公开(公告)号：CN103943483B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410163504.5

申请日：2014-04-22

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 周军 ,  贺忻

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法，包括：在形成多晶硅栅极和活化区的硅片上，首先使用活化区的光罩通过光刻刻蚀打开活化区的硅化物阻挡层；第一次沉积第一厚度的镍和氮化钛；使用包含多晶硅栅极的光罩通过光刻刻蚀打开包含多晶硅栅极区域的镍、氮化钛和硅化物阻挡层；第二次沉积第二厚度的镍；进行第一温度退火，通过湿法清洗去除硅片上未反应的镍，再进行第二温度退火，最终在多晶硅栅极和活化区形成低阻的镍硅化物。

公开(公告)号：CN103943561B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410193144.3

申请日：2014-05-08

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 桑宁波 ,  雷通 ,  贺忻

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种低介电常数薄膜的成膜方法，包括：形成第一层金属层；在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜，其中在生长低介电常数薄膜时引入两步以上的液源稳定过程；对低介电常数薄膜进行紫外线固化；在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。

公开(公告)号：CN103295958B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310221366.7

申请日：2013-06-04

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 周军 ,  朱亚丹 ,  贺忻

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，确切的说，具体涉及一种制备铜种子层的方法。本发明在使用传统工艺中制备完成铜种子层后，继续进行一除气工艺，可使通孔处沉积的铜流入通孔底部，然后再沉积一较薄的铜种子层，从而降低填充的深宽比，进而提高填充种子层底部的覆盖性，减少后续铜电镀时出现孔隙的几率，进而提高产品性能和良率。

公开(公告)号：CN103943482A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410162899.7

申请日：2014-04-22

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 周军 ,  贺忻

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L29/401

Abstract: 本发明提供了一种降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法，包括：在形成多晶硅栅极和活化区的硅片上，首先使用活化区的光罩通过光刻刻蚀打开活化区的硅化物阻挡层；在打开活化区的硅化物阻挡层之后第一次沉积第一厚度的镍，进行第一次第一温度退火，形成镍的硅化物，然后湿法清洗去除硅片上未反应的镍；使用包含多晶硅栅极的光罩通过光刻刻蚀打开包含多晶硅栅极区域的硅化物阻挡层；第二次沉积第二厚度的镍，进行第二次第一温度退火，通过湿法清洗去除硅片上未反应的镍，再进行第二温度退火，最终在多晶硅栅极和活化区形成低阻的镍硅化物。

公开(公告)号：CN103871953B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410106819.6

申请日：2014-03-20

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 桑宁波 ,  雷通 ,  贺忻 ,  方精训

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明公开了一种沟槽填充方法，其方法为：提供一形成有浅沟槽的半导体结构；采用高密度等离子体化学气相沉积工艺在所述浅沟槽中填充二氧化硅薄膜，且使所述二氧化硅薄膜的顶部处于所述半导体结构的顶部下方一定距离处；对所述沟槽中暴露的表面进行热氧化工艺，以继续生长一定厚度的二氧化硅；进行退火工艺；采用等离子体化学气相沉积工艺继续制备二氧化硅，以填充浅沟槽中的剩余部分。这样被等离子损伤的表面单晶硅会被热氧化从而修复浅沟槽顶部的损伤，而浅沟槽的顶部才是器件工作的区域，因此损伤的修复会大大提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN103489825B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310432018.4

申请日：2013-09-22

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 桑宁波 ,  贺忻 ,  雷通

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种解决氮化硅和镍硅化物界面剥落问题的工艺方法，包括：第一步骤，在光刻胶上定义出MOS结构的栅极、源漏，在硅片上形成MOS结构的栅极和源漏；第二步骤，通过离子注入工艺对源漏进行离子注入；第三步骤，通过物理气相沉积，在源漏接触和多晶硅栅极界面沉积镍铂合金，进而形成镍硅化物，形成源漏接触和栅极接触；第四步骤，通过等离子体处理对镍硅化物进行表面处理；第五步骤，对镍硅化物接触的表面处理完成后紧接着通过等离子体化学气相沉积形成氮化硅薄膜。

公开(公告)号：CN103972068A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410163503.0

申请日：2014-04-22

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 周军 ,  贺忻

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28035 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明提供了一种降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法，包括：在形成多晶硅栅极和活化区的硅片上，使用活化区的光罩通过光刻刻蚀打开活化区的硅化物阻挡层；第一次沉积第一预定厚度的镍而且在沉积的镍上沉积TiN层，并进行第一次第一温度退火，形成镍的硅化物；使用包含多晶硅栅极的光罩通过光刻刻蚀打开包含多晶硅栅极区域的硅化物阻挡层；第二次沉积第二预定厚度的镍，在第二次沉积的镍上沉积一定厚度的Ti或者TiN层，进行第二次第一温度退火，通过湿法清洗去除硅片上未反应的镍，再进行第一次第二温度退火，最终在多晶硅栅极和活化区形成低阻的镍硅化物。

公开(公告)号：CN103556127A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310565735.4

申请日：2013-11-13

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 雷通 ,  桑宁波 ,  贺忻

IPC: C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种气相沉积成膜设备的清洗方法，通过改进非晶碳沉积制程中的清洗工艺,在清洗工艺制程里的保护膜沉积步骤之后，增加一步氮等离子体处理，即先生长一层无氮非晶碳膜，避免非晶碳沉积制程中的硅片背面铝沾污问题，然后对这层无氮非晶碳膜进行氮等离子体处理，改善其表面特性，保证销顶面与硅片背面有较高的摩擦系数，避免滑片问题。

公开(公告)号：CN103489787A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310432014.6

申请日：2013-09-22

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 桑宁波 ,  贺忻 ,  雷通

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L29/401 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供了一种提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法，包括：第一步骤，在光刻胶上定义出MOS结构的栅极、源漏，在硅片上形成MOS结构的栅极和源漏；第二步骤，通过离子注入工艺对源漏进行离子注入；第三步骤，通过物理气相沉积，在源漏接触和多晶硅栅极界面沉积镍铂合金，进而两步退火法形成镍硅化物，形成低接触电阻的源漏接触和栅极接触；第四步骤，通过SiH4气体氛围中低温退火，从而对镍硅化物进行表面处理，使得镍硅化物表面硅含量增加；第五步骤，对镍硅化物接触的表面处理完成后紧接着通过等离子体化学气相沉积形成氮化硅薄膜。

公开(公告)号：CN103199083A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310121472.8

申请日：2013-04-09

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 贺忻 ,  方精训 ,  童智钊 ,  朱亚丹 ,  桑宁波

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种复合铜扩散阻挡层，由碳化硅薄膜和金属扩散阻挡层共同组成。相对于其他非金属阻挡层材料，如氮化硅（介电系数为7.8），碳化硅的介电系数更低，可低至5。因此由碳化硅和金属扩散阻挡层共同组成的这种复合阻挡层能更有效地阻挡铜在隔离层或器件内的扩散，提高器件的性能和可靠性，从而有利于铜互连的推广。同时本发明还公开了一种复合铜扩散阻挡层的制备方法，该方法首先打开接触孔并对其进行清洗，之后进行非晶碳化硅的沉积，接着通过刻蚀去除接触孔底部的碳化硅，最后再进行金属扩散阻挡层的沉积。该方法能简单方便地得到复合铜扩散阻挡层，有利于提高器件的性能和可靠性。