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公开(公告)号：CN119923566A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202380061399.1
申请日：2023-07-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 自动分析装置(1)具有B/F分离部(104)、反应液吸引喷嘴(106)、置换液排出喷嘴(108)，B/F分离部(104)构成为能够沿铅直方向及水平方向移动，或者，具有B/F分离部(104)、反应液吸引喷嘴(106)、置换液排出喷嘴(108)、测光部(134)、测定流路导入喷嘴(130)、清洗液贮存容器(122)、及缓冲液贮存容器(120)，B/F分离部(104)、清洗液贮存容器(122)及缓冲液贮存容器(120)搭载在转台(102)上。由此，提供一种与以往相比减少了可动轴数的数量的自动分析装置。
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公开(公告)号：CN119895544A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380015613.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明目的在于，提供探测仅凭借从俯视图得到的平面的尺寸数据得不到的形状不良状况、准确地进行蚀刻参数的控制的技术。为此，本发明的服务器基于形成于试样的蚀刻形状的特征量和目标值的变化量、与半导体制造装置的蚀刻参数的相关数据来进行蚀刻参数的控制，以使得能得到所期望的半导体制造装置的处理结果，特征量使用从来自试样的表面的2次电子数据或来自试样的表面的干涉光数据得到的值。特征量有时是基于2次电子数据或干涉光数据从试样的蚀刻形状的尺寸得到的值。此外，作为特征量的变化量，有空间上或时间上的变化的值。
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公开(公告)号：CN119895270A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380067272.0
申请日：2023-08-30
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01N35/10
Abstract: 本发明的目的在于提供一种减少手动清扫探针的频度、提高了分析效率的自动分析装置及探针的清洗方法。为此，本发明的自动分析装置包括分注液体的探针和检测所述探针的堵塞的堵塞检测部，该自动分析装置在所述堵塞检测部检测到所述探针的堵塞时，利用经调温的液体清洗所述探针。另外，本发明提供一种分注液体的探针的清洗方法，在堵塞检测部检测到所述探针的堵塞的情况下，利用经调温的液体清洗所述探针。
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公开(公告)号：CN119895265A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380066932.3
申请日：2023-08-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01N35/00
Abstract: 本发明包括：从稀释液收纳瓶(1032)、内部标准液收纳瓶(1042)到稀释槽(1010)的稀释液流路(1033)、内部标准液流路(1043)；从稀释槽(1010)到分析部(1092)的测定溶液吸引喷嘴(1052)；对稀释槽(1010)、测定溶液吸引喷嘴(1052)及分析部(1092)进行调温的第1调温部(1091)；相对于第1调温部(1091)独立地进行调温控制，对稀释液流路(1033)、内部标准液流路(1043)进行调温的第2调温部(1036)；以及设置在第1调温部(1091)和第2调温部(1036)之间的隔热机构(1037、1095)。由此，本发明提供一种与以往相比能够改善测定系统的调温状态的自动分析装置及自动分析装置的运转方法。
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公开(公告)号：CN119780257A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202410844360.3
申请日：2024-06-27
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
Abstract: 本发明提供色谱仪的数据处理装置、数据处理方法以及色谱仪，难以受到噪声的影响且能够在短时间内容易地求出峰特征点。色谱仪的数据处理装置具有：部分回归曲线计算部，其针对将测量出的规定数量的时间序列数据设成组而得到的多个数据组，分别求出作为部分性的回归曲线的部分回归曲线；部分特征点取得部，其针对所求出的每个部分回归曲线求出作为部分性的特征点的部分特征点；以及运算处理部(163)，其作为根据所述部分特征点求出测量出的时间序列数据中的峰特征点的峰特征点取得部发挥功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119744436A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202380015619.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 为了提供一种能够兼顾图案倾倒的抑制和垂直的加工形状的等离子处理方法，在使用含碳膜的掩模和无机膜的掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法中，具有：第一步骤，使用所述含碳膜的掩模和所述无机膜的掩模对所述被蚀刻膜进行等离子蚀刻；第二步骤，在所述第一步骤后，修整所述含碳膜的掩模；以及第三步骤，在所述第二步骤后，对所述被蚀刻膜进行过蚀刻。
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公开(公告)号：CN112563099B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202011022906.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/304
Abstract: 提供会聚离子束装置。在实际照射会聚离子束之前，至少能够掌握射束以怎样的朝向照射固定试样的试样台。会聚离子束装置具有：会聚离子束镜筒(20)，其用于对试样(200)照射会聚离子束(20A)；试样台(51)，其载置试样；以及试样载台，其载置试样台，至少能够沿水平方向和高度方向移动，其中，会聚离子束装置(100)还具有：存储部(6M)，其预先存储试样台和会聚离子束的照射轴线的三维数据，三维数据与试样载台的载台坐标相关联；显示部(7)；以及显示控制部(6A)，其根据试样台和会聚离子束的照射轴线的三维数据，使显示部显示使试样载台进行动作而使试样台移动到规定的位置时的虚拟的试样台(51v)和会聚离子束的照射轴线(20Av)的位置关系。
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公开(公告)号：CN119678053A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380061274.9
申请日：2023-07-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01N35/04
Abstract: 从搬送部（117）向废弃物储藏单元（202）引导反应容器（116a）的滑槽（305）具有将从搬送部（117）落下的反应容器（116a）收入至滑槽（305）的反应容器废弃孔（113）、从反应容器废弃孔（113）沿铅垂方向延伸第一距离的第一通路（411）以及从第一通路（411）的与反应容器废弃孔（113）相反的一侧的第一端部（412）以倾斜第一角度的状态延伸第二距离的第二通路（421），第二通路（421）的与第一端部（412、422）相反的一侧的第二端部（423）倾斜第二角度，以使滑槽（305）朝向废弃物储藏单元（202）的方向。由此，提供一种能够实现在反应容器的废弃过程中使反应容器内残留液的飞散比以往减少的自动分析装置。
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公开(公告)号：CN113874978B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080006797.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 等离子处理装置具备：在内部具备对基板进行等离子处理的等离子处理室并能将该等离子处理室的内部排气成真空的真空室；和对该真空室经由圆形波导管提供微波电力的微波电力提供部，在这样的等离子处理装置中，真空室具备：与圆形波导管连接并接受从圆形波导管传播的微波电力的平行平板线路部；配置于平行平板线路部的外周并接受从平行平板线路部传播的微波电力的环形谐振器部；接受从形成于该环形谐振器部的狭缝天线辐射的微波电力的空洞部；和将该空洞部和等离子处理室分离的微波导入窗，平行平板线路部在与环形谐振器部的边界部分具有调整从平行平板线路部传播到环形谐振器部的微波的相位的相位调整部而构成。
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公开(公告)号：CN119585849A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380018613.5
申请日：2023-07-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明目的在于，提供对SiGe相对于Ge以高选择比进行蚀刻的技术。本发明的蚀刻方法之一是将形成于晶片的表面的包含硅锗膜和锗膜的膜构造当中的硅锗膜作为处理对象来进行蚀刻处理的蚀刻方法，具备如下工序：在将所述晶片加热的状态下对所述膜构造供给氢自由基，在所述膜构造的表面形成改性层；在形成所述改性层的工序之后，将所述晶片冷却到0℃到室温，对所述改性层供给包含六氟化硫或包含六氟化硫和氩的气体，来对所述硅锗膜进行蚀刻。
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