-
公开(公告)号：CN117238742A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311155125.7
申请日：2019-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和等离子体点火后的点火状态下的供给电力。参数计算部将来自等离子体的热输入量作为参数，使用由测量部测量出的未点火状态和点火状态的供给电力来计算该热输入量。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。
-
公开(公告)号：CN111801990B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201980013656.8
申请日：2019-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算模型进行拟合，来计算来自等离子体的热输入量，该计算模型包括该热输入量作为参数来计算过渡状态的供给电力。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。
-
公开(公告)号：CN112687512A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011077814.7
申请日：2020-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够选择性地更换构成边缘环的两个环中的一者或两者的基片处理系统和更换边缘环的方法。例示的实施方式的基片处理系统包括处理单元、输送臂和更换单元。在处理单元中利用至少一个升降机构将边缘环从基片支承器升起。边缘环包括第一环和第二环。用输送臂在处理单元与更换单元之间输送边缘环。在更换单元中，边缘环的第一环和第二环中的一者或两者能够被替换为更换零件，从而能够准备已更换的边缘环。用输送臂在更换单元与处理单元之间输送已更换的蚀刻环。
-
公开(公告)号：CN110473759A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910358583.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种载置台和等离子体处理装置。提供使载置台的弯曲刚性提高、并且使载置台相对于支承构件的拆装容易性提高的技术。一种载置台，其载置基板，具有静电卡盘和载置所述静电卡盘的静电卡盘载置板，该静电卡盘具有基板的载置面，所述静电卡盘和所述静电卡盘载置板利用多个第1紧固件从所述静电卡盘载置板侧紧固，所述载置台利用多个第2紧固件在所述载置面的径向外侧从所述静电卡盘侧紧固于设置在所述静电卡盘载置板的与所述静电卡盘相反的一侧的支承构件。
-
公开(公告)号：CN108091535A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711165278.4
申请日：2017-11-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括：被施加高频电力的基座；被施加高频电力的基座；设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘；设置在载置区域的内部的加热器；与加热器连接并延伸至外周区域的内部的配线层；在外周区域与配线层的接点部连接的供电端子；和导电层，其设置在外周区域的内部或者设置在位于外周区域之外的厚度方向上的其它区域，从外周区域的厚度方向看时与供电端子重叠。由此，能够提高沿着被处理体的周向的电场强度的均匀性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102110573B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201010623407.1
申请日：2010-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32091 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种能够使等离子体稳定且对高频电场强度进行控制的等离子体处理装置。该等离子体处理装置，在能减压的处理容器内设置第一电极，将处理气体导入上述处理容器内，由高频电力的能量生成等离子体，通过上述等离子体对被处理体施行期望的等离子体处理。等离子体处理装置的第一电极，在由期望的电介质形成的上部基材(105a)中嵌入与该基材相同材质的电介质(205)，将上部基材(105a)和电介质(205)之间通过导电性粘着层(210a)粘着固定。
-
公开(公告)号：CN102191502A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110034760.0
申请日：2011-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23F4/00 , C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: B05B1/18 , C23C16/00 , C23C16/455 , C23F1/08
Abstract: 本发明提供气体簇射用构造体和基板处理装置。该构造体将基座板层叠在顶板上而形成，用于呈簇射状向处理气氛供给气体，能不受组装误差的影响而将两板的压接力设定为适当的大小，且能防止固定两者的固定构件与顶板之间的摩擦。从顶板的下表面侧插入螺纹构件而将螺纹构件与基座板螺纹连接，在螺纹构件的头部与顶板之间夹装环状的弹性体，利用弹性体的复原力使顶板与基座板压接。此时，在上述头部和顶板之间形成有间隙。并且在上述头部的外缘侧夹装环状的弹性体的状态下，在该头部覆盖罩。作为另一例，使基座板比顶板的外缘突出，用螺纹构件固定位于顶板外缘部的外侧的环状的夹持构件和基座板的突出部分，且使弹性体介于夹持构件与顶板之间。
-
公开(公告)号：CN101162689B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710194607.8
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00 , H05H1/46 , C23F4/00
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
-
公开(公告)号：CN101174562A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710166668.3
申请日：2007-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 能够防止由基板制造半导体器件的生产率降低的基板处理方法。向具有热氧化膜、BPSG膜和沉积膜的晶片供应HF气体，由此使用氟化酸选择性蚀刻BPSG膜和沉积膜。蚀刻时生成的H2SiF6残留物质受热分解成HF和SiF4。
-
公开(公告)号：CN101162689A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710194607.8
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00 , H05H1/46 , C23F4/00
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.048 seconds)
