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公开(公告)号：CN119921752A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411998922.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H03K17/687 , H02M1/08 , H10D84/60 , H10D84/83 , H10D84/03 , H03K17/567
Abstract: 本申请提供了一种驱动芯片、双向功率装置及制造方法，涉及集成电路设计技术领域。驱动芯片，用于驱动双向功率器件和调制双向功率器件的衬底电位，双向功率器件包括第一功率端、第二功率端、控制端和衬底电位端；驱动芯片包括：驱动电路和衬底电位调制电路，驱动电路和衬底电位调制电路形成于同一衬底中；衬底电位调制电路接收控制端，第一功率端和/或第二功率端中的信号，并与衬底电位端相连接，以使双向功率器件的衬底电位端的电压与控制端、第一功率端和第二功率端处的电压中较低的电压基本一致。本申请用于提供一种不会增加双向功率器件额外的成本和寄生参数，且能够实现对双向功率器件衬底电位进行管控的技术方案。
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公开(公告)号：CN119486237A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411463012.8
申请日：2024-10-18
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制备方法。该功率半导体器件包括：衬底，衬底具有有源区，有源区包括源极区和漏极区，源极区和漏极区之间形成有栅极沟槽，栅极沟槽从衬底上表面向有源区凹陷；主栅极，位于栅极沟槽中，主栅极从栅极沟槽上表面向下延伸；绝缘层，绝缘层填充在栅极沟槽的内壁和主栅极之间。源极区和漏极区之间漂移区的长度从源极区和漏极区之间的横向尺寸转变为栅极沟槽的周长，在保证BV的同时可以缩小功率半导体器件的横向尺寸，同时减小功率半导体器件的比导通电阻(Rsp)，减小功率半导体器件的尺寸的同时实现最佳的BV/Rsp折中。
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公开(公告)号：CN111463188B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202010369001.9
申请日：2020-05-03
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种适用于功率变换器的封装结构，其中，第一功率晶体管和控制和驱动电路集成于同一颗晶片，可以更好地实现第一功率晶体管的高频开关动作，提高第一功率晶体管的工作频率，降低开关损耗。第二功率晶体管集成于独立的第二晶片中，第一晶片和第二晶片分立于封装结构中，对第二功率晶体管的控制和驱动动作不会对第一晶片产生干扰或者其他负面影响，提高了可靠性。第一晶片和第二晶片之间可以通过大面积的连接结构进行连接，实现了较低的互连电阻，提升了大电流处理能力。
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公开(公告)号：CN119170645A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411296818.2
申请日：2024-09-14
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明提供一种LDMOS晶体管，包括：阱区；位于所述阱区中的第一掺杂类型的源区和第一掺杂类型的漏区；临近所述源区的栅介质层，位于所述阱区的上表面上；临近所述漏区的耐压层，位于所述阱区上，以及缓冲场板，位于所述栅介质层和所述耐压层之间，且位于所述阱区的上表面上，其中，所述耐压层的厚度大于所述缓冲场板的厚度，所述缓冲场板的厚度大于所述栅介质层的厚度。所述缓冲场板用于缓解所述栅介质层靠近漏区侧的电场，可减小栅介质层长度，降低开启该晶体管所需电荷，并可减缓晶体管在高电压下工作时出现在所述栅介质层处的隧穿电流。
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公开(公告)号：CN119108393A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411205646.3
申请日：2024-08-29
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L27/02 , G06F30/392
Abstract: 公开了一种斩波电路的版图结构和布局方法。通过将每组晶体管中的两个晶体管设置为类型相同，沿第一方向排列设置且相邻的一端为同一极，相同类型的晶体管沿第一方向排列设置，不同类型的晶体管沿第二方向排列设置，相位信号线与多组晶体管的栅极连接，第一传输信号线与每个晶体管的漏极或源极中的一个连接，第二传输信号线与每个晶体管的漏极或源极中的另一个连接。由此，可以减少相位信号线与传输信号线之间的寄生电容，提升电路性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119010511A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411067835.9
申请日：2024-08-02
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种通信电路以及多电源系统。本发明实施例中多电源系统包括多个电源模块，各个电源模块通过共享总线与其他电源模块进行通信，通过相应的通信电路将表征输出电流的信息传输到共享总线，同时通过相应的通信电路接收反馈信号以调节输出电流，直到所有的电源模块的输出电流保持一致，以实现均流控制。
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公开(公告)号：CN118677471A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410586064.8
申请日：2024-05-13
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Inventor： 王龙奇
IPC: H04B1/40 , H04L12/40 , H04L67/12 , B60R16/023
Abstract: 本发明公开了一种车规类型的用电模块，其基于CAN物理层发送和接收信号，不但具有较好的EMC特性，同时本发明的车规类型的用电模块将收发器区分为对外和对内两种类型。对外使用标准收发器，以满足可靠性测试，对内使用简化后的非标准收发器，以进一步降低了系统的成本。
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公开(公告)号：CN108682690B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201810515185.8
申请日：2018-05-25
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件和其制造方法，在所述横向扩散金属氧化物半导体器件中，将位于第一介质层和耐压层上方的导体层分为至少部分位于所述第一介质层的第一导体，以及至少部分位于所述耐压层上的第二导体，且使得所述第一导体和第二导体空间隔离，所述第一导体和第二导体可以接不同的电位，使得所述半导体器件在关断状态仍能保持较高的击穿电压。此外，所述半导体器件的源电极由所述源极区上方延伸至至少部分所述第二导体上方，可以避免所述第一导体和第二导体断开位置处的电场出现跌落的现象，从而改善了所述半导体器件的耐压性能。
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公开(公告)号：CN117936539A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311449776.7
申请日：2023-11-01
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种电阻阵列结构，包括多个多晶硅层，多个第一金属层，多个第二金属层和多个第三金属层；电阻阵列结构中的每个电阻由多个多晶硅层进行电连接组成，组成同一电阻的相邻两个多晶硅层之间通过一个匹配单元进行电连接，同一匹配单元中的不同匹配路径的电阻阻抗相等；本发明的每个多晶硅层上的第一金属层连接一特定的调制电位，达到稳定多晶硅电阻阻值的目的；电阻阵列结构还设置有第二悬空金属层和第三悬空金属层，可以保证各个多晶硅层上方的金属层保持一致，组成各个电阻的多晶硅层的温度梯度分布均匀。
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公开(公告)号：CN109273424B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201811195866.7
申请日：2018-10-15
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种封装组件，在所述封装组件中，与封装组件中的第一高压侧驱动电路的端子耦合的任意两个第一高压封装端子之间设置有与封装组件中的第二高压侧驱动电路的端子耦合的至少一个第二高压封装端子，且使得与不同所述高压侧驱动电路的端子耦合的两个高压封装端子之间的第一间距不小于预设值，以确保该两个高压封装端子之间的电气隔离，有利于提高封装组件的各个封装端子的灵活布局以及提高封装组件的可靠性。
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