地对数据进行加法运算。此外，通过将加法电路所包括的其他构成要素设置在显示区域的外部，可以减少显示区域的内部的布线数并提高像素的开口率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119769190A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380060987.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖半导体装置。在电容器上层叠设置垂直沟道型晶体管。作为电容器的介电层使用铁电体。铁电体优选包含铪、锆或者选自第13至15族元素中的至少一个元素。通过将氧化物半导体用于垂直沟道型晶体管的半导体层，源极与漏极间的绝缘耐压得到提高而可以缩短沟道长度。
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公开(公告)号：CN114185216B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210029672.X
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H10K59/131
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN112447130B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011381869.7
申请日：2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09G3/3225 , G09G3/3266 , H10K59/121 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体，并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此，即使在显示静止图像的情况下，也能容易地执行稳定的操作。此外，可以延长驱动器电路的操作间隔，这使得显示装置的功耗降低。而且，在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光，由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
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公开(公告)号：CN119678670A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058213.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种同时实现低功耗和高性能的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一至第三导电层、第一半导体层及第二绝缘层。第一绝缘层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口。第一半导体层在开口中与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第二导电层的侧面接触。第一半导体层具有隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域。第二晶体管包括第二半导体层、第二及第三绝缘层以及第四导电层。第二半导体层的端部与第三绝缘层的端部一致或大致一致。第二半导体层具有隔着第二绝缘层及第三绝缘层与第四导电层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN119604125A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411209721.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可用于高清晰的显示装置且具有低驱动电压及良好的电流效率的发光器件。提供一种通过光刻工序制造的包括多个发光单元及位于发光单元之间的中间层的串联型发光器件，其中，中间层包括金属或金属氧化物、包含具有供电子基团的第一缺π电子型杂芳环的第一有机化合物及具有第二缺π电子型杂芳环的第二有机化合物的第一区域，第二有机化合物的LUMO能级比所述第一有机化合物的LUMO能级小0.30eV以上。
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