-
公开(公告)号：CN112542284B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202010650830.4
申请日：2020-07-08
Applicant: 株式会社田村制作所
IPC: H01F1/26 , H01F27/255 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种可提高软磁性粉末间的粘合力且抑制压粉成形体产生缺损或裂纹的压粉成形体及压粉成形体的制造方法、压粉磁芯的制造方法。所述压粉成形体包括：软磁性粉末；绝缘被膜，覆盖软磁性粉末的粒子表面；以及保形被膜，被覆绝缘被膜的表面且包含丙烯酸树脂。丙烯酸树脂的玻璃化转变点为45度以下。
-
公开(公告)号：CN112020235B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010467453.0
申请日：2020-05-28
Applicant: 株式会社田村制作所
IPC: H05K3/28
Abstract: 本发明提供具有保护被膜的布线板的制造方法，通过该方法能够防止在保护被膜产生空隙，并能够赋予保护被膜优异的耐热性。所述具有保护被膜的布线板的制造方法包括：第一层涂膜形成工序，其中在具有基板和设置在该基板上的导体的布线板上喷涂第一感光性树脂组合物而形成第一层涂膜，所述第一感光性树脂组合物的粘度在利用岩田杯测定时为10秒～50秒，上述第一层涂膜在干燥后的膜厚小于等于上述导体的厚度；第二层涂膜形成工序，其中在上述第一层涂膜的表面上涂布粘度高于上述第一感光性树脂组合物的第二感光性树脂组合物而形成第二层涂膜，上述第一层涂膜在干燥后的膜厚与上述第二层涂膜在干燥后的膜厚的合计大于上述导体的厚度。
-
公开(公告)号：CN113176705B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110113970.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明提供一种感光性树脂组合物，其能够在不使焊料耐热性、碱显影性、涂膜外观等各基本特性受损的情况下形成耐热冲击性优异的光固化物。感光性树脂组合物含有(A)含羧基的感光性树脂、(B)弹性体、(C)光聚合引发剂、(D)反应性稀释剂以及(E)环氧化合物，所述(B)弹性体含有(b)遥爪聚合物。
-
公开(公告)号：CN113832544B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202111128251.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立大学法人东京农工大学
Abstract: 提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含如下工序：将Ga2O3系基板(10)暴露于包括氯化镓系气体和含氧气体的混合气体；以及在Ga2O3系基板(10)的主面(11)上使β‑Ga2O3系单晶膜(12)以900℃以上的生长温度外延生长，其中，上述氯化镓系气体和上述含氧气体由从包括N2、Ar和He的组中选择的惰性气体来载带。
-
公开(公告)号：CN117981091A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280062811.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/201 , H01L29/861
Abstract: 提供即使在采取简单的结构的情况下也能够兼顾低开启电压的实现与漏电流的抑制的pn结二极管。作为一实施方式，提供pn结二极管(1)，具备：n型半导体层(11)，其包括具有(GaxAlyIn1‑x‑y)2O3(0＜x≤1，0≤y＜1，0＜x+y≤1)的组成的n型半导体的单晶；以及p型半导体层(12)，其与n型半导体层(11)形成pn结，包括p型半导体，p型半导体是Cu2O、NiO、Ag2O、Ge、SixGe1‑x(0＜x＜1)、CuInO2、CuGaO2、CuAlO2、CuAlxGayIn1‑x‑yO2(0＜x≤1、0≤y＜1、0＜x+y≤1)或者CuO，pn结二极管(1)的开启电压为1.2V以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117921249A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310221574.0
申请日：2023-03-09
Applicant: 株式会社田村制作所
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , H05K1/00
Abstract: 本发明涉及软钎料合金、焊膏、印刷电路基板及电子控制装置。提供能够抑制由热疲劳导致的钎焊接合部内的龟裂的发生和进展、并且能够抑制由瞬间且集中的强外力导致的钎焊接合部的断裂的软钎料合金。一种软钎料合金，其包含2质量％以上且4.2质量％以下的Ag、超过0质量％且为1质量％以下的Cu、3质量％以上且5.5质量％以下的Sb、4质量％以上且5.9质量％以下的In、0.01质量％以上的Ni、以及0.005质量％以上的Co，Ni和Co的总含量为0.05质量％以下，余量由Sn和不可避免的杂质组成。
-
公开(公告)号：CN117795654A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054928.0
申请日：2022-08-03
Applicant: 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
Abstract: 提供一种氧化镓系的半导体基板、具备该半导体基板和外延膜的半导体晶片、以及半导体晶片的制造方法，该半导体基板能够通过HVPE法形成膜厚分布及施主浓度分布小并且晶体缺陷的密度小的氧化镓系的外延膜。作为一个实施方式，提供一种半导体基板(10)，其是将至少一个主面作为晶体的生长基底面(11)的半导体基板(10)，包括氧化镓系半导体的单晶，生长基底面(11)为(001)面，在生长基底面(11)的70面积％以上的连续的区域中，[010]方向的偏角处于大于‑0.3°且‑0.01°以下的范围或0.01°以上且小于0.3°的范围内，在生长基底面(11)的所述区域中，[001]方向的偏角处于‑1°以上且1°以下的范围内，半导体基板(10)的直径为2英寸以上。
-
公开(公告)号：CN117733138A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311183809.8
申请日：2023-09-14
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明提供一种无机绝缘粉末均匀地附着于软磁性粉末的周围的压粉磁芯用粉末的制造方法及压粉磁芯用粉末。压粉磁芯用粉末的制造方法包含混合工序，所述混合工序中，向混合容器中添加软磁性粉末及无机绝缘粉末，并使无机绝缘粉末附着于软磁性粉末的周围。混合工序中，以软磁性粉末及无机绝缘粉末在混合容器内向多个方向而并非一个方向分散并飞散的方式进行混合，从而使无机绝缘粉末附着于软磁性粉末的周围。
-
-
公开(公告)号：CN117594347A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310850890.4
申请日：2023-07-12
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明提供一种可兼顾高导磁率与低铁损的压粉磁芯用粉末的制造方法。在将润滑剂的热重差热分析中的分解开始的绝对温度设为Td(K)、将绝缘层形成工序中的所述润滑剂的干燥温度上限的绝对温度设为Th(K)、将绝缘层形成工序中的所述润滑剂的干燥温度下限的绝对温度设为Tl(K)时，润滑剂满足下述式(1)及式(2)，绝缘层形成工序中的干燥温度为根据下述式(1)及式(2)算出的Tl(K)的下限值以上且Th(K)的上限值以下。Td‑0.84Td+322.96＜Th＜Td‑0.84Td+362.96···(1)Td‑0.70Td+168.81＜Tl＜Td‑0.70Td+208.81···(2)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
672
records
(took 0.067 seconds)
