发光器件和显示装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119968019A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202311483166.9

    申请日:2023-11-08

    Inventor: 王华民

    Abstract: 本申请公开了一种发光器件和显示装置,所述发光器件包括层叠的阳极、发光层和阴极,所述阳极与所述发光层之间设置有第一热电管理层,和/或,所述发光层与所述阴极之间设置有第二热电管理层;其中,所述第一热电管理层中包括第一热电材料层,所述第一热电材料层中包括第一热电材料,第二热电管理层中包括第二热电材料层,第二热电材料层中包括第二热电材料。本申请所述的发光器件中包括第一热电材料层和/或第二热电材料层,当发光器件的温度升高时,热电材料层的相对两表面之间存在温度差异,使热电材料产生热电效应,形成电势差,产生电压,从而将热能转换为电能。如此,可以产生冷却效应,降低发光器件的温度,进而提高发光器件的发光效率。

    光电器件、光电器件的制备方法以及电子设备

    公开(公告)号:CN119923073A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202311441176.6

    申请日:2023-10-31

    Inventor: 关杰豪

    Abstract: 本申请公开一种光电器件、光电器件的制备方法以及电子设备,所述光电器件包括:相对设置的阳极和阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层,以及设置于发光层与阴极之间的电子功能层,其中,电子功能层的材料包括金属氧化物材料和有机电子阻挡材料,沿着阳极朝向阴极的方向上,电子功能层包括相对设置的第一表层和第二表层,第二表层较第一表层更靠近发光层,第一表层不含有所述有机电子阻挡材料,或者第一表层中有机电子阻挡材料的含量小于第二表层中有机电子阻挡材料的含量,有利于提升光电器件的光电性能和器件寿命。

    量子点发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN114695698B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202011628345.3

    申请日:2020-12-30

    Inventor: 黄盼宁 芦子哲

    Abstract: 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管包括第一量子点层,第一量子点层的表面结合有半胱氨酸。本发明采用半胱氨酸对第一量子点层的表面进行修饰,由于半胱氨酸含有硫代基团,该硫代基团与量子点的结合力较强,不易从量子点表面脱落,因此器件在长时间点亮的情况下不会出现类似有机分子从量子点表面脱落导致的量子点膜发生改变影响器件性能的问题,从而提高器件的稳定性和寿命。另外,半胱氨酸的链长较短,有利于电荷传输,从而提高量子点发光二极管的发光效率。此外,结合于第一量子点层表面的半胱氨酸之间可以通过脱水缩合相连,形成稳定、均匀的连接体,这样第一量子点层的成膜性更好、其表面平坦、量子点排布整齐。

    发光器件的制备方法、发光器件和显示装置

    公开(公告)号:CN119730645A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202311281916.4

    申请日:2023-09-28

    Inventor: 刘秋宇

    Abstract: 本申请公开了一种发光器件及其制备方法、显示装置。本申请的发光器件的制备方法中,通过先在电子功能预制层上形成包含金属元素的导电层,然后对导电层进行氧离子辐照,使高能氧离子穿过导电层注入至导电层与电子功能预制层之间的界面处,注入至界面处的高能氧离子可以与界面处的无机半导体粒子和金属元素分别发生反应,从而使电子功能预制层的靠近导电层的区域和导电层共同形成过渡层,如此,有利于器件的正向老化,进而提升发光器件的最大亮度和寿命等性能。

    发光器件及其制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN119584769A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202311153533.9

    申请日:2023-09-07

    Abstract: 本申请公开了一种发光器件及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域。发光器件包括:层叠设置的第一电极、发光层和第二电极,发光层的材料包括纳米颗粒;发光器件还包括第一载流子功能层、钝化层,第一电极和第二电极之间的功能层中的一种含有钝化剂,钝化剂包括AX类化合物,A选自R‑COOH‑,X选自锂离子、ⅡA族元素的金属离子或ⅡB族元素的金属离子。本申请提供的发光器件,钝化剂中的A离子作为富电性的路易斯碱,可与纳米颗粒表面含正电荷的缺陷结合,钝化缺陷,提高纳米颗粒的性能,促进量子点发光;钝化剂中的X离子的离子半径小,可钝化纳米颗粒表面含负电荷的缺陷,降低发光器件的功耗,提高发光器件的发光效率。

    a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组

    公开(公告)号:CN111092093B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN201811169866.X

    申请日:2018-10-08

    Abstract: 本发明适用于显示技术领域,提供了一种a‑Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板、背光模组和显示装置,光源板的每一发光单元包括发光元件以及驱动发光元件的驱动薄膜晶体管,驱动薄膜晶体管的第一漏极和第一源极均呈条状并呈螺旋状分布,第一漏极分布于第一源极之间并与第一源极之间形成呈条状并呈螺旋状分布的间隙,第一有源层对应该间隙形成呈条状并呈螺旋状分布的沟道,以增加所述沟道的宽度。本发明通过第一漏极和第一源极设计为均呈条状并呈螺旋状分布,以形成呈条状并呈螺旋状分布的沟道,该螺旋状的沟道能够明显地提高沟道的宽长比,提高其驱动能力,从而该驱动薄膜晶体管允许更大的驱动电流通过,满足作为背光使用的驱动电流的要求。

    复合薄膜、光电器件及显示装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119497509A

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202311037063.X

    申请日:2023-08-16

    Inventor: 罗强

    Abstract: 本申请公开了一种复合薄膜、光电器件及显示装置,复合薄膜包括第二功能层和第一功能层,所述第一功能层包括功能单元,所述功能单元包括依次层叠的第一N型半导体层、P型半导体层和第二N型半导体层,且所述第一N型半导体层靠近所述第二功能层设置;其中,所述第二功能层的材料包括第一材料或第二材料,所述第一材料包括N型金属氧化物、掺杂N型金属氧化物、Ⅱ‑Ⅵ族半导体材料、Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料及Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族半导体材料中的至少一种,所述第二材料包括碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。本申请在第二功能层的一侧设置第一功能层,所述第一功能层具有NPN管结构,可以扩大电流,有助于提高电子传输性能。

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