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公开(公告)号：CN109671645B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811188675.8
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。
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公开(公告)号：CN106803532B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201610915456.X
申请日：2016-10-20
Abstract: 本公开提供了具有垂直磁隧道结的磁存储器件。一种磁存储器件包括在基板上的第一磁结构、在基板和第一磁结构之间的第二磁结构、以及在第一磁结构和第二磁结构之间的隧道阻挡物。第一磁结构和第二磁结构中的至少一个包括垂直磁层以及插设在隧道阻挡物和垂直磁层之间的极化增强层。这里，极化增强层包含钴、铁和至少一种IV族元素，并且极化增强层具有垂直于或基本上垂直于基板的顶表面的磁化方向。
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公开(公告)号：CN111180577A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910733388.9
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；并且执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。
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公开(公告)号：CN109713122B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201811213731.9
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。
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公开(公告)号：CN107017337B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201611122010.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374933B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201510500987.8
申请日：2015-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括：在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层；图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案；在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层；去除盖图案以暴露第一磁性导电图案；在第一磁性导电图案和层间绝缘层上形成隧穿势垒层和第二磁性导电层；以及图案化第二磁性导电层和隧穿势垒层以形成第二磁性导电图案和隧穿势垒图案。
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公开(公告)号：CN106953003A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610849477.6
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/10 , G11C11/15 , G11C11/161 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了磁性存储器件，该磁性存储器件包括磁隧道结图案，该磁隧道结图案包括第一自由层、被钉扎层以及在第一自由层和被钉扎层之间的隧道势垒层。第一自由层包括第一自由磁性图案和第二自由磁性图案，该第一自由磁性图案具有与隧道势垒层直接接触的第一表面以及与第一表面相反的第二表面，第二自由磁性图案与第二表面接触。第二自由磁性图案包括铁‑镍(FeNi)，且第二自由磁性图案的镍含量在从大约10at％到大约30at％的范围内。
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公开(公告)号：CN111180577B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910733388.9
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；并且执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。
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公开(公告)号：CN114512596A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111318157.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括磁隧道结的磁存储器件。磁隧道结包括固定层、在固定层上的极化增强结构、在极化增强结构上的隧道势垒层以及在隧道势垒层上的自由层，其中极化增强结构包括多个极化增强层以及将多个极化增强层彼此分开的至少一个间隔物层。多个极化增强层中的每个的厚度为从约至约且至少一个间隔物层的厚度为从约至约
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公开(公告)号：CN109698268A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811180725.8
申请日：2018-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/08 , H01L21/67207
Abstract: 本公开提供了一种半导体制造装置以及制造存储器件的方法。该半导体制造装置包括转移室、连接到转移室的第一工艺室、以及连接到转移室的第二工艺室。转移室可以配置为转移基板。第一工艺室可以配置为在第一温度执行用于氧化基板上的金属层的第一氧化工艺。第二工艺室可以配置为在高于第一温度的第二温度执行用于氧化基板上的金属层的第二氧化工艺。
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